Поликристаллические подложки

В практических условиях процесс электроосаждения поли-кристаллических осадков довольно сложный. После формирования сплошного слоя осадка дальнейший его рост можно рассматривать как осаждение на подложке из того же металла. Принято различать четыре типа поликристаллических осадков крупнокристаллические осадки, ориентированные по отношению к основе и воспроизводящие ее структуру [c.241]

Помимо эпитаксиальных монокристаллических пленок, осаждаемых на кристаллические подложки, широко используют в микроэлектронике тонкие поликристаллические и аморфные пленки других материалов. На основе подобных пленок изготавливают не только пассивные, но и активные элементы ИМС, работающие с использованием основных носителей заряда. Для данных целей применяют полупроводниковые (металлические, резистивные, диэлектрические) поликристаллические и аморфные пленки. Последние обычно получают методом вакуумного напыления. Металлические пленки, наносимые на изолирующий слой оксида кремния (IV), служат для создания внутренних соединений элементов ИМС, а также дают возможность осуществлять присоединение электрических выводов к микросхеме. Для этой цели широко применяют материалы на основе золота, никеля, свинца, серебра, хрома, алюминия, а также сплавы систем хром — золото, титан — золото, молибден — золото и некоторые другие. [c.161]

Поликристаллические подложки с напыленным РЗМ. Эффективная работа выхода [c.237]

Пиролитический углерод можно получать в печах различной конструкции — как с прямым электронагревом, так и с индукционным. Промышленные печи для получения пиролитического углерода представляют собой теплоизолированную вакуумную камеру с электронагревателем - графитовой трубой. Внутри трубы находится нагретая до требуемой температуры подложка (чистый поликристаллический графит), на которую осаждается пиролитический углерод при разложении пропускаемого через печь метана. Меняя условия осаждения, получают пиролитический материал с различной структурой и свойствами. Например, при давлении 1,33 кПа и температуре 2150 °С требуется 30 мин для получения отложения толщиной 1 мм. Пиролитические материалы, полученные в индукционной печи, отличаются более высокой склонностью к упорядочению,, чем полученные в печи сопротивления [1]. [c.216]

Ситуация принципиально изменилась в связи с успехами технологии получения тонких пленок алмаза из газовой фазы при субатмосферном давлении. Бьши разработаны высокоэффективные методы выращивания поликристаллических алмазных пленок на алмазных и не алмазных подложках. Такие пленки при массовом производстве будут, очевидно, относительно недорогими. Путем легирования акцепторной примесью (бором) удалось получить пленки с весьма хорошей проводимостью, которые по своей природе являются полупроводниковыми [5], а при высоком уровне легирования и квазиметаллическими. Вместе с первыми [c.6]

Для исследования проводимости поликристаллических пленок и связи ее с кристаллической структурой использовали метод спектроскопии импеданса [49, 50]. На внешнюю поверхность пленки наносили омический (т. е. не выпрямляющий) контакт вторым омическим контактом служила металлическая (вольфрамовая) подложка. (При осаждении алмазной пленки на вольфрам, между под- Годограф импеданса поликри- [c.19]

Модифицированным методом эпитаксиального напыления изготовлены тонкие пленки висмута и сурьмы на (111 )-поверхности кремниевой подложки. Пленки были поликристаллическими и имели преимущественную ориентацию оси (111) в направлении, перпендикулярном плоскости пленки [69]. [c.246]

Оптические постоянные поликристаллической пленки пентацена на субстрате (подложке) [c.491]

В принципе структура пленки может быть любой от эпитаксиальной монокристаллической до поликристаллической с неупорядоченной ориентацией кристаллитов — два предельных варианта. Реальная структура пленки зависит от природы металла и подложки, а также от условий напыления, в том числе температуры подложки, скорости осаждения металла, его исходной чистоты и давления в системе. Носители, используемые в качестве подложки металлических пленок, уже рассматривались в гл. 2, там же обсуждались и вопросы топографии их поверхности. Крупные детали микрорельефа поверхности подложки [c.139]

Часто оказывается, что отношение реальной величины поверхности металла (например, измеренной по адсорбции газа) Н к геометрической поверхности пленки больше единицы. Объясняется это тем, что внешняя поверхность пленки и в атомном, и в более крупном масштабе не гладкая и что из-за наличия щелей между кристаллитами в пленке имеются поры. Ширина таких щелей обычно может достигать примерно 2 нм. Однако при толщине пленки более 50 нм кристаллиты не изолированы полностью друг от друга и почти вся подложка практически покрыта металлом. Толщина пленки обычно отвечает одному кристаллиту (исключение составляют пленки, напыленные при очень низких температурах, очень высокой скорости осаждения, и очень толстые пленки), и поэтому произвольный разрез поликристаллической пленки при наличии щелей между кристаллитами можно представить схематически, как на рис. 21. В каталитических исследованиях в основном используют пленки толщиной [c.139]

Кристаллографическая неоднородность поликристаллических пленок, напыленных на аморфные подложки, тем меньше, чем выше температура отжига после напыления или чем выше температура подложки при напылении. Это видно уже из [c.143]

Величина, форма и распределение зерен поликристаллического осадка металла очень сильно зависят от плотности тока, природы выделяющегося металла, его кристаллической структуры и структуры металла-подложки, концентрации и состава электролита и [c.718]

После такой обработки поверхность матрицы покрывают поликристаллической смесью с льфидов серебра и меди. Эта смесь, нанесенная на серебряную подложку матрицы, выполняет роль мембраны, специфичной к ионам меди. С целью гомогенизации смеси сульфидов матрицы электроды нагревают до 400—420° С в атмосфере сероводорода. [c.451]

VII, 27. Поликристаллы, связанные с поликристаллическим зародышеобразованием. Новый кристалл может зародиться на контакте с исходным кристаллом благодаря адсорбции растворенного вещества па грани материнского кристалла. Но здесь возникает следующее затруднение если адсорбция подразумевает присоединение молекулы к решетке, как описано в разделе VI.9 и др., то такой процесс будет только приводить к увеличению размеров исходного кристалла, но новые кристаллы, имеющие другую ориентацию решетки, образовываться не будут. Следовательно, можно предположить, что в данном случае происходит своего рода нелокализованная адсорбция, т. е. положение молекул в адсорбционном слое не будет соответствовать положениям молекул в решетке подложки . Здесь, однако, есть возражение, поскольку зародышеобразование, несомненно, гораздо легче вызывается самим кристаллом растворенного вещества, чем кристаллом любого другого вещества. Между тем другие кристаллы могут иметь столь же хорошие, а то и еще лучшие адсорбционные свойства. Трудно понять, каким образом этот эффект может быть специфичным именно для данного кристалла, если не учитывать его упорядочивающего действия на адсорбируемые молекулы. [c.224]

Тип подложки (монокристаллическая, поликристаллическая или аморфная) [c.11]

Расчеты, основанные на потенциале, который учитывает ди-поль-дипольные взаимодействия, показывают, что величина расщепления и контур полосы сильно зависят от формы и размеров кристаллитов, существующих в твердых образцах [89]. Эти эффекты особенно важны при изучении ИК-спектров по методу, когда образцы осаждаются на холодную подложку. Рентгеноструктурные исследования таких поликристаллических осадков показывают, что кристаллики имеют размеры от 50 до 100 А и обычно ориентированы вдоль определенного направления [93]. [c.393]

Исследования такого рода получили широкое развитие в области электролитического выделения новой фазы на электродеподложке под влиянием пересыщения, задаваемого в этом случае перенапряжением. К сожалению, большинство этих работ относится к выделению новой фазы в виде кристаллов, а не капель, и проблема линейного натяжения пока что решена только для смачивающей капли. Единственные данные по электролитическому выделению новой фазы в виде капель связаны с электролизом растворов солей ртути на индифферентном электроде — на графите [17] или платине [18]. В указанных работах имеются и данные по смачиваемости ртутью электрода-подложки. Автор проанализировал эти данные с точки зрения линейного натяжения. Результат [19] показал, что сильно заниженные значения критического перенапряжения по сравнению с ожидаемыми, согласно теории Фольмера (не учитывающей х), могут быть объяснены линейным натяжением, если ему приписать отрицательный знак и абсолютное значение порядка Ю " дин. Это объяснение, однако, не однозначно, так как твердые поликристаллические подложки — графитовый или платиновый катоды — могут иметь микроскопические активные участки на поверхности с сильно повышенной смачиваемостью ртутью, что и без учета х привело бы к снижению критического перенапряжения. [c.276]

Аналогичные особенности роста алмазных пленок из газовой фазы отмечены в работе . Здесь были получены либо полностью мелкокристаллические пленки с произвольной ориентацией отдельных зерен, либо хорошо текстурйрованные пленки с осью текстуры (ПО), перпендикулярной подложке, в качестве которой брали фань (111) природного кристалла алмаза. Однако при осаждении ионных пучков на поликристаллические подложки наблюдается в основном рост кристаллов алмаза с ориентацией (111). [c.40]

