Закон Вульфа Брегга

Монокристаллы являются естественными дифракционными решетками, обеспечивающими разложение рентгеновских лучей в спектр. Условия, необходимые для возникновения типичной для рентгеновских лучей дифракционной картины, вытекают- из закона Вульфа — Брегга. Если длина волны рентгеновских лучей равна X, то дифракционные максимумы в соответствии с законом Вульфа — Брегга должны удовлетворять уравнению [c.36]

Рентгеноструктурный анализ (рентгенография) используется для изучения структуры кристаллической решетки целлюлозы - определения параметров ее элементарной ячейки, размеров кристаллитов, а также степени кристашгичности. Вскоре после разработки Лауэ основ рентгенографического анализа Нишикава и Оно в 1913 г. получили первую рентгенограмму целлюлозы рами. В настоящее время используют современный метод регистрации рентгеновских лучей, рассеянных кристаллической решеткой, - дифрактометрический с получением дифрактограммы. Дифрактограмма представляет собой кривую зависимости интенсивности рассеянных лучей I от угла рассеяния 20, где 0 - брегговский угол в законе Вульфа - Брегга (см.5.4). [c.241]

Для получения спектра рентгеновских лучей в рентгеноспектральном анализе используют их дифракцию на кристаллах (или на штриховых дифракционных решетках) при таких малых углах 0 (1 —12°), что рентгеновские лучи испытывают отражения, как бы скользя по поверхности отражающего кристалла. Угол 0, образованный падающим или отраженным лучом и поверхностью кристалла (или дифракционной решетки), назван углом скольжения. Отраженные лучи, как и рассеянные, дифрагируют на структуре отражающей поверхности, и получившаяся дифракционная картина подчиняется закону Вульфа — Брегга (см. уравнение (4.3)]. [c.124]

Лучи с длиной волны, удовлетворяющей закону Вульфа—Брегга, отражаются от кристалла под углом 6 =9, а остальные длины волн рассеиваются под разными углами или частично поглощаются кристаллом. Отраженный от кристалла монохроматический пучок после прохождения второго коллиматора регистрируется детектором. Чтобы зарегистрировать линии других длин волн, надо постепенно поворачивать кристалл-анализатор и одновременно перемещать детектор, изменяя угол 0, в зависимости от которого будут регистрироваться линии длин волн, удовлетворяющих [c.368]

Для разрешения рентгеновских лучей по длинам волн пользуются методом диффракции на кристалле. Так как расстояния между атомными плоскостями в кристаллах имеют тот же порядок величин, что и длины волн рентгеновских лучей, возникают, интенсивные интерференционные максимумы в соответствии. с законом Вульфа—Брегга [c.143]

Малое число интенсивных линий, простота устранения наложений со стороны спектров высших порядков отражения, отражение спектральных линий от кристалла согласно закону Вульфа — Брегга позволяют весьма просто ориентироваться в рентгеновских спектрах, используя табличные данные для длин волн и межплоскостных расстояний. Расшифровка спектра надежна, проста и быстра, особенно при использовании контрольных образцов с заранее известным химическим составом. [c.250]

Угол отклонения рентгеновских лучей связан с длиной волны лучей и с расстоянием между повторяющимися элементами, например плоскостями в исследуемой структуре по закону Вульфа— Брегга [c.392]

Если исследуемый кристалл, помещенный на пути монохроматического (Я= onst) рентгеновского луча, поворачивать вокруг перпендикулярной к лучу оси и, таким образом, ставить поочередно систему плоскостей кристалла в отражающее положение, то наблюдается полная картина рассеяния. Дифракционную картину можно получить и без вращения образца, используя источник с непрерывным спектром рентгеновского излучения. В этом случае для всех систем плоскостей кристалла в непрерывном спектре обязательно найдется длина волны Я, удовлетворяющая закону Вульфа — Брегга. [c.116]

Если di — угол отражения, соответствующий видоизмененному за счет преломления закону Вульфа — Брегга (см. н. 2), то Msindi = тл — до- Вычитая это выражение из (IV.22), получим [c.95]

Явление дифракции рентгеновских лучей на кристаллических решетках открыл в 1912 г. Лауз. Затем, независимо друг от друга, русский ученый Вульф и английский физик Брегг вывели основной закон рентгенографии, использовав аналогию с законом зеркального отражения световых лучей. Отраженные от параллельных плоскостей кристаллической решетки лучи интерферируют в том случае, когда система находится в отражающем положении , т.е. лучи совпадают по фазе. Для этого разность хода падающего и отраженного лучей в соответствии с законом Вульфа - Брегга должна быть равна целому числу волн [c.145]

