Растворы пересыщенные

Процесс кристаллизации в существенной степени зависит от двух факторов от скорости кристаллизации и от числа зародышей кристаллизации, причем оба фактора сложным образом зависят от температуры при переохлаждении (т. е. от пересыщения). В сильно пересыщенных растворах число зародышей кристаллизации велико, вследствие чего происходит образование множества мелких кристаллов. В тех случаях, когда раствор пересыщен лишь в незначительной степени, процесс определяется скоростью кристаллизации. В этих условиях образуется лишь незначительное число кристаллов, которые зато отличаются крупными размерами. Мнение, что особенно красиво образованные кристаллы отличаются и высокой степенью чистоты, неверно, так как их загрязнение может быть обусловлено включениями маточного раствора. На чистоту кристалла также оказывают влияние образование смешанных кристаллов, адсорбция примесей на гранях и ребрах и на границах зерен. Вкратце остановимся на получении более крупных кристаллов, имеющем важное значение для кристаллографии. [c.133]

Дайте определения понятиям насыщенный раствор , ненасыщенный раствор , пересыщенный раствор . [c.64]

В результате просчета девяти вариантов было получено следующее степень смешения для аппарата данного типа емкостью 12 дм порядка 115 (отнощение массовых расходов маточного раствора к исходному) объемная концентрация твердой фазы в аппарате в пределах 0,15—0,3 (в зависимости от режима работы аппарата, от задания параметров исходного раствора) пересыщение раствора [c.190]

Для подавляющего большинства твердых тел растворимость в воде увеличивается с повышением температуры. Если раствор, насыщенный при нагревании, осторожно охладить до комнатной температуры так, чтобы не выделялись кристаллы соли, то образуется пересыщенный раствор. Таким образом, пересыщенным называется раствор, в котором при данной температуре содержится большее количество растворенного вещества, чем в насыщенном растворе. Пересыщенный раствор нестабилен, и при изменении условий (например, энергичное встряхивание или внесение кристаллика соли — затравки для кристаллизации) образуется насыщенный раствор и кристаллы соли, содержащейся в избытке. [c.64]

В растворах пересыщение, необходимое для получения зародышей, достигается обычно либо путем химической реакции с образованием продуктов, трудно растворимых в данном растворителе, либо добавлением к раствору вещества другого компонента, который уменьшает растворимость этого вещества. Например, спиртовой раствор канифоли превращается в коллоидную дисперсию при добавлении к нему воды. [c.9]

Этот раствор пересыщен по отношению к тому веществу, которое вызывает кристаллизацию. Если внести в пересыщенный раствор кристалл изоморфного вещества или именно того вещества, по отношению к которому раствор пересыщен, то излишек растворенного вещества выделяется в форме кристаллов, и раствор из пересыщенного становится насыщенным. Кристаллизация начинается в том месте, в котором находится внесенный кристалл, именно — на гранях внесенного кристалла ( затравка ). [c.144]

Па > K t Ап —раствор пересыщен, из него осаждается твердая фаза. [c.111]

Возможность увеличения содержания алюминия в растворе путем повышения концентрации шелочи ограничена тем, что с повышением концентрации щелочи уменьшается растворимость в ней алюмината натрия и он начинает кристаллизоваться из раствора. Поэтому, начиная с определенной концентрации щелочи (на диаграмме это — 23%, точка Я), из раствора высаливается твердый алюминат натрия, и концентрация алюминия в растворе быстро снижается. Этот процесс описывается линией HF. Таким образом, область III соответствует растворам, пересыщенным по алюминату натрия. Потери алюмината натрия нежелательны, поэтому концентрацию щелочи обычно не увеличивают. [c.456]

Раствор пересыщенный — раствор, содержащий при данных условиях больше растворенного вещества, чем в насыщенном растворе, избыток вещества легко выпадает в осадок. Обычно Р. п. получают охлаждением раствора, насьпценного при более высокой температуре. [c.111]

Полученную величину сопоставляют с табличным значением ПР = 5 lO i. Видно, что рассчитанное произведение концентраций превышает табличное значение т.е. раствор пересыщен и осадок должен выпадать. [c.25]

Скорость роста кристаллов. Величина и структура частиц осадка зависят не только от скорости их образования, но также от скорости роста кристаллов. Каждый зародыш окружен адгезионным слоем насыщенного раствора. В момент образования первого зародыша раствор пересыщен. Скорость роста зародыша пропорциональна скорости переноса из пересыщенного раствора в насыщенный адгезионный слой. Изменения концентраций пересыщенного раствора в единицу времени dUjdt определяют из уравнения Нойеса — Нернста [c.201]