Проузен и др. [34] первыми получили количественные соотношения между свойствами магнитных пленок и шероховатостью поверхности. Они измеряли площадь поверхности адсорбцией монослоя С [35]. Дальнейшие исследования Кобэйла и Вила [37] показали зависимость магнитных свойств напыленных пермаллоевых пленок от шероховатости поверхности. В этих исследованиях для определения состояния поверхности были использованы электронная микроскопия и интерференционная контрастная микроскопия. Так как поликристаллические подложки состоят из кристаллитов с различной ориентацией, то распыляемые частицы удаляются под разными углами и это при падении может вызвать локальные напряже ния [38], Одноосная анизотропия в магнитных пленках может быть также вызвана эффектами затенения, связанными с выступающими кристаллитами. Подобные предположения справедливы также для электроосажденных пленок. В работе [39] сообщено о зависимости магнитострикции от ориентации кристаллитов. [c.515]

За исключением работ [59, 60], все остальные экспери.менты проводились на поликристаллических подложках. Между тем для получения достоверных результатов, очевидно, необходимы исследования только с монокр1истальными образцами. [c.222]

Рис. 10.2-16. ОЭС Анализ тонкопленочной структуры микроэлектронного устройства методом ОЭС и поперечного среза этой структуры методом ПЭМ. а—ПЭМ-фотография системы слоев до отжига, на которой видна последовательность слоев сверху вниз) приблизительно 20 слоев Та и 20 слоев 81 толщиной 5 нм каждый, полученные распылением, слой поликристаллического кремния 275 нм толщиной, слой 8102 толщиной около 50 нм, кремниевая подложка б — ПЭМ-фотография образца после отжига при 900° С, на которой видны образовавшиеся новые слои (сверху вниз) поликристаллический силицид тантала толщиной около 200 нм, слой поликристаллического кремния толщиной около 250 нм, слой 810г толщиной около 50 нм, кремниевая подложка в — количественное распределение по глубине, полученное методом ЭОС, кислорода, кремния и тантала, свидетельствующее о формировании слоя оксида кремния на поверхности стехиометрического Та812 [10.2-4].

Было установленно, что в плазме разряда наряду с рекомбинационными линиями атомарного и молекулярного водорода присутствуют линии, соответствующие СН и Сг. Интенсивность линий, соответсвующих Сг димерам существенно возрастает с увеличением концентрации метана. При концентрациях выще 15% наблюдается интенсивное желто-оранжевое свечение периферийных (более холодных) областей плазмы. Спектральные характеристики этого свечения соответствуют нагретому до высокой температуры материалу, что позволяет предположить конденсацию углерода непосредственно в газовой фазе. Наличие углеродных димеров в газовой фазе определяет механизм образования углеродных пленок на подложке. При высокой концентрации этих димеров происходит преимущественный рост графигоподобной фазы, а при низких концентрациях образуется алмазная поликристаллическая пленка. [c.99]

Подобным же образом были исследованы титаикислородные слои на кремнии, которые в зависимости от условий подготовки подложки и последующей обработки были либо стеклообразными, либо поликристаллическими и имели различную плотность. [c.209]

Метод порощка (метод Дебая — Шерера). Съемка рентгенограмм (дебаеграмм) ведется в камерах с использованием монохроматического рентгеновского излучения и поликристаллических образцов из тонкого порошка в виде цилиндрического столбика (диаметр обычно 0,5—0,8 мм, высота 5—6 мм), плоского щлифа или порошка, наклеенного на подложку. Регистрация рентгеновского излучения осуществляется на узкой полоске фотопленки, свернутой в цилиндр. Рентгеновские лучи отражаются от поликристаллического образца, кристаллы которого расположены хаотически. Причем некоторые из них ориентированы в направлении, удовлетворяющем уравнению Вульфа — Брегга. Рентгеновские лучи, отраженные от этих кристаллов, образуют в пространстве сплошные конические поверхности, в результате пересечения которых с узкой пленкой, свернутой в цилиндр, экспонируются линии, имеющие форму дуг. Для увеличения числа кристаллов, участвующих в отражении, и получения более четкой дифракционной картины образец во время съемки может подвергаться вращению. [c.78]

Пиролитический углерод - поликристаллический однофазный материал, обладающий высокой температурной и химической стойкостью Он практически непроницаем для газов и жидкостей, не окисляется на воздухе до температуры 400 °С. В инерУной среде пироуглерод сохра няет работоспособность до 2000 °С в течение длительного времени. Пи ролитический углерод - это целый класс материалов, полученных отло жением углерода из газовой фазы на основной материал (подложку) [c.215]

