Ядрообразование

Предполагается, что зародыши возникают не в любой точке поверхности исходного кристалла, а в особых точках, где имеются особо благоприятные для этого условия. Таковыми могут быть места выхода дислокаций, сверхстехиометрические атомы, чужеродные примеси и т. п. Такие точки называют потенциальными центрами ядрообразования. Почти во всех моделях принимается, что концентрация потенциальных центров определяется биографией кристалла исходного вещества и в процессе реакции может только уменьшаться за счет превращения в зародыши и погло- [c.168]

Далее было показано, что кристаллизация цеолита из сильно разбавленных растворов (2—3 г 3102 п А1(0Н)д в 1 л) включает стадию образования аморфных пластинчатых частиц, которые затем превращались в большие частицы цеолита вследствие гетерогенного ядрообразования. [c.348]

На основании результатов исследований ряда авторов можно считать, что основные размеры граней кристаллов, образующих сферическую частицу углерода, порядка 2 нм. Основная проблема при исследовании процессов ядрообразования заключается в установлении механизма, по которому могут возникать плоские структуры конденсированных образований, содержащие около 100 атомов углерода [78]. [c.193]

Наличие различных функциональных групп, обнаруженных в углеродистых частицах, является, по-видимому, результатом химической адсорбции таких элементов, как кислород и азот, на стадиях ядрообразования, укрупнения частиц и их выгорания. [c.194]

Пусть на поверхности 8 кристалла имеется го потенциальных центров ядрообразования, концентрация которых изменяется только за счет процесса образования ядер. Тогда скорость образования ядер определится как [c.562]

При выводе экспоненциального закона образования ядер предполагалось отсутствие воспроизводства потенциальных центров ядрообразования в процессе реакции. Чаще всего это действительно так. Однако в некоторых процессах, как, например, в радиационнохимических, следует считаться с возможностью появления центров в ходе реакции. Если такой процесс воспроизводства центров существует, экспоненциальный закон образования ядер теряет силу. [c.563]

Допустим для простоты, что все элементарные стадии рассматриваемой реакции локализованы в одной зоне реакционного пространства, скажем на поверхности раздела газ — твердое тело. Однако эффективной будет лишь та часть поверхности, на которой протекает реакция. Последняя может начинаться в отдельных точках, распределенных по поверхности случайно, или на местах выхода структурных дефектов. Более того, моменты начала реакции для этих точек могут быть распределены во времени по закону, который мы назовем законом ядрообразования (или зародышеобразования). [c.163]

Усиленное ядрообразование при последующем осаждении пленкн. [c.541]

Такими местами могут являться различного рода дефекты поверхности, выходы дислокаций на поверхность кристалла и другие. Поскольку концентрация этих мест ограничена, возникли представления о потенциальных центрах ядрообразования, постепенно исчерпывающихся по мере протекания реакции. Такие представления с кинетических позиций требуют учета уменьшения количества потенциальных центров в ходе реакции в результате их поглощения растущими ядрами, что дополнительно усложняет требуемые кинетические модели процесса. [c.269]

Пусть на поверхности исходного твердого тела имеются потенциальные центры ядрообразования, концентрация которых го изменяется только за счет процесса образования ядер. Обозначим удельную скорость (на один потенциальный центр) образования [c.269]

При выводе уравнения (42) мы предполагали, что образование и рост ядер не оказывают влияния на скорость их возникновения (за исключением снижения числа оставшихся потенциальных центров при возникновении ядер). Покажем возможные подходы к учету такого влияния. Оценим, например, как будет сказываться на кинетике реакции захват растущими ядрами потенциальных центров ядрообразования. [c.272]

Очевидно, что захват потенциальных центров осуществляется с тем большей вероятностью, чем большую часть объема или исходной поверхности (в зависимости от того, где расположены потенциальные центры) захватывают растущие ядра. Положим, что потенциальные центры ядрообразования равномерно распределены в объеме твердого реагента. Тогда наблюдаемая скорость образования ядер будет уменьшаться пропорционально уменьшению объема, свободного от ядер. [c.272]

Важнейшее из ограничений введено при выводе уравнения, это — допущение об одинаковой вероятности реакции для всех частиц исходного твердого тела (вероятность реакции вводится как степенная функция времени). В связи с существованием в исходном твердом теле мест с повышенной реакционной способностью, выступающих, в частности, как потенциальные центры ядрообразования, это допущение неприменимо даже для начального периода реакции. После образования ядер в системе возникает дополнительная пространственная неоднородность — вероятность реакции тем больше, чем меньше расстояние до ближайшего растущего ядра. На этом основании использовать уравнения (61) и (62) для описания экспериментальных данных реакции с участием твердых веществ можно лишь в качестве эмпирических. [c.276]

На примере каучуков различной природы показано, что нарушение до определенного предела молекулярной структуры введением инородных звеньев и созданием межцепных химических связей приводит к ускорению кристаллизации вследствие увеличения скорости ядрообразования температура плавления кристаллической фазы при этом закономерно понижается. [c.44]

Объем ядер, образовавшихся во временном интервале t + йt, к некоторому моменту времени т > / составит (без учета поглощения центров ядрообразования и при условии постоянства скорости изменения линейных размеров зерен) [c.217]

Дифференцируя (5.78) и переходя от суммарного объема ядер к степени превращения, для скорости реакции без учета поглощения растущими ядрами центров ядрообразования получаем [c.217]

Когда, чтобы получить гидратированный гель, смешивают растворы алюмината и полисиликата, эти анионы, несомненно, вступают в реакцию полимеризации. Полученный в результате гель является аморфным и находится в предельно простом состоянии. Состав и структура такого геля определяются размером и структурой полимеризующ,ихся частиц. Поскольку силикаты могут отличаться и по химическому составу и молекулярновесовому распределению, структура гелей также может быть различной. Следовательно, процесс гелеобразования регулирует процесс образования ядер кристаллизации цеолитов. Это положение в обш,ем подтверждается данными о размерах и морфологии кристаллов цеолитов, выращ,енных из гелей. Полученные кристаллы очень малы (несколько микрон), однородны и часто имеют совершенную форму. Большая степень пересыщения ионами, содержащимися в геле, должна привести к быстрому гетерогенному ядрообразованию и возникновению большого числа центров кристаллизации. Причем образование ядер происходит после индукционного периода (рис. 4.7). [c.349]

Можно представить, что укрупнение частиц углерода происходит путем столкновения и слияния зародышей и частиц друг с другом путем реакций, составляющих механизм ядрообразования и протекающих на поверхности уже образованных частиц посредством реакции Будуара, так как окись углёрода присутствует практически во всех пламенах углеводородов. [c.194]

С> щественнов в шяние на наблюдаемую скорость образования ядер фазы твердого продукта может оказать также поглощение растущими ядрами как потенциальных центров ядрообразования, так и друг друга. Математическое описание этого явления представляет значительные трудности. Ряд конкретных примеров рