Пересечение двойников

Двойниковая штриховка наблюдается в полисинтетических двойниках. Она представлена чередованием входящих и выходящих углов (гребешков и впадин), обусловливающих струйчатую поверхность грани. На гранях 001 амазонита пересечение двойниковых полосок почти под прямым углом заметно по окраске. Двойниковая штриховка нередко фиксирует плоскости срастания двойников деформации, например, на кристаллах кальцита, корунда и гематита. [c.66]

Необходимые для движения границы двойникующие дислокации могут генерироваться в районе ребра, образованного пересечением верхней поверхности кристалла с двойниковой границей, где имеется микроскопический излом поверхности (линейная область, параллельная оси г, с координатами X = О, > = О на рис. 4.18), приводящий к появлению дополнитель- [c.115]

Методом трансмиссионной электронной микроскопии было, показано, что напряженный материал растворяется избирательно на тех участках, где имеется высока плотность дислокаций. Их происхождение может быть результатом как скопления дислокаций по плоскостям скольжения, так и пересечения дислокаций с границами зерен и двойников. [c.110]

Г. Румпф. Образование хрупкого излома в кристаллических телах объясняется блокировкой движения смещений и их накоплением на границах зерен или у пересечения плоскостей скольжения. Наибольщее количество исследований проведено с металлами. При низкой температуре причиной возникновения хрупкого излома металла может быть и образование двойников. Какой механизм и при какой температуре является основным, зависит от склонности вещества к реакциям скольжения и от его структуры. [c.39]

В рассматриваемой 7 -модели двойниковые компоненты связаны двумя последовательными преобразованиями симметрии поворотом вокруг граничной системы осей 2 и 21 и отражением в системе плоскостей 1120 , перпендикулярных к осям. Результирующими двойникующими элементами симметрии на микроскопическом уровне будут центры инверсии, расположенные в виде ромбоэдрической сетки между двойниковыми компонентами на пересечении системы плоскостей (1120) и осей 2 и 2[ со сдвигом на Да (см. рис. 23). Таким образом, согласно 7 -модели бразильские двойники в а-кварце относятся к категории инверсионных двойников. Это согласуется с их макроскопической симметрией, поскольку 32т = 32/. [c.103]

ДВОИНИКОВАЯ СТРУКТУРА (лат, stru tnra — построение) — структура материала с двойниками — областями кристаллической решетки, закономерно переориентированными относительно исходной (матричной) решетки. Закономерность переориеп-тации состоит в том, что решетка двойника совмещается с исходной кристаллической решеткой либо поворотом вокруг двойниковой оси, либо отражением в двойниковой плоскости, либо той и другой операцией, а следовательно, и инверсией в двойниковом центре. В кристаллографии для описания Д. с. используют четыре осн. характеристики, паз. элементами двойникования плоскость двойникования, направление двойникования, вторую осн. плоскость (второе круговое сечение) и ось осн. зоны (линию пересечения второй осн. плоскости и плоскости сдвига) (рис. на с. 318). [c.317]

Эпемент двойниковой структуры кристалла (граница раздела двойник — исходная, или матричная решетка с двойникующей дислокацией) — плоскость двойникования — вторая основная плоскость г),— направление двойникования т)2 — линия пересечения второй основной плоскости и плоскости кристаллографического сдвига [c.318]

Необходимо сразу же подчеркнуть важность сдвоенных структур, поскольку о них часто упоминается в специальных работах. Вопрос двойникования в графите интенсивно изучался [38—43] и теперь достаточно ясен. Считают [42], что двойнико-вание может иметь место в исходном кристалле графита под углом 2048 к направлению (1010) и лежать в плоскости 1121). С химической точки зрения это означает, что двойникование происходит под углом 20°48 относительно оси базисной плоскости кристалла и вдоль связей — С—С—, как показано на рис. 76, а. На рис. 76, б черными линиями выделены направления, по которым происходит пересечение плоскостей двойникования 1121 с базисной плоскостью ООО/ , и ясно видно, что гексагональные ямки, параллельные полосам двойникования (которые в свою очередь параллельны друг другу или пересекаются под углом 60°), имеют на гранях атомы углерода в конфигурации кресла. В перпендикулярных ямках атомы углерода на гранях располагаются в конфигурацию зигзаг , или [c.129]

