Длина экранирования

Физическая природа такой немонотонности связана с осо- бенностью поведения поверхностных электрических диполей в среде с двумя механизмами экранирования, которая заключается в том, что вклад диполей в электрическое поле не зависит от характерной длины экранирования (в отличие от вклада зарядов). Следовательно, для различных механизмов экранирования эффективный поверхностный заряд одной и той же поверхности будет различен. [c.160]

Повышение концентрации электролита до значений, отвечающих дебаевской длине экранирования х 1 нм, слабо влияет на величины ко и Ро. [c.162]

Систему двух фосфолипидных бислоев, находящихся в водном электролите, в общем случае можно представить следующим образом (рис. 9.5) В точках 2 = 0 и г = к находятся границы раздела липид/электролит, в точках г = Ь и г = к—Ь находятся плоскости, равномерно покрытые электрическими зарядами с поверхностной плотностью а и электрическими диполями с поверхностной плотностью нормальной составляющей р,. В полупространствах 2<0 и г>Ь находится диэлектрик (электрическое поле в котором отсутствует) в слое 0<г<к находится водный электролит с дебаевской длиной экранирования Распределение электрического потенциала в электролите определяется уравнением [c.163]

Для поверхностей с большим радиусом кривизны по сравнению с дебаевской длиной экранирования уравнение (1.22) переходит в уравнение (1.20), т. е. сферический слой локально можно рассматривать как плоский. [c.17]

На конечном расстоянии 2 от стенки порядка одной длины экранирования концентрация Ф(2) оказывается пониженной. На расстоя- [c.94]

В результате искривления зон положение уровня Ферми (имеется iB виду ёго положение относительно зон) на поверхности кристалла оказывается сдвинутым по сравнению с его положением внутри кристалла. Этот сдвиг, обозначенный а рис. 11 через Де, равен разности потенциалов между поверхностью и объемом. (Рис. П и все дальнейшее относится к случаю не слишком маленького кристалла, когда внутри кристалла, достаточно далеко от его поверхности, условие электрической нейтральности можно считать соблюденным, т. е. к случаю кристалла, размеры которого значительно превышают длину экранирования.) [c.73]

А. Рассмотрим (для определенности) адсорбцию акцепторного газа а поверхности плоскопараллельной пластинки полупроводника. Примем следующие основные предположения 1) толщина полупроводника значительно больше дебаевской длины экранирования Ь 2) на поверхности полупроводника существуют центры одного сорта 3) заполнение адсорбционных центров мало. [c.138]

Прежде всего, растворы электролитов характеризуются существованием определенной длины экранирования электростатических полей в растворе -дебаевским радиусом. Если рассмотреть заряд q, помещенный в электролит, то электростатический потенциал этого заряда описывается уравнением Пуассона [c.25]

Из простых физических соображений ясно также, что уменьшение адсорбционной способности полупроводника с увеличением степени его дисперсности тем легче наблюдать, чем больше длина экранирования L. [c.53]

II Безразмерная координата 1=х1Ь, где Ь — длина экранирования, равная, например, в случае чисто донорного полупроводника [c.54]

Электропроводность систем шпинель — углеродный носитель,, изготовленных в оптимальных условиях, возрастает на два-три порядка по сравнению с чистыми оксидами, а энергия активации проводимости уменьшается на порядок. Это обусловлено, по-видимому, инжекцией носителей тока из углеродного материала в пленку шпинели, если ее толщина меньше длины экранирования [108]. [c.191]

Это уравнение является общим, учитывающим процессы рекомбинации ионов и диффузию частиц в плазме ионного источника. При этом предполагается, что дебаевская длина экранирования достаточно мала по сравнению с размерами ионного источника, что верно при большой концентрации ионов реагентов в источнике. [c.127]

Из положения 5 видно, что существует зависимость некоторых свойств полупроводника (электропроводности при наличии хемосорбированных частиц) от размеров его кристалла. Размеры кристалла L в той области, где они становятся сопоставимыми с длиной экранирования I (рис. 16), оказывают сильное влияние и на каталитические свойства полупроводника. [c.249]

Длина экранированного кабеля между датчиком и измерительным при- бором 8 м. [c.130]

Для сравнения, в табл. 17.1.14 приведены классические дебаевские длины экранирования плазмы и электронной компоненты [c.289]

Таблица 17.1.14. Классические дебаевские длины экранирования плазмы и электронной

Дебаевская длина экранирования I для ЗпОа с концентрацией электронов 10 — 101 см составляла 10 —Ю см.. [c.47]