Полупроводниковые резисторы (датчики проникающих излуче ний) изготовляют на основе пленок из поликристаллических мате риалов — сульфида кадмия, селенида кадмия и др.— путем возгон ки в вакууме и осаждения полупроводниковой пленки на металли ческую подложку, которая является одним из выводов. Второй вы вод наносится поверх полупроводникового слоя также напылением в вакууме. Датчики проникающих излучений герметизируются эпо ксидной смолой (для приборов РГД-0 и РГД-1, регистрирующих рентгеновское и у-излучение) или путем помещения полупроводни ка в тонкий металлический корпус (приборы РГД-2 и ГД-Г1) В последнем случае обеспечивается надежная защита от светового и рентгеновского излучения и надежная регистрация у-излучения с квантами, имеющими большую энергию. [c.310]

Возникает вопрос в какой мере поверхность подложки, на которой находится поликристаллическая пленка, доступна для газообразного реактанта Если пленки напылять на горячую подложку или прогревать после напыления, щелей у них нет и, следовательно, подложка полностью недоступна для реактанта. В случае пленок, напыленных при 273 К, по данньш просвечивающей электронной микроскопии и результатам измерения шероховатости поверхности можно судить, что более 90% поверхности подлол ки находится в непосредственном контакте с металлом по крайней мере у основания межкристаллитных щелей подложка, наверное, покрыта тонким слоем металла. Поэтому такая подложка вряд ли доступна для реактанта. Этот вывод достаточно важен, так как позволяет решить, может ли в таких условиях подложка проявлять каталитическую активность. [c.145]

На слюде можно получить довольно совершенные монокристаллические эпитаксиальные пленки ряда металлов. Например, серебро, напыленное и отожженное при повышенных температурах, образует монокристаллические пленки с ориентацией [111]. Если пленки напылены при 570—670 и отожжены при 720— 920 К, образцы свободны от таких дефектов, как границы зерен и границы некогерентных двойников, хотя все-таки содержат по 10 —10 мм-2 дислокаций и по 40—300 мм дефектов упаковки и границ когерентных двойников [41]. В пленках, полученных при несколько более низких температурах, наблюдаются параллельные подложке двойниковые кристаллиты, некогерентные границы которых разрезают поверхность, образуя углубления и небольшие участки с ориентацией, отличающейся от идеальной [96]. Однако те переходные металлы, которые имеют наибольшее значение для катализа, в виде монокристаллических пленок на слюде не применяют, по-видимому, из-за ограниченной термостойкости стеклянной аппаратуры. Переходные металлы с г.ц.к. структурой, напыленные на слюду при 620—670 К в условиях высокого или сверхвысокого вакуума, образуют поликристалли-ческие пленки, в которых каждый кристаллит ориентирован осью < 111 > перпендикулярно поверхности подложки, но все кристаллиты разупорядочены в отношении поворота вокруг зтой оси [97]. Характерные данные электронно-микроскопического исследования поликристаллической пленки платины представлены [c.146]

В поликристаллических слоях темнопольпый метод позволяет наблюдать отдельные кристаллы. Стоянова [22] изучала тонкие слои сурьмы, нанесенные испарением на коллодиевую подложку при среднем содержании вещества 0,5 х,г см . На светлопольных микрофотографиях были видны частицы размером 150 A, на электронограмме были получены диффузные [c.214]

Состав и структура пленок на одном и том же металле, создаваемых присадками ЦИАТИМ-339 и ПМС39.40, не идентичны. Различаются также пленки, образуемые присадкой ПМС39.40 на стальных и медных пластинках. Так, на стали создается пленка поликристаллической структуры, в которой мелкие кристаллы расположены хаотично. В пленке на медной пластинке наблюдается преимущественная ориентация мелких кристаллов относительно подложки, на которой образовалась пленка. [c.667]

Генералова и ее сотрудники нашли, что перспективными материалами для дозиметрии являются соединения с арилэтиленовыми группировками — 1,2-диарилэтилены, 1,4-дистирилбензол и его метоксизамещенные. Образцы приготовленных ими дозиметров имели вид дисков из поликристаллических пленок, нанесенных вакуумной возгонкой на алюминиевую подложку. Преимуществом этих соединений как дозиметрических материалов является высокая радиационная стойкость, сравнительно большая термоустойчивость (до 120 °С), на них не влияет мощность дозы в пределах 1—10 Вт/кг. Диапазон доз, перекрываемый с помощью комбинации соединений этого ряда, находится в пределах 10—10 кДж/кг [12]. [c.302]