Для того чтобы убедиться в двойниковом строении упругого двойника, достаточно было сопоставить углы поворота рисок в местах их пересечения со следом упругого даойника на поверхности кристалла, находящегося под нагрузкой, с углами поворота рисок в местах их пересечения со следами обычных, неупругих двойникованных прослоек, а также сравнить положения главных осей в поляризованном свете. Определить напряжение 1 ига, вызывающее образование упругого двойника, удалось значительно позже оно оказалось очень большим, более близким к теоретической прочности [39]. Отсюда следовало, что опыты с упругими двойниками кальцита указали путь согласования значений теоретически вь1числен-ной и практически измеренной прочности кристаллов. Обычно для определения напряжения течения и даже прочности делят приложенное усилие на площадь соответствующего сечения образца, получая при этом низкие значения соответствующих величин. Правильно было бы определять истинные напряжения в тех местах, где действуют сосредоточенные силы, и эти напряжения сопоставлять с теоретически вычисленными критическими напряжениями. [c.19]

Если двойники распространяются в дефектном кристалле, то действующая на дислокацию эффективная сила торможения кроме силы Пайерлса включает силу сопротивления, обусловленную распределенными в образце дефектами. Дефекты оказьшают непосредственное воздействие на дислокации, препятствуя их огибанию, пересечению и т.п., и на сопротивление, описываемое их упругими полями. Чтобы подчеркнуть то обстоятельство, что описанная сила имеет слагаемые, отличные от силы Пайерлса, будем называть ее в дальнейшем просто силой трения. Модуль и направление этой силы в равновесии зависят от направления движения дислокации, предшествовавшего равновесию, так как она включает в себя диссипативную силу, всегда направленную против движения. Поэтому вид силы неупругого происхождения зависит в значительной мере от способа образования двойника ). [c.56]

ВИДНО, ЧТО концы мартенситных кристаллов при этом являются заостренными, имеющими точно такую же форму, как свободный упругай двойник (рис. 6.2). Процесс взаимного Пересечения тонких мартенситных кристаллов также полностью аналогичен взаимному пересечению двбйййк [c.163]

Из углов пересечения симметричной впадины со свободной поверхностью двойниковой границы, перпендикулярной к этой поверхности, можно получить значение свободной энергии поверхности относительно свободной энергии границы двойников у1у. Подобные определения были выполнены Уинтерботтом и Джостайном [31], которые для золота в атмосфере Нг получили значение у у = 60 10, Робертсоном и Шоумоном [32] для меди в атмосфере На (у1у = 37 9) и Редом и Маклином [33] для серебра на воздухе у у = 196 16). С другой стороны, вращательный член йу й можно рассчитать непосредственно из анализа геометрии выступов и впадин [34], поскольку значение у [c.118]

Если на полученных лауэграммах рефлексы точечные, однородные и располагаются не хаотично, а по правильным геометрическим линиям прямым, гиперболам, параболам, эллипсам и окружностям, то кристалл может быть использован в дальнейшей работе. Если некоторые рефлексы состоят из двух или более пятен, не располагающихся на правильной линии (это особенно относится к рефлексам, находящимся на пересечении нескольких правильных кривых), кристалл представляет собой сросток нескольких, меньших по размеру, кристаллов. Это часто наблюдается при изучении кристаллов, обладающих спайностью. Правильные двойники типа право-левовращающего кварца нередко могут быть приняты за качественные монокристаллы, однако при дальнейшем изучении па других камерах их сдвойникованность становится заметной. [c.115]

Сейча.с разработана методика, позволяющая судить о степени совершенства структуры монокристалла германия. Установлена корреляция между электрическими свойствами и плотностью дислокаций в кристалле. Плотность дислокаций может быть определена по плотности ямок травления, которые образуются в местах пересечения дислокаций с поверхностью 1фисталла. Экспериментально можно установить некоторый допустимый максимум и отобрать материал, пользуясь этой границей. Естественно, что более грубые неоднородности (границы зерен, двойники и т. д.) должны быть исключены. [c.74]

Практически может наблюдаться наложение двух или более систем рефлексов разных зон от двойников, разны.х фрагментов, зерен и т. д. Кроме того, на периферии злектроиограммы возможно появление рефлексов, связанных с пересечением поверхностью сферы отражения соседних, не проходящих через начало координат плоскостей обратной решетки. [c.247]

Справочник химика 21

Химия и химическая технология