Общие сведения о полупроводниках

Общими для всех тугоплавких соединений являются высокая температура плавления и высокая твердость. Специфические же свойства отдельных классов соединений следующие силициды РЗЭ отличаются устойчивостью к окислению, сульфиды устойчивы в расплавленных металлах и солях, бориды отличаются малой работой выхода электронов и высокими токами электронной эмиссии, некоторые сульфиды и силициды являются полупроводниками [741]. Ниже приводятся сведения об отдельных классах тугоплавких соединений РЗЭ, скандия, иттрия и тория. [c.282]

Применение теории полупроводников в данной системе также показывает, что катализ подчиняется некоторым общим правилам. Более подробные сведения об этой теории приведены в разделе Электронные свойства катализаторов окисления . Окиси р-типа с электронной недостаточностью) наиболее активны и инициируют реакцию при самых низких температурах. Окиси п-типа активны [c.322]

Характерная особенность полупроводниковых катализаторов состоит в том, что их каталитическая активность симбатно связана с величиной их дырочной электропроводности. Это может быть объяснено тем, что механизмы этих процессов имеют общую основу. Поатому изучение механизма электропроводности указанных полупроводников дает непосредственные сведения о механизме самих каталитических процессов, совершающихся на их поверхности. [c.324]

Хорощо установленным фактом является то, что для получения фундаментальных сведений относительно связи между реакциями, протекающими на поверхности полупроводника, и его объемными свойствами необходимо проводить исследования с монокристаллическими образцами. Поэтому рассматриваемые ниже вопросы относятся в основном к монокристаллам полупроводников. Больщинство описываемых здесь методик разрабатывались применительно к германию. Однако некоторые общие приемы могут оказаться полезными и при работе с другими полупроводниками. [c.441]

Сведения о металлах получены несколько иным путем, чем сведения о полупроводниках и изоляторах, и в общем накапливались быстрее и последовательнее. [c.198]

В процессе физико-химических исследований было изучено много аспектов эффекта Фарадея [7—И]. Его открытие явилось важным доказательством электромагнитной природы света. С 1900 по 1920 г. основное внимание было направлено на изучение формы аномальной дисперсии MOB, так как различные приложения классической электронной теории приводили к разной частотной зависимости MOB. Вскоре после появления волновой механики анализ спектров высокого разрешения молекул простых газов был дополнен спектрами магнитного вращения (СМВ), в которых измерялась общая интенсивность света, пропущенного через скрещенные поляризаторы, между которыми помещен образец, находящийся внутри соленоида. В тот же период изучение температурной зависимости MOB кристаллических солей парамагнитных ионов при очень низких температурах позволило найти их магнитную восприимчивость, а из нее извлечь информацию о взаимодействии ионов с кристаллической решеткой [11]. Не так давно после успешных исследований естественной оптической активности и кругового дихроизма, в результате которых были получены ценные сведения о структуре ряда соединений [3—5], с целью получения той же информации вновь стали изучать MOB и МКД в полосах поглощения [12—33]. Значительный теоретический и практический интерес представляет также эффект Фарадея в ферритах [24], в полупроводниках [25, 26] и его применение для модуляции света [27—29]. [c.399]

Масс-спектрометр для твердой фазы, прибор Metropolitan-Vi kers MS-7, был разработан специально для анализа твердых тел. Ионы в этом приборе образуются в искровом ионном источнике, причем вероятности образования ионов приблизительно одинаковы для широкого ряда веществ. Регистрация масс-спектров на фотопластинке позволяет перекрыть диапазон масс от 5 до 250 и в одном эксперименте получить общие сведения о содержании npnMe eii, отличающихся по копцентрации в 10 раз. На таком масс-спектрометре проводили анализы ряда металлов и полупроводников. [c.159]

I. Общие сведения о полупроводниках. Полупроводники отличаются от других классов твердых тел целым рядом специфических особенностей, главнейшими из которых являются 1) положительный температурный коэффициент электропроводности 2) удельная проводимость полупроводников меньше металлов, но больше, чем у изоляторов 3) концентрация носителей тока у чистых полупроводников гораздо меньше, чем у металлов, и она исключителБно сильно зависит от температуры 4) большие значения термо-э.д.с. по сравнению с металлами 5) высокая чувствительность к свету и ионизирующим излучениям 6) способность резко изменять свойства под влиянием ничтожных концентраций примесей 7) эффект выпрямления тока или в общем случае неомическое поведение на контактах. [c.9]

Книга является первым томом двухтомной монографии, суммирующей основные особенности химии всех химических элементов. Она охватывает вводные разделы и сведения по УИ, VI, V, IV группам периодической системы, а также инертным газам (включая их основные соединения). Из общих вопросов химии, не вошедших в вводные разделы (1- У1), рассмотрены окислительно-восстановительные реакций, адсорбция, катализ, комплексообраэование, коллоиды. В большей или меньшей степени затронуты и многие вопросы, смежные с другими науками (реактивное топливо, полупроводники и т. п.). Особое внимание уделено энергетическим уроАням атомов и пространственному строению молекул. [c.2]

Поэтому был разработан общий метод для расчета энергий и собственных функций электронов при хемосорбции молекулы на поверхности кристалла, основывающийся на простом методе молекулярных орбит. Применимость этого метода определяется тем, насколько справедливо предположение о сведении многоэлектронной задачи к одио-электронной с заранее заданной зависимостью потенциала ьг координат электрона. Этот критерий применимости ограничивает изучаемые адсорбенты ионными кристаллами и полупроводниками. Поэтому качественными результатами при хемосорбции на металлах можно пользоваться только с крайней осторожностью. Принцип метода аналогичен. методу Лифшица и Костера — Слетера, применявшемуся к рассмотрению дефектов кристалла. Пользуясь методом молекулярных орбит, получаем вариационным способом обычно рекурентные уравнения для коэффициентов разложения по атомным функциям з линейном приближении. Эти уравнения можно перевести в такие, в которых отдельные коэффициенты разложения выражены функциями, похожими на функции Грина. В этих выражениях содержатся только коэффициенты разложения по функции Ванье, принадлежащие ячейкам кристалла, на которые распространяется потенциал воз.мущения, создаваемый хемосорбированной молекулой. Эта теория, являющаяся обобщением теории Волькенштейна, признает, что [c.34]

При получении металлов и полупроводников по реакции термического разложения гидридов примеси в виде микрочастиц вносят существенный вклад в общее загрязнение гидридобразующих элементов. Для разработки методов глубокой очистки гидридов большой интерес представляют сведения о размерах, составе и концентрации взвешенных частиц. Нами были исследованы силан, полученный по реакции диспропорционирования триэтоксисила-на, герман и стибин, образующиеся при восстановлении соотве " [c.161]

Физические и химические свойства металлов. Электронное строение металлов, изоляторов и полупроводников. Металлы обладают рядом общих свойств, к общим физическим свойствам ме талловвотносятся их высокая электропроводность, высокая тепло- проводБость, пластичность, т. е. способность подвергаться деформации при обычных и при повышенных температурах, не разрушаясь. Пластичность металлов имеет очень большое практическое значение. Благодаря этому свойству металлы поддаются ковке, прокатке, вытягиванию в проволоку (волочению), штамповке. Металлам присущи также металлический блеск, обусловленный их способностью хорошо отражать свет, и непрозрачность , В табл. 29 приведены значения удельного электрического сопротивления и теплопроводности некоторых металлов. Для сравнения в ней даны сведения для двух неметаллов. [c.530]

Справочник химика 21

Химия и химическая технология