Ионные вероятность образования

Следует отметить, что ионизированные осколки могут образовываться при разрыве как углерод-водородной, так и углерод-углеродной связи. Относительные количества каждого из осколков зависят от относительной вероятности образования иона и разрыва связи. Фактически существующие относительные количества всех ионов, образующихся в результате бомбардировки этана электронами, можно видеть из рассмотрения масс-спектра этана, приведенного в табл. 1 [c.337]

Для масс-спектров полициклических ароматических углеводородов типичны многозарядные молекулярные ионы, вероятность образования которых возрастает от 2,1 до 9,2% при переходе от бензола к хризену (кривая 3, рис. 19). Характерными являются также процессы отщепления водорода. Влияние числа колец на вероятность образования ионов (М—1)+ и (М—2) иллюстрируется графиком, приведенным на рис. 20. [c.55]

Наконец, формула (1.1) дает возможное распределение кинетических энергий осколочных ионов вероятность образования их с кинетической энергией Е определяется по формулам (1.1) и (1.2), в которых /Рд д следует заменить на /Р д -)- М] М — т) [c.7]

Здесь доминирующим процессом является образование катион-радикалов, которые обычно обозначаются как молекулярные ионы. Вероятность образования отрицательных ионов в условиях ионизации электронным ударом примерно в 1000 раз меньше. [c.281]

Для большинства экзотермических реакций константа скорости к уменьшается с увеличением кинетической энергии Е реагирующего иона, т. е. dk/i1E отрицательна. Знак dk/dE можно определить из эксперимента ИЦР, поскольку увеличение или уменьшение интенсивности иона-продукта при облучении реагирующего иона указывает соответственно на положительный или отрицательный знак dk/dE. Если интенсивность пе изменяется, то облучаемый ион, вероятнее всего не участвует в образовании продукта. Альтернативной, но маловероятной возможностью является равенство dk/dE нулю . Экзотермическая реакция должна протекать в отсутствие облучения, но в случае эндотермической реакции это не так. [c.330]

Во всех случаях Ат достаточно велика, что указывает на сильное смещение равновесия вправо. Ясна также значительно большая вероятность образования вторичных карбониевых ионов по сравнению с первичными и еще большая — третичных. [c.91]

Разрушение пассивности ионами С1 чаще происходит локально, на тех участках поверхности, где структура или толщина пассивной пленки изменены. Образуются мельчайшие анодные участки активного металла, окруженные большими катодными площадями пассивного металла. Разность потенциалов между подобными участками 0,5 В или более, и эти элементы называют активно-пассивными элементами. Высокие плотности тока на аноде обусловливают высокую скорость разрушения металла, что создает катодную защиту областей металла, непосредственно окружающих анод. Фиксирование анода на определенных участках приводит к образованию питтингов. Чем больше ток и катодная защита около питтинга, тем меньше вероятность образования другого питтинга по соседству. Поэтому плотность расположения глубоких питтингов обычно меньше, чем мелких. Исходя из вероятности образования активно-пассивного элемента очевидно, [c.84]

Подобным же образом влияют эти эффекты и на образование пересыщенных растворов и переохлажденных жидкостей. Внесение затравки новой фазы или введение других частиц, которые могут служить центрами ее образования, всегда вызывает самопроизвольно протекающий переход в устойчивую форму (например, засахаривание сиропов и варенья). Самопроизвольное образование центров кристаллизации (и вообще центров выделения новой фазы) определяется вероятностью образования соответствующих сочетаний молекул или ионов и связано с явлениями флюктуации. (Кинетику этих процессов мы рассмотрим в 202). Работы 3. Я- Берестневой и В. А. Каргина показали, что и при образовании кристаллической фазы из раствора зародыши ее часто возникают первоначально в виде аморфных частиц, которые с большей или меньшей скоростью переходят в кристаллическое состояние. [c.361]

На рис. 31, согласно полученным данным, показана зависимость вероятности образования ионов НС1 от температуры дпя асфальтенов до и после обработки щелочью. [c.120]

Для нативных асфальтенов (кривая 1) элиминирование иона НСГ начинается при 200-300 <>С (в гл оком вакууме). Образование иона НСГ с массой 36 для асфальтенов, обработанных щелочью (кривая 2), начинается только при 300 °С. При 300 °С вероятность образования иона НСГ очень близка для обоих образцов, т. е. вероятно происходит деструкция близких по строению соединений. Учитывая, что вещества, кипящие при 225 °С в глубоком вакууме, выкипают при атмосферном давлении при температуре около 500 °С, можно сделать заключение, что [c.120]