При малой поверхности шихты поступление вещества в раствор замедленно, что приводит к снижению концентрации раствора, пересыщения и соответственно скорости роста по мере увеличения кристалла. Если используется шихта без контейнера, ее уровень должен быть на 5—15 мм ниже границы между термостатами. Объем шихты должен быть в 2—3 раза больше ожидаемого размера кристалла [c.107]

При описанном пассивном термостатировании сравнительно большие плавные колебания температуры менее опасны, чем меньшие, но быстрые. Дело в том, что система растворяющееся вещество — раствор — кристалл в известной степени автоматически регулируется. При повышении температуры скорость растворения растет, повышается концентрация раствора (при росте растворимости с температурой). Но поскольку повышение температуры затрагивает и раствор, окружающий кристалл, то, несмотря на повышение концентрации раствора, пересыщение остается примерно на том же уровне и скорость роста существенно не изменяется. Общее снижение температуры действует аналогично. Однако, если кристаллы чувствительны к изменению пересыщения, то прибегают к активному термостатированию, и тогда этот метод становится пригодным, более того, почти незаменимым для выращивания кристаллов веществ, требующих малых пересыщений. Для массового получения кристаллов удобнее иметь один термостат/ сразу для нескольких кристаллизаторов. [c.112]

Если произведение концентраций ионов реагирующих веществ, находящихся в растворе, меньше произведения растворимости малорастворимого электролита — продукта их реакции ([М +[" [Ап" "< ПР Ап.). раствор ненасыщен, выпадения осадка не происходит. При [М " [Ап " [ "> > ПРм Ап, раствор пересыщен, происходит выпадение осадка. [c.51]

В промышленных масштабах га-ксилол, как уже указывалось, выделяют простой кристаллизацией. п-Ксилол кристаллизуется в виде гексагональных призм. При получении из раствора кристаллов следует различать две стадии юбразование и рост кристаллов. Образование кристалла и его последующий рост имеют общую движущую силу — пересыщение раствора. Пересыщение раствора достигается охлаждением его до температуры ниже температуры начала кристаллизации. В промышленных кристаллизаторах непрерывного действия кристаллы образуются и растут одновременно. Относительные скорости образования и роста кристаллов определяют распределение получаемых кристаллов по размерам. Данные об этих скоростях, пригодные для расчетов оборудования при получении п-ксилола, отсутствуют, однако изучение работы промышленных кристаллизаторов позволяет сделать некоторые выводы. [c.100]

Это означает, что если произведение концентрации ионов н растворе больше произведения растворимости, процесс рагтно рения малорастворимого электролита термодинамически не но.чможен. раствор пересыщен и протекает противоположны процесс - кристаллизация [c.252]

Совершенно чистые жидкости легко образуют с газами пересыщенные растворы. Пересыщенные pa i воры неустойчивы. Пересыщение устраняется введением в раствор твердых частиц, пузырьков газа, ссирикосновением с шероховатой повер хностью или нагреванием раствора. Так, при введении древесного угля или пемзы в воду последняя сильно вспенивается. [c.139]

Штрихами обозначена стадия промывки. Ломаная линия ОА — трзхстадийная промывЕ<а без достижения насыщения по растворяющемуся компоненту осадка. Ломаная линия ОВ — промывка с образованием на третьей ступени промывного раствора, пересыщенного растворяющимся компонентом. [c.266]

Во многих случаях легко образуются пересыщенные растворы. Вант-Гофф в 1907 г. показал, что чем больше заряды ионов электролита, тем легче образуется пересыщенный раствор. Пересыщенный раствор, например, легко образует магний-аммоний-фосфат NH, MgPO,i, поэтому для его практически полного выделения из раствора требуется [c.293]

Снижение пересыщения вследствие выделения новой фазы компенсируется растворением новьи. порций полугидрата, так что кристаллы двуводного гипса образуются и растут в условиях поддерживающегося пересыщения раствора. Пересыщение и продолжительность его существования зависят от соотношения скорости поступления вещества в раствор за счет растворения полуводного гипса и скорости увода вещества из раствора вследствие кристаллизации двуводного гипса. Нгшичие в растворе достаточно высокого пересыщения обусловливает возникновение зародышей кристаллизационных контактов между кристалликами двуводного гипса в местах их соприкосновения. [c.383]

