Справочник химика 21

Химия и химическая технология

Статьи Рисунки Таблицы О сайте English

Арсенид бора

    Из бора и мышьяка при 700—800° С и давлении Аз > 1 атм образуется арсенид бора с кубической решеткой. При температуре 1000—1100° С и давлении Аз < 1 атм получаются соединения Вз-тАз ромбической структуры Свойства арсенидов бора аналогичны свойствам фосфида бора. [c.599]

    Молекул фосфида марганца в паре системы Мп — Р не обнаружено [542]. При термическом разложении арсенида бора AsB в паре обнаружены различные молекулярные формы мышьяка и следы окислов бора и мышьяка [543]. [c.131]


    Арсенид бора — темно-серое вещество, кристаллизующееся [c.90]

    Получается арсенид бора в виде порошка или спека при нагревании мышьяка с бором в эвакуированных и запаянных ампулах при температурах 800° в течение 12—50 ч [144, 146]. В последней работе имеется указание на образование низших арсенидов. [c.90]

    Среди алмазоподобных бинарных соединений имеется большое количество тугоплавких материалов, весьма перспективных в этом отношении и превосходящих, например, такой сравнительно тугоплавкий материал, как кремний. К ним относятся карбид кремния, фосфид галлия, а также фосфид и арсенид бора — вещества, стойкие до очень высоких температур в разнообразных средах. [c.203]

    Фосфид и арсенид. Фосфид бора ВР и арсенид бора BAs имеют алмазоподобную структуру и высокую химическую стойкость. Оба вещества — высокотемпературные полупроводники. [c.315]

    Из сказанного следует, что получение проводящего алмаза для электродов — больной вопрос в электрохимии алмаза. Даже у лучшего из допантов — бора — слишком высокая энергия ионизации (для легирования кремния, арсенида галлия и других технологически продвинутых полупроводников используют донорные и акцепторные примеси с энергией ионизации порядка 0,01 эВ при комнатной температуре они полностью ионизированы). [c.12]

    Порошкообразный рений при достаточно сильном нагревании реагирует с кремнием, фосфором, углеродом, бором и другими элементами при этом образуются соответственно силициды, фосфиды, бориды, арсениды, карбиды [425, 850, 1119, 1339]. [c.29]

    Из бинарных полупроводников, еще мало или совсем неисследованных, наибольший интерес с точки зрения практического применения представляют, вероятно, фосфид галлия как материал для выпрямителей, работающих при высоких температурах, а также соединения бора, которые должны иметь такие же преимущества перед карбидом кремния, какие арсенид галлия обнаружил по сравнению с германием [118]. [c.84]

    Для рядов А , А В и А В оказались общими одни и те же значения членов, множителей и показателя степени п. Таким способом были рассчитаны А веществ А , А В , А В и А Вб. Совпадение расчетных значений с экспериментальными в ряде случаев хорошее. Однако определенная в настоящее время ширина запрещенной зоны фосфида бора (см. стр. 90) отличается от предсказанной на 1,4 эв. По-видимому, не укладывается в упомянутые зависимости ширина запрещенной зоны и еще некоторых других веществ (например, арсенида индия, фосфида галлия и др.). [c.199]

    Химико-спектральное определение бора в германии и пленках германия. Определение кислорода и водорода в германии, индии, галлии, арсениде галлия и фосфиде индия методом вакуум-плавления. ..... [c.523]


    В результате всех этих исследований разработаны методы определения в среднем 6—8 элементов-примесей в чистых веществах, используемых в реакторной и полупроводниковой технике (графит, уран, свинец, висмут, цирконий, бериллий, кремний, германий, галлий, мышьяк, арсенид галлия, индий, таллий, фосфор, сурьма, цинк и др.), а также в других чистых материалах (бор, молибден, ниобий, иттрий, европий, кадмий). Созданы методы активационного определения целого ряда примесей в 22 веществах высокой чистоты с чувствительностью 10 —10 °%. [c.5]

    При определении следов элементов в арсениде рубидия и цезия мышьяк отгоняют в виде мышьяковистого водорода [144]. При определении в боре примесей 81, Р и Аз основной компонент пробы отделяют отгонкой в виде летучего триметилбората [112]. [c.78]

    С фосфором бор соединяется только около 1000 °С, образуя коричневый фосфид — ВР. Последний, подобно боразону, имеет алмазоподобную структуру [d BP)= 1,96А] и высокую твердость (большую, чем у кварца). Он устойчив по отношению к нагреванию (переходит в серый В13Р2 лишь выше 1180°С) и в кристаллическом состоянии при обычных условиях весьма химически инертен. Фосфид бора обладает свойствами полупроводника с большой шириной запрещенной зоны (4,5 эв). Известен и похожий по свойствам на фосфид арсенид бора — BAs. [c.14]

    Антимониды Арсениды. Бораны. . Бориды. . Висмутиды г алогениды [c.52]

    В качестве управляемых Д. используют сегнетоэлектрики (титанат бария, ниобат лития, сегнетокерамика и др ). В микроэлектоонных устройствах на полупроводниках, в частности больших и сверхбольших интегральных схемах на кремнии и арсениде галлия, используются в качестве как пассивных, так и активных элементов тонкие (0,002-2,0 мкм) аморфные диэлектрич. пленки ЗгОз, SIзN4, бор- и фосфорсиликатных стекол. Перспективными являются диэлектрич. пленки оксида алюминия, нитридов бора и галлия. [c.109]