Рис. 31. Зависимость вероятности образования ионов на от температуры

Масс-спектр представляет собой совокупность относительных вероятностей образования различных ионов при определенных условиях, из которых основными являются энергия ионизирующих электронов и температура газа. [c.14]

Из формулы следует, что изменения концентрации, обусловленные температурой, не влияют ни на относительную вероятность образования ионов, ни на полную интенсивность ионного тока, отнесенную к единице количества вещества. [c.19]

В случае сложных молекул, таких как углеводороды, влияние температуры на константы скоростей реакций разложения молекулярного иона схематически иллюстрируется кривыми, приведенными иа рис. 6. Вероятность образования молекулярного иона может только уменьшаться, поскольку повышение температуры увеличивает константу скорости ре- [c.20]

Интенсивность пиков ионов, связанных с разрывом р-связи, зависит в значительной степени ог структуры алкильного радикала и может быть в некоторых случаях оценена количественно. Результаты расчетов, представленные па графике (рис. 18), показывают, что вероятность образования ионов (С4Н< )+ с массой 57 возрастает примерно в 6 раз при переходе от нормального к третичному бутильному радикалу. Если бутильный радикал находится в а-положении, то интенсивность пика ионов с массой 57 резко уменьшается. Однако, как и в случае разрыва р-связи, наибольшей интенсивностью [c.57]

Вероятность образования ионов М—31) и М—33) [c.82]

Рис. 27. Влияние положения гидроксила на вероятность образования ионов [Н,СНОН]+ при диссоциации вторичных спиртов

По мере перемещения гидроксильной группы в глубь молекулы вторичных спиртов увеличивается вероятность образования углеводородных ионов. В спектрах гептанола-4, окта-нола-4 и нонанола-4 весьма интенсивны пики ионов олефино-вого типа, появление которых, вероятно, можно объяснить следующей схемой [c.89]

Вероятность образования кислородсодержащих ионов в масс-спектрах некоторых третичных спиртов [c.90]

Вероятность образования ионов [СпН п-хУ "РИ диссоциативной ионизации первичных нафтеновых спиртов [c.92]

Диссоциативная ионизация триэтилсилильного производного отличается от диссоциации соответствующего триметил-силилпроизводного. Разрыв р-связн по отношению к двойной приводит к возникновению ряда ионов, вероятность образования которых увеличивается, благодаря возможности стабилизации нейтральной частицы в виде молекулы этилена. [c.106]

Для масс-спектров полициклических ароматических углеводородов типичны многозарядные молекулярные ионы, вероятность образования которых возрастает от 2,1 до 9,2% при переходе от бензола к хризену. Характерны также процессы отщепления водорода. Исследование теплот образования ионов (М — 2) в масс-спектрах бензола, нафталина, азулена, фенантрена и дифёнила свидетельствует о том, что в этом процессе в виде нейтральной частицы отщепляется молекула водорода (табл. 9). [c.84]

Обраш,ает на себя внимание тот факт, что в случае несвязанных состояний температурные зависимости могут качественно различаться. Расчеты однако показывают, что эта зависимость выражена очень слабо для всех ионов, вероятность образования которых Рис. 1.2. Вероятность пребы- [c.9]

НИЯ избыточные электроны неравномерно распределены около своего положительного заряда. Образовавшиеся в результате действия излучения электроны имеют различную энергию и термали-зуются на различном расстоянии от своего положительного иона. Вероятность образования электрона с данной энергией тем ниже, чем выше его энергия. Зависимость числа электронов от расстояния от места образования получила название функции распределения F r). Она неизвестна, но есть ряд работ, в которых делалась попытка найти функцию распределения по влиянию на Gfi электрического поля Gfi возрастает с увеличением приложенного поля), температуры (Gfi увеличивается с ростом температуры), по влиянию акцепторов на регистрируемый выход зарядов. Однако эти подходы не позволяют однозначно решить задачу о F(r). Наиболее близким к решению является подход, основанный на расчете спектров деградации электронов с учетом скоростей термализации [ 14], Найденная в [13] зависимость для двух скоростей термализации показана на рис. 2.12. [c.82]

Адсорбция индивидуальных углеводородов (н-бутана, изобутана, к-гептана и н-октана) на кислотных участках алюмосиликатного катализатора была изучена Эмметтом с сотрудниками [292, 293]. При низких температурах наблюдалась значительная адсорбция, но нри температурах начала крекинга адсорбировались очень малые количества парафинов. По-видимому, не требуется, чтобы количество углеводородов, адсорбируемое катализатором в течение времени, которое необходимо для крекинга, было очень большим. Определяющей скорость стадией является, вероятно, образование карбоний-иона. [c.340]

Полученный вывод ьытекает из природы явления диссоциации. Как всякое химическое равновесие, равновесие в растворе слабого электролита является динамическим, т. е. при его установлении протекают с равными скоростями два процесса процесс диссоциз ции и обратный ему процесс образования молекул из ионов. При этом разбавление раствора не препятствует первому из этих процессов — диссоциации. Однако процесс образования молекул из ионов в результате разбавления затрудняется для образования молекулы должно произойти столкновение ионов, вероятность которого с разбавлением уменьшается. [c.239]

Интерпретация масс-спектра представляет собой отнесение каждого основного пика в спектре к определенному фрагменту. Интенсивный пик соответствует высокой вероятности образования иона в процессе фрагментации. В отсутствие перегруппировки [уравнение (16.14)] расположение атомов в молекуле часто может быть установлено на основании масс образующихся фрагментов. Например, интенсивный пик при иг/е 30 в спектре метилгидроксиламина говорит в пользу структуры H3NHOH по сравнению со структурой HjNO Hj, поскольку этот пик может возникнуть только при разрыве связи О — N в первом соединении, но не может быть результатом какого-либо простого механизма [c.320]

Существенное отличие ионизации молекул от ионизации атомов ударом электрона состоит в том, что, наряду с образованием однозарядных или многозарядных молекулярных ионов, при ионизации молекул возможно расщепление их на те или иные осколки. Большой экспериментальный материал но масс-спектрометрии представляет особый интерес для радиационной химии, так как масс-снот.тр отралгяет вероятности образования различных ос- [c.185]

При реакциях srop-бутилсульфатов сравнительно немнохъ легкой фракции и диметилгексанов образуется из-за высокого соотношения изобутана и н-бутиленов в реакционной зоне. Последнее наблюдается потому, что при низких температурах разложения бутилсульфата скорость образования бутена-2 относительно мала. Кроме того, вследствие высокого соотношения изобутана и бутена-2 карбкатионы С12+ и выше образуются лишь в небольших количествах эти тяжелые ионы, вероятно, дают к к легкую фракцию, так и диметилгексаны. [c.110]

К сожалению, заранее не представляется возможным предсказать изменения вероятности образования ионов в зависимости от температуры. Экспериментальное исследование этих зависимостей для углеводородов было проведено Эрхардом и Осбергаузом. Они показали, что при повышении температуры ионизационной камеры от 100 до 900° С во всех случаях уменьшается выход молекулярных ионов. Выход осколочных ионов при этом увеличивается и проходит через максимум тем раньше, чем крупнее осколочный ион. Объяснение этих результатов базировалось на принципе Франка — Кондона и предположении ступенчатого распада возбужденного молекулярного иона простые осколочные ионы образуются на второй ступени распада и вероятность их появления определяется степенью колебательного возбуждения первичного осколочного иона или в конечном счете температурой. Изменения в масс-спектрах, вызванные колебаниями температуры ионизационной камеры в диапазоне от —150 до -f200° , рассмотрены в работе Кассуто [34]. [c.21]

Для масс-спектров спиртов, молекулы которых содержат 5—10 атомов углерода, наиболее характерными являются углеводородные ионы. Один из возможных путей их образования — удаление из молекулярного нона гидроксильной группы и одного атома водорода (или молекулы воды). Так, интенсивность пика ионов (М—18)+в масс-спектрах пентанола-1 и З-метилбутанола-1 достигает 12,3 и 11,1% от полного ионного тока, соответственно. Можно предположить, что в эту реакцию вовлекается подвижный атом водорода, связанный с углеродным атомом, который находится в -положении по отношению к гидроксилу. При отсутствии указанного атома водорода вероятность образования ионов (М—18)+ уменьшается в спектре 2, 2-диметилпропанола-1 количество ионов (М—18)+ составляет только 0,02% от полного ионного тока. По мере увеличения молекулярного веса спиртов интенсивность пиков ионов (М—18)+ в спектрах резко падает для гексанола-1 величина пика ионов (М—18)+ становится равной 2,38%, а для ундеканола-1 она составляет всего сотые доли процента от полного ионного тока. [c.81]

Рис. 24. Влияние структуры углеводородного радикала в спиртах СаНпОН на вероятность образования ионов (М—31) .

Для спиртов с гидроксильной группой у четвертого углеродного атома характерен распад с образованием ионов (СзН7СНОН)+ с массой 73. Однако вероятность этого процесса несколько меньше, чем вероятность образования ионов [c.88]

Справочник химика 21

Химия и химическая технология