Для оценки степени корректности изложенного подхода была рассмотрена плоскопараллельная прослойка электролита между двумя межфазными поверхностями, заряд которых образуется из-за преимущественной нелокализованной адсорбции ионов одного знака. Пока толщина к прослойки значительно превосходит характерное расстояние I между ионами на поверхности, расклинивающее давление в ней целиком определяется концентрацией и типом электролита, его температурой и величиной макроскопического потенциала в плоскости симметрии пленки (см. формулу (VI.19)). При сближении поверхностей раздела до расстояний, меньших дебаевской длины экранирования, макропотенциал слоя становится почти независящим от расстояния до поверхностей, т. е. от координаты 2, расклинивающее давление достигает своей максимальной величины, а плотность заряда каждой из поверхностей стремится к нулю. Происходит это из-за уравнивания адсорбции ионов обоих знаков на поверхности вследствие повышения штерновского потенциала при сближении. [c.179]

Простой расчет показывает, что при Fi = 100 мВ и Fa = 150 мВ толщина 0 составляет одну шестую часть дебаевской длины экранирования, а при = 150 мВ и Fa = 200 мВ — уже только ее шестнадцатую часть. Такова же тенденция изменения /imax в формуле (IX.15), где модуль д ах в соответствии с (IX.12) стремится к нулю с возрастанием меньшего потенциала щ как [c.277]

Ионизованный газ называют плазмой, если дебаевская длина экранирования заряженных частиц мала по сравнению с линейными размерами рассматриваемого объема. В сильноионизованном газе соударения между заряженными частицами (кулоновские соударения) преобладают над их соударениями с нейтралами. При обратном соотношении говорят о слабоионизоваином газе. В зависимости от степени ионизации и температуры поведение плазмы может быть описано с помощью двух моделей двухжидкост- [c.276]

С технической точки зрения оригинальное вычисление Эдвардса не безупречно. Оно основано на предположении об идеальности цепей и игнорирует корреляции, поэтому оно не дает правильного показателя степени для . Однако если воспроизвести вычисления, используя в качестве мономерных единиц блобы, то цепи можно рассматривать как близкие к идеальным и таким путем можно получить правильные показатели степени. Эти исправленные вычисления показывают, что длина экранирования имеет такой же порядок величины, что и размер ячейки в сетке . Вообще, в полуразбавленном растворе все характерные длины, не зависящие от Ы, должны иметь одинаковые скейлинговые свойства и поэтому могут отличаться от размера ячейки только численным множителем. [c.94]

Такие искривленные зоны изображены на рис. И. Рис. Па соответствует положительному, рис. Не — отрицательному заряжению поверхности, рис. 116 — электрически ейтральной поверхности. Расстояние,-обозначенное на рис. Па и Не через I, а котором искривление зон можно считать заметным (по сравнению с кТ), называется длиной экранирования . [c.73]

На рис. 12, а изображена зонная схема для достаточно толстой пластинки полупроводника, обе поверхности которой содержат на себе хемосорбированные частицы, и толщина Ь которой значительно больше длины экранирования I. (Обычно длина экранирования имеет порядок величины /= 10 — 10 сж.) Рис. 12,6 соответствует кристаллу, толщина которого того же порядка, что и длина экранирования, а рис. 12, в — кристаллу, толщина которого значительно меньше. алины экранирова- [c.76]

Эта особенность поверхности с достаточно большой концентрацией поверхностных состояний позволяет рассматривать ее по аналогии с простейшей моделью поверхности адсорбента, изученной в первых рабо тах по статистике хемосорбции на полупроводниках [8, 10, 11] и в которой уровень Р отыскивался из условия нейтральности одной лишь поверхности. Кроме того, эта особенность квазиизолированной поверхности сближает ее с поверхностью очень тонкого полупроводника (с толщиной -С/, где / — длина экранирования), уровень Ферми Р Р,,,в котором, как известно, фиксирован условием нейтральности поверхности [12]. [c.149]

Предположим, что расстояния между частицами много больше эквивалентной дебаевской длины экранирования Xd = [гакТ1[пеое )У1 для электронной плотности Weo- Это ограничивает плотность частиц приближенно значением Пр = (2Яд) . Как легко убедиться, в данных условиях скорости поступления электронов и ионов на площадку dA выражаются формулами [c.160]

В которую входит электротермическое число Net = = Ze l insoakT) и дебаевская длина экранирования = [ео/с7 /(геге )]1 , причем Т = Т . Неравенство (3.33) указывает масштаб изменения б. Электрическая сила сопротивления fq дается следующим приближенным выражением (тоже подогнанным под соответствующие численные результаты) [c.180]