    Активационные методы с выделениед и радиохимической очисткой образовавшихся изотопов ЗЬ используются для ее определения в алюминии [639—641, 912, 1235, 1247, 1376, 848] и трехокиси алюминия [639], боре и нитриде бора [426], бериллии [523], ванадии и пятиокиси ванадия [145], висмуте [1204, 1659, 1660], вольфраме [144], галлии [1375] и арсениде галлия [640, 824, 825, 831, 1375], германии [610, 639, 640], горных породах [74, 449, 1276, 1554], железе, стали и чугуне [987, 1033, 1113, ИЗО, 1280, 1590, 1653], железных метеоритах [1539], золоте [1676], индии [828, 829] и арсениде индия [115], каменных метеоритах [1136, 1234, 1236, 1515], кремнии [38, 39,275,282,455,639, 640, 861, 1035, 1144, 1355, 1473, 1492, 1540, 1687], двуокиси кремния и кварце [282—285, 487, 639, 640], карбиде кремния [38, 276, 639, 6401, [c.75]

    Броматометрическое титрование рекомендовано для определения мышьяка в рудах, концентратах и минералах [356, 1047], в сплавах с висмутом и селеном 1342], в селеномышьякопых продуктах [266], в сталях, сплавах и рудах, содержащих сурьму [987], черновом свинце [182], полупроводниковых соединениях бора с мышьяком [340], арсениде галлия [1083], инсектицидах [1080], металлах, растворимых в кислотах [988], растворах солей железа [96], продуктах, содержащих платиновые металлы [219]. [c.43]

    В работе [125] были подвергнуты анализу моносилан, полученный при реакции диспропорционироваиия триэтоксисилаиа в присутствии металлического натрия моногерман, полученный при реакции между тетрахлоридом германия и борогидридом иатрии диборан, полученный путем восстановления треххлористого бора водородом арсин, фосфин, сероводород и селеповодород, полученные путем разложения разбавленной соляной кислотой арсенидов, фосфидов, селенидов цинка, магния и алюминия. [c.195]

    Большой интерес в последнее время вызвали сведения о получении новых металлов, которые сохраняются при атмосферном давлении в течение некоторого времени (особенно при низких температурах), хотя они термодинамически устойчивы (в большей своей части) только при высоких давлениях. Эти новые металлы были названы металлическими алмазами [85]. Речь идет об элементах и соединениях, обладающих в среднем четырьмя валентными электронами на один атом и способных при высоких давлениях претерпевать превращение из модификации с алмазной решеткой в более плотную металлическую модификацию с более высоким координационным числом. К числу таких новых металлов относятся металлические фазы всех элементов IV группы, а также нитрид бора, фосфид алюминия, арсенид галлия, антимонид индия и многие другие соединения в своих металлических модификациях— число их, по утверждению Дарнелла и Либби [85], составляет многие тысячи (см. также стр. 96). [c.90]

    Соединения индия, галлия, алюминия, бора с азотом, фосфором, мышьяком, сурьмой и висмутом являются интерметаллическими, но, как правило, со строгим атомным соотношением 1 1. Излишек одного из компонентов в расплаве выделяется при затвердевании в виде второй фазы. Эти соединения в совокупности обладают более широкой гаммой полупроводниковых свойств, чем вещества IV группы, и у них наблюдаются новые, прежде неизвестные свойства. Ширина запрещенной зоны этих веществ лежит в пределах от 0,17 (InSb) до 2,25 эв (GaP), что позволяет использовать некоторые из них в высокотемпературных приборах. Арсенид галлия —более перспективный материал для солнечных батарей, чем кремний. Будучи почти таким же тугоплавким, он имеет в полтора раза большую ширину запрещенной зоны и почти в три раза большую подвижность основных носителей тока. Он работает как полупроводник в интервале от минусовых температур до 500°. Это эффективный полупроводниковый источник света для ближней инфракрасной области, а фосфид галлия — для красной и зеленой области спектра. Многое обещают преобразователи солнечной энергии на основе фосфида индия. [c.187]


    Азот м Акантит н Аква-Актиний м Актиноид лс Алмаз н Алюминий м Америций м Амид м Аммиак м Аммин-Аммоний лс Анатаз м Ангидрит м Анион лс Арагонит м Аргентат м Аргентит м Аргон м Арсенат м Арсенид м Арсенит м Арсин м Астат м Аурат м Аурипигмент лс Ацетат м Ацетиленид м Бадделеит м Барий м Барит м Белила мн Бериллий м Берклий м Бис-Бор м [c.305]

    Метод молекулярного наслаивания реализован не только на оксидных носителях (8Юг, А1гОз, ZnO, MgO), но и на других твердых матрицах самой разнообразной природы — стекло, карбид кремния, нитрид бора, арсенид галлия, кремний, металлы (Ni, Fe, u и др.), ненабухающие органические полимеры. При этом носители используются как в виде дисперсных частиц, так и в форме волокон, пластин, заготовок и изделий сложной конфигурации. Синтезированы не только оксидные, но и сульфидные, углеродные, нитридные, карбидные, металлические моно- и полислои элементов II-VII групп периодической системы. Большим преимуществом рассматриваемого метода является то, что привитые слои неорганических веществ можно получать при сравнительно невысоких температурах и давлениях, значительно более низких, чем равновесные в процессе прямого синтеза или диссоциации соответствующего твердого тела. [c.142]


Смотреть страницы где упоминается термин Арсенид бора: [c.147]    [c.172]    [c.29]    [c.200]    [c.508]    [c.596]    [c.230]    [c.29]    [c.403]    [c.663]    [c.818]    [c.147]    [c.403]   
Итоги науки химические науки химия и технология синтетических высокомолекулярных соединений том 8 (1966) -- [ c.599 ]




ПОИСК





Смотрите так же термины и статьи:

Арсениды



© 2025 chem21.info Реклама на сайте