После расшифровки рентгенограммы или дифрактограммы определяют брег-говские углы (01, 02,. ..), а затем по закону Вульфа - Брегга рассчитывают постоянные решетки соответствующих систем плоскостей ( / , 2, /3. ..) н параметры элементарной ячейки, после чего строят модель ячейки данного полимера. С этой целью по распределению электронной плотности устанавливают координаты всех атомов с учетом конфигурации и конформации макромолекулы. При невозможности применения расчетного метода используют шаровые модели Стюарта - Бриглеба и метод проб и ошибок . Для построения моделей ячеек применяют метод просвечивания одноосно ориентированных образцов, тогда как порошковый метод используют главным образом для качественной характеристики полимеров, а также лля определения размеров кристаллитов и степени кристалличности (рентгенофазовый анализ). [c.146]

Следует упомянуть, что некоторыми исследователями (Хоземан и др.) выдвигались гипотезы о паракристаллическом строении целлюлозы в целом, но проведенные в последнее время рентгеноп)афические исследования (Иоелович) с получением на рентгенограммах целлюлозы рефлексов нескольких порядков (в законе Вульфа - Брегга порядок отражения и>1) свидетельствуют о том, что целлюлозу нельзя рассматривать как идеальный паракристалл, для которого порядок отражения должен равняться единице. [c.241]

При достаточно совершенной кристаллической структуре объекта на электронограмме будут присутствовать не только точки (результат упругого рассеяния и дифракции электронов от точечного источника), но и дополнительная сложная картина светлых и темных поле (результат дифракции электронов пучка, претерпевших неупругое рассеяние в объеме объекта при малых потерях энергии. Интенсивность рассеяния электронов максимальна в направлении падающего пучка и с увеличением угла рассеяния а резко уменьшается. Пусть где-то внутри кристалла находится источник диффузно рассеянных электронов. В направлении ti и 2 рассеянные электроны встречают плоскости HKL кристалла, от которых отражаются в соответствии с законом Вульфа— Брегга. В связи с тем, что интенсивность диффузно рассеянных электронов, в направлении ai меньше, чем в направлении 2 (поскольку а <Са2), интенсивность отраженных лучей А/г>A/i. Следовательно, добавление к интенсивности фона [-fA/2 в направлении ai больше, чем убыль интенсивности —А/ь и, наоборот, убыль интенсивности —Д/2 в направлении 2 больше, чем добавление +A/i- В итоге в определенных направлениях должна возникать избыточная интенсивность фона, а в других недостаток интенсивности (рис. 20.31). Эти направления соответствуют образующим конусов, осью которых является нормаль к отражающим плоскостям HKL и HKL, и угол при вершине равен (180°—2 ). Геометрия дифракции электронов, источник которых располагается внутри самого кристалла, та же, что и геометрия псевдо-Косселя для дифракции рентгеновских лучей (см. гл. 9). В связи с малостью углов О пересечения конусов с плоскостью экрана или фотопластинки в случае дифракции быстрых электронов картина имеет вид прямых линий (вместо гипербол при рентгеновской дифракции). Картины линий Кикучи очень чувствительны к изменению ориентировки кристалла. Как видно на рис. 20.31,6, след отражающей плоскости точно проектируется посередине расстояния между соответствующими темной и светлой линиями Кикучи и представляет собой гномоническую [c.474]

Молекулярные расстояния в волокнах могут быть рас-счзгганы с помощью закона Вульфа — Брегга. Необходимо отметить, что большие углы отклонения соответствуют коротким молекулярным расстояниям и что пятна, дуги или кольца, наиболее близкие к центральному лучу, соответствуют большим периодическим расстоя-яиям в образце. Чхобы эти пятна не сливались, необходимо помещать фотопластинку на значительном расстоянии от образца. В работе с волокнами это расстояние должно быть 40 см или больше. [c.393]

Во всех предыдущих методах кристалл работает на отражение. В методе Кошуа использовано свойство изогнутого кристалла фокусировать излучение при его прохождении через кристалл (рис. 8). Сходящийся пучок рентгеновских лучей с длиной волны Ль для которых углы падения и отражения по закону Вульфа — Брегга равны фь падает на изогнутый по радиусу R кристалл-анализатор с его выпуклой стороны и отражается от атомных плоскостей, расположенных веерообразно под прямым углом к поверхности кристалла. После отражения лучи фокусируются на щелевом устройстве 6 детектора 7 на пересечении круга Роуланда 9, касающегося кристалла 4 с вогнутой стороны в его центре, с кругом 8, радиус которого определяется углом Вульфа — Брегга и равен R siTKfi. Прошедшие [c.39]