Кристаллы LigSijOg легко раскалываются по плоскостям совершенной спайности (010), и образцы, приготовленные седиментацией взвеси на пластинку КВг, отчетливо текстуриро-вапы полосы колебаний с электрическим вектором Е, нормальным плоскости (010), отсутствуют или ослаблены в спектре поглощения, но заметно усиливаются при наклоне плоскости подложки к оси пучка (рис. 2). Полный перечень частот максимумов поглощения в спектрах поликристаллических образцов дан в табл. 1. [c.116]

Поликристаллические слитки Си1п5е2 и AglnSe2 /г-тип подвергали резке на алмазном диске с внутренней режущей кромкой. На одну сторону кристаллов размерол 2-2-21 мм напыляли алюминий. При температуре подложки 50° ВАХ таких образцов, как видно из рис. I, 2, не отличались высокими коэффициентами выпрямления (/Свып = 6Д4) и обратными напряжениями ( / 011=10—14 в). Поэтому основное внимание было уделено механической и химической обработке поверхности. [c.329]

Подложкой служит монокристалл 51, который нагревают приблизительно до 1270°С. При более низких температурах вследствие малой поверхностной подвижности на подложке рост оказывается поликристаллическим. В типичных условиях, когда мольное соотношение 51Си — Нг равно 0,02, а скорость потока водорода составляет 1 л/мин, эпитаксиальные пленки [c.268]

Исследуемый образец помещался в установку на подложку из поликристаллической окиси алюминия. После достижения максимальной разряженности (Ю —10 мм рт. ст.), включался нагреватель и температура поднималась до величины, позволяющей проводить вакуумную очистку жидкой капли от окислов и легколетучих металлических примесей. При максимальной температуре образец выдерживался, как правило, в течение 2—3 часов, после чего проводились измерения а при охлаждении и нагревании. Образец фотографировался фотокамерой ФК 18X24 с объективом И-37. Коэффициент увеличения в экспериментах составлял величину 4,5378. Для получения плоскопараллельного пучка света использовались конденсор, смотровые окна были изготовлены из оптического кварца, осветитель представлял собою фотовспышку ФИЛ-11. Обмер снимка капли проводился на универсальном микроскопе УИМ-21 методом, предложенным в работах [27, 29] с использованием таблиц Башфорта и Адамса. Если исходить из суммарной ошибки измерения плотности и поверхностного натяжения, получаемой только из измерений снимка капли, то она не превышает 0,4% по и 0,6% по а. Однако из-за неучтенных погрешностей (нечеткость при обмере и др.) общая ошибка увеличивается до 1,5% при определении й и 2,5% —для сг. Косвенно этот вывод подтверждается сравнением данных по (1, определенных методом большой капли и, например, пикнометрически или методом проникающего излучения [5, 12, 13]. [c.35]

В качестве материала полупроводниковой пленки чаще всего используются поликристаллические пленки сульфида и селенида кадмия, применяются также поликристаллические пленки окиси цинка, антимонида индия, теллурида кадмия, окиси олова, окиси индия, сульфида свинца и теллура. В последнее время появились сообщения о создании триодов подобного типа на монокристаллических пленках кремния, выращенных на кристаллографической плоскости сапфира или на подложках из окиси алюминия, покрытых составом окислов. [c.70]

Несмотря на то, что процесс роста пленки ограничен процессом поверхностной реакции, соотношение частот столкновения атомов металла и молекул кислорода должно тщательно подбираться. Для полного окисления требуется некоторая минимальная частота столкновений молекул кислорода. При скоростях всаждения Та порядка 2 А минимальное давление кислорода при 700° С должно быть примерно 10- мм рт. ст., тогда как при 900° С, когда скорость реакции выше, требуется более низкое давление [222]. Предположение о том, что большие количества кислорода не являются вредными, поскольку избыточный кислород не остается на подложке, является верным только с точки зрения состава пленки. Структура пленки при этом ухудшается. В случае образования пленок TajOs на монокристаллической подложке эпитаксии не наблюдается, если давление кислорода приближается к 10 мм рт. ст. В случае роста пленок AlaOg при 400—500° С граница по давлению между областями роста моно-и поликристаллических пленок лежит при р = 10 5 мм рт. ст. [222]. [c.116]

Справочник химика 21

Химия и химическая технология