В качестве примера может служить послеосаждение оксалата магния при осаждении оксалата кальция. Если в растворе присутствуют только ионы магния, осадок может и не образоваться, хотя раствор пересыщен. Однако после осаждения оксалата кальция на поверхности этого осадка постепенно осаждается оксалат магния. [c.127]

Послеосаждением называют постепенное осаждение какой-то примеси на поверхности первоначального осадка. Если при соосаждении основной компонент и примесь переходят в твердую фазу вместе, тогда при послеосаждении сначала выпадает осадок основного компонента, а потом осаждается примесь. Выпадение осадка основного компонента вызывает осаждение примеси, образующей в данных условиях довольно устойчивый пересыщенный раствор. В качестве примера может служить послеосаждение оксалата магния при осаждении оксалата кальция. Если в растворе присутствуют только ионы магния, осадок может и не образоваться, хотя раствор пересыщен. Однако после осаждения оксалата кальция на поверхности этого осадка постепенно осаждается оксалат магния. [c.130]

Нагревать сталь необходимо на очень высокую температуру (1150— 1200° С), чтобы перевести избыточные фазы (карбиды и иитерметаллиды типа №зТ1 и др.) в твердый раствор. Быстрое охлаждение фиксирует пересыщенный твердый раствор. Пересыщение твердого раствора легирующими элементами приводит к значительному искажению кристаллической решетки, росту напряжений и дроблению блоков, что увеличивает сопротивление пластической деформации. Во время старения происходит выделение избыточных фаз из твердого раствора. При правильно выбранном режиме старения твердость и лчаро-ирочность сплава повышаются. [c.78]

Образование кристалла и последующий рост его имеют общую движущую силу — пересыщенность раствора. Пересыщение раствора достигается охлаждением его до некоторой температуры, пиже начальной точки кристаллизации. Требуемая степень пересыщения раствора изменяется в зависимости от системы. Она может быть настолько незначительной, что не поддается измерению в других же случаях она весьма значительна. [c.69]

При этом большинство легируюш,их добавок переходит в твердый раствор г. ц. к., как это видно на рис. 85. В результате быстрого охлаждения до комнатной температуры может быть получен твердый раствор, пересыщенный вакансиями, медью и другими легирующими добавками. Во время старения ири температурах от комнатной до температуры, соответствующей линии предельного растворения (см. рис. 85), пересыщенной твердый раствор распадается. В определенных условиях это может приводить к значительному упрочнению сплава. Распределение медн в сплаве оказывает также определяющее влияние на сопротивление межкристаллитной коррозии и КР- Термодинамически устойчивый конечный продукт распада пересыщенного твердого раствора А1 — Си представляет собой двухфазную структуру, состоящую из насыщенного твердого раствора а (г. ц. к.) и равновесной фазы 9, имеющей тетрагональную кристаллическую решетку и близкой по составу соединению СиАЬ. Из-за различия кристаллических решеток равновесная фаза 0 некогерентна с твердым раствором г. ц. к. Высокая межфазная энергия поверхности раздела фаз (>1000 эрг/см ) [119] приводит к высокой энергии активации для зарождения фазы 0. Поэтому образованию равновесной фазы может предшествовать ряд превращений метастабильных фаз, энергия активации которых при зарождении ниже. Последовательность образования выделений достаточно полно была изучена и может быть представлена в виде следующего ряда [97, 119, 120] [c.235]

Выше указывалось, что сернокислотные сточные воды при нейтрализации известью легко образуют растворы, пересыщенные сульфатом кальция. Пересыщение существенно уменьшается, а в ряде случаев и практически полностью устраняется в смесителях с высокой интенсивностью перемешивания жидкости турбинной мешалкой. Шлам свежевыпавшего гипса при этом рециркулируется в аппарате так, чтобы концентрация кристаллов Са504Х Х2Н2О была не ниже 30—50 г/л [48]. [c.16]

Осаждение вещества (кристаллизация) связано с появлением новой, твердой фазы нри нересыщепии раствора. Пересыщение раствора может быть вызвано образованием в результате химической реакции нового вещества с малым значением произведения растворимости, а также в результате введения одноименного иона или добавления вещества, связывающего воду и тем самым уменьшающего ее активность. [c.103]

Взаимосвязи между основными параметрами при выращивании кристаллов по этому методу достаточно просты (рис. 3-1,6). Произведение температурного коэффициента растворимости на величину переохлаждения дает пересыщение раствора. Пересыщение раствора в совокупности с объемом раствора создают общую массу избыточного вещества в растворе. Пересыщение в совокупности с температурой определяют скорость роста и сответственно качество кристалла. Качество кристалла, как уже упоминалось в предыдущей главе, влияет в свою очередь на скорость роста. По мере роста кристалла в зависимости от его скорости уменьшается избыточная масса вещества в растворе, т. е. соответственно и пересыщение, и переохлаждение. Основная трудность технического порядка при использовании этого метода — это контроль за изменением пересыщения в процессе роста кристалла, что порождает затруднения в выборе необходимой скорости снижения температуры с целью поддержания пересыщения на необходимом уровне. Обычно идут по пути экспериментального подбора оптимальных скоростей снижения / для разных периодов роста. [c.76]

Неточность в табличных данных по растворимости, ошибки при взвешивании и отмеривании растворителя и растворяемого вещества, потери растворителя при приготовлении раствора и фильтрации — все это приводит к тому, что к моменту заливки раствора в кристаллизатор температура его насыщения может существенно отличаться от ожидаемой. Если раствор сильно недосы-щен, то затравка в нем будет быстро растворяться, а большая тепловая инерция термостата и кристаллизатора не позволит быстро установить нужную температуру и предотвратить потерю затравки. Если в кристаллизаторе раствор пересыщен, то приоткрывание крышки кристаллизатора, не говоря уже о введении в него затравки, ведет к запаразичиванию раствора и к срыву опыта. [c.76]

Общая химия (1984) -- [ c.246 ]

Физическая и коллоидная химия (1988) -- [ c.166 ]

Аналитическая химия (1973) -- [ c.71 , c.293 ]

Общая химия в формулах, определениях, схемах (1996) -- [ c.118 , c.128 ]

Общая химия (1979) -- [ c.202 ]

Общая химия в формулах, определениях, схемах (0) -- [ c.118 , c.128 ]

Общая химия в формулах, определениях, схемах (1985) -- [ c.118 , c.128 ]

Общая химия в формулах, определениях, схемах (0) -- [ c.118 , c.128 ]

Физическая химия поверхностей (1979) -- [ c.304 ]

Современная аналитическая химия (1977) -- [ c.376 ]

Учебник физической химии (1952) -- [ c.214 ]

Основные процессы и аппараты Изд10 (2004) -- [ c.633 ]

Общая химия и неорганическая химия издание 5 (1952) -- [ c.78 ]

Курс аналитической химии Книга 1 1964 (1964) -- [ c.72 ]

Неорганическая химия (1950) -- [ c.63 ]

Аналитическая химия (1965) -- [ c.74 , c.89 ]

Качественный анализ (1951) -- [ c.127 ]

Качественный анализ 1960 (1960) -- [ c.127 ]

Курс качественного химического полумикроанализа 1962 (1962) -- [ c.149 ]

Курс качественного химического полумикроанализа 1973 (1973) -- [ c.59 ]

Общая химия 1986 (1986) -- [ c.215 ]

Основы аналитической химии Книга 1 (1961) -- [ c.29 ]

Учебник общей химии 1963 (0) -- [ c.118 ]

Неорганическая химия (1950) -- [ c.60 ]

Общая химия Издание 4 (1965) -- [ c.108 ]

Лекционные опыты по общей химии (1950) -- [ c.55 ]

Лекционные опыты и демонстрации по общей и неорганической химии (1976) -- [ c.263 , c.279 ]

Курс аналитической химии Издание 3 (1969) -- [ c.86 ]

Курс аналитической химии Издание 5 (1981) -- [ c.72 ]

Аналитическая химия (1980) -- [ c.44 , c.103 ]

Курс аналитической химии (1964) -- [ c.83 ]

Лабораторные работы по неорганической химии (1948) -- [ c.69 , c.126 ]

Теоретические основы общей химии (1978) -- [ c.228 ]

Учебник физической химии (0) -- [ c.224 ]

Курс аналитической химии Издание 2 (1968) -- [ c.90 ]

Курс аналитической химии Издание 4 (1977) -- [ c.46 ]

Основные процессы и аппараты химической технологии Издание 8 (1971) -- [ c.671 , c.672 ]

Качественный химический полумикроанализ (1949) -- [ c.46 , c.68 , c.81 ]

Количественный анализ Издание 5 (1955) -- [ c.115 ]

Практикум по общей химии Издание 2 1954 (1954) -- [ c.88 ]

Физическая химия (1967) -- [ c.270 ]

Справочник химика 21

Химия и химическая технология