Двухзонная модель

Оптимизация молекулярно-массовых. .. Двухзонная модель трубчатого. .. 169 [c.169]

Двухзонная модель трубчатого турбулентного реактора [c.169]

При двухступенчатой подаче катализатора в реактор (двухзонная модель ТТР) уравнение (3.28) принимает вид [c.169]

Рис. 32. Вязкость водных растворов электролитов (а) и двухзонная модель гидратации ионов (б)

В исследованиях всех авторов была принята двухзонная модель, по которой частицы в ядре потока поднимаются (в ядре предполагалась пониженная концентрация последних), а в периферийной зоне (плотный движущийся слой) спускаются. [c.48]

В исследованиях всех авторов была принята двухзонная модель, по которой частицы в ядре потока поднимаются, а в периферийной зоне опускаются в плотном слое. [c.49]

Лесник [1] на основе уточненного рассмотрения взаимодействия экранированных зарядов, возникающих в результате перераспределения электронов между атомами компонентов сплава (что эквивалентно учету изменений других слагаемых энергии решетки, кроме энергии Ферми), используя в качестве исходной модели двухзонную модель межатомной связи в бинарных сплавах [И], получил уравнение для свободной энергии смешения сплава как функции состава и температуры (уравнение (80) в работе [1]), позволяющее в отдельных случаях проводить качественное сопоставление теории с экспериментальными данными. [c.292]

Производительность скважины увеличивают восстановлением ухудшенных фильтрационных характеристик пласта либо созданием в ПЗП более благоприятных условий фильтрации, чем в остальной части пласта. Это имеет практическое значение лишь при существенном изменении проницаемости пласта в зоне с достаточно большим радиусом. Расчеты по формуле Дюпюи для двухзонной модели пласта [c.5]

Теория этого явления [1, 6], разработанная в приближении квантовой двухзонной модели металлов, приводит к следующему выражению для величины эффективного заряда г [c.201]

Для исключения из уравнения (1) величин / и /+ можно воспользоваться выражением для удельных электропроводностей и которое также выведено в приближении двухзонной модели [c.201]

Рассмотрение температурной зависимости удельного электросопротивления металлов с использованием двухзонной модели приводит к следующему. [c.202]

Применительно к двухзонной модели получены уравнения температурной зависимости величины общего удельного электросопротивления двухфазного сплава. Эти уравнения связывают величину общего удельного сопротивления р с величинами р , ра компонентов и их температурными параметрами и а , Рог и а , а также с величинами pi и pi+, и Р2+ и их температурными параметрами Р01 и ai , Р014- и 14-, Р02— и 2—, Р02+ и 24-. [c.207]

Приведены уравнения, описывающие в приближении двухзонной модели температурную зависимость эффективного заряда ионов металлов или компонентов однофазных сплавов, мигрирующих в процессе электропереноса, а также уравнения для температурной зависимости электропроводности. Рассмотрены случаи постоянства и изменения с температурой отношения подвижностей носителей тока обоих сортов. Изложены некоторые экспериментальные методики изучения параметров электропереноса и некоторые данные экспериментов и расчетов. Кратко-описаны уравнения, позволяющие распространить исследования на двухфазные сплавы. Библиогр. 8. [c.231]

Проведем анализ процесса в трубке с неоднородной структурой слоя, в котором возникает градиент температур по сечению. Воспользуемся представлениями двух- и однозонной моделей и будем считать профиль скоростей параболическим. Профиль концентраций по сечению принимаем плоским. Для двухзонной модели профиль температуры можно представить двумя параболами [c.131]

Трехзонная модель реактора (трехступенчатый ввод катализатора) по сравнению с двухзонной моделью представляет большие возможности регулирования, управления и оптимизации ММР, поскольку появляется еще один независимый управляемый параметр - количество катализатора, подаваемого во вторую зону. Трехзонный реактор позволяет получать более высокие значения средних ММ. В этом случае выражение для Р и Р запишутся в виде [23] [c.170]

Хейдель и др. [138] предложили двухзонную Модель, согласно которой кипящий слой рассматривается состоящим из пристенной и центральной зон. Твердые частицы как в лабораторных, так и в промышленных реакторах поднимаются в центре аппарата и опускаются в пристенной зоне. [c.104]