Модулирование отражательной способности продольным электрическим полем было успешно использовано при изучении зонной структуры полупроводников [119, 120]. В течение некоторого времени считалось, что проникновение низкочастотных полей (100 Гц) в металлы недостаточно для изменения отражательной способности. Однако Фейнлейб [121] обнаружил это явление на серебре и золоте. Современные теории связывают эффекты модулированного электроотражения с влиянием низкочастотного поля на структуру энергетических зон, которое выражается в появлении осциллирующей сингулярности при критических энергиях [122]. Длина экранирования Томаса-Ферми для статического заряда в электронном газе в полупроводниках по порядку величины равна длине волны света, однако в металлах она совпадает с атомными размерами (см. ниже, а также [129]), что мешает проникновению электрического поля в металл. Следовательно, электрическое поле не должно оказывать заметного влияния на зонную структуру на глубине порядка 100 Д, зондируемой падающим светом. Однако исследования [121], выполненные на серебре, меди, золоте и вольфрамовой бронзе, напротив, показали, что отношения AR/ R имеют величины, характерные для полупроводников. [c.450]

Такие искривленные зоны изображены на рис. 3. Рис. 3, а соответствует положительному, рис. 3, в — отрицательному заряже1П1ю поверхности, рис. 3, б — электрически нейтральной новерхности. Расстоягше, обозначенное на рис. 3, а и 3, в через /, на котором искривление зон можно считать заметным (по сравнению с кТ), называется длиной экранирования . [c.26]

На рис. 4, а изображена зонная схема для достаточно толстой пластинки полупроводника, обе поверхности которой содержат на себе хемосорбированные частицы и толщина L которой значительно больше длины экранирования / (обычно длина экранирования имеет порядок величины /=10 —10 см). Рис. 4,6 соответствует кристаллу, юлщина которого того же порядка, что и длина экранирования, а рис. 4, в — кристаллу, толщина которого значительно меньше длины эраиирования. В этом, последнем случае зоны можно считать полностью спрямленными и весь объем полупроводника равномерно заряженным. Положение уровня Ферми е в этом случае может быть легко найдено из условия равенства нулю суммы поверхностного и объемного зарядов. Мы получаем [c.31]

Обратную величину - называют длиной экранирования или Дебаев- [c.298]

Выражения (98) и (99) дают возможность определять oR/R и oon при двух разных а и 6/R и бр при двух разных р. В (120] указанные величины были определены для золота в растворе КС1. Чувствительность метода МЭ по oRIR достигала а по han и Ьрп град. В [122] методом МЭ были исследованы золото и серебро в 1 н. КС1. Частота синусоидальной модуляции 21 гц. Расчет изменений действительной и мнимой частей диэлектрической постоянной бе и бе" был сделан на основе упоминавшейся выше трехфазной модели границы металл — раствор. Предполагалось, что диэлектрическая постоянная металла модулируется электрическим полем в поверхностном слое, толщина d которого порядка длины экранирования в металле. Варьируя d, авторы 122] вычисляли среднее по слою отклонение е, а из него — величину ЭО при наклонном или нормальном падении. Наилучшее согласие между вычисленными таким образом и экспериментальными спектрами AR/R было достигнуто при i = 0,2 А для золота и d = 0,5 А для серебра. Возможное влияние модуляции оптических констант раствора не учитывалось, и авторы [121, 122] полагают, что оно может изменить только интенсивность спектра AR/R, но не положение полос. [c.150]

НОЙ скоростью, ТО В конечном счете все молекулы растворителя будут вращаться со скоростью, которая снижается очень медленно, по существу обратно пропорционально расстоянию d от молекулы белка. Если, однако, молекула осциллирует с частотой с, размер нарушения будет уменьшен в ехр (—d/k) раз в результате повышения вязкости по аналогии с дебаев-ским экранированием зарядов в растворах электролитов [18]. Длина экранирования i= (лУср/т)( /2, где р — плотность растворителя, составляет 4000 А для V =10 с Ч Для типичного в нашем случае раствора белка радиус молекулы г белка равен 25 А и среднее расстояние между белковыми молекулами составляет 100 А, что намного меньше Я, а d< X. Этот результат позволяет рассматривать весь растворитель, находящийся на полпути между соседними молекулами белка, как подвергающийся влиянию движения единичной молекулы белка экранирование, обусловленное кинематической вязкостью, не существенно, за исключением крайне разбавленных растворов. [c.176]

В дальнейшем мы будем исходить из предположения, что поверхностный окисел однороден и невырожден распределение электронов и дырок в окисле как в равновесии, так и при освещенйи подчиняется статистике Максвелла — Больцмана d L, где L — дебаев-ская длина экранирования. [c.37]

Справочник химика 21

Химия и химическая технология