Увеличение термо-э.д.с. в интервале 1400—2100° происходит вследствие уменьшения числа периферийных центров при росте кристаллов. Конечное уменьшение при температурах выше 2100° — следствие увеличения числа электронов, перешедших в зону проводимости в результате теплового заброса, поскольку энергетический барьер для большинства графитизироваиных материалов уменьшается. Это объяснение основано на предиоло-жеиии об однозонной модели для материалов, обработанных при низких температурах, которая переходит в двухзонную модель, когда температуры обработки высокие. [c.333]

В заключение следует отметить, что модель, предложенная Матуром и Лимом [144], дает возможность проанализировать не только химическую реакцию, но также и процессы тепло-и массообмена в фонтанирующих слоях. Их двухзонная модель, несмотря на ее необоснованность, представлена здесь полностью в надежде, что она будет стимулировать дальнейнше исследования фонтанирования во всех трех направлениях. [c.181]

Указанное различие между фонтанированием и псевдоожижением будет проявляться в конструктивных расчетах, приводя к ряду неожиданных выводов в отношении преимущества псевдоожиженного слоя по сравнению с фонтанирующим, особенно, когда дело касается процессов, в которых основной задачей является конверсия д-аза, а не твердого материала аналогия между псевдоожижением и фонтанированием, возникающая вследствие хорошего перемепшвания частиц, не является более правомерной. Поведение потока газа в Двух системах совершенно различно, и, таким образом, обычное приближение, основанное на динамике пузырей, для расчета реакторов с псевдоожиженным слоем, очевидно, не применимо к фонтанирующим слоям. В этом случае двухзонная модель фонтанирующего слоя, представленная [c.256]

Рис. 28.4. Структурная схема (блок-схема) алгоритма решения системы уравнений двухзонной модели по стандартной программе СП-25

Если для стехиометрического карбида Ме С, когда Вг располагается в области перекрытия полос и вблизи минимума N (В), в проводимости существенным образом будут участвовать два сорта носителей — электроны и дырки, для анализа которых требуется привлечение двухзонной модели, то увеличение дефектности и повышение уровня Ферми вследствие этого будет приводить к уменьшению роли дырочной составляющей проводимости и увеличению ее электронной составляющей. При этом, начиная с концентрации вакансий, когда образуется подполоса неэкраиированных связей Ме — Ме, происходит заполнение обедненной полосы Ме — С, смещение уровня Ферми в Ме — Ме-полосу и, как следствие этого, применимо однозонное рассмотрение (зависимости (Г) для карбидов Ме С . [c.43]

Но если для примера взять двухзонную модель кристалла КС1, то учет лишь взаимодействия К+—СЬ (три параметра в схеме Слетера—Костера — o ss, арр и sp) недостаточен, так как валентная зона (р-зона ионов С1 ) обусловлена взаимодействием анионов между собой (т. е. следующих за ближайшими атомов). Учет вторых соседей увеличивает число параметров до шести. 0 и могут быть определены по эиопериментальному значению оптической ширины запрещенной зоны, энергии валентных зон в точках L и X и зоны проводимости в точке L, полученным в зонном расчете. [c.272]

Из сопоставления рис. 2 и 1 видно, что найденная нами концентрационная зависимость параметра — ур качественно совпадает с теоретически вычисленной для двухзонной модели концентрационной зависимостью энергии смешения. [c.292]

В работе [1] показано, что критерий Джонса для критической электронной концентрации в однозонной модели [12] может быть модифицирован для двухзонной модели бинарного раствора и, следовательно, на двухзонную модель могут быть перенесены представления о валентности металла в фазах Юм-Розери. [c.292]

Зависимость Н ,==о = / (Р) изменяет характер при некотором значении Р =- Р [22]. Наблюдавшийся ход кривых может быть объяснен в терминах двухзонной модели кристалла, содержаш его пору [17]. Как это следует из соотношения (29), с ростом давления всестороннего сжатия область пластического деформирования, расположенная вокруг поры, должна увеличиваться за счет более удаленной зоны квазивязкого тече- [c.122]

Справочник химика 21

Химия и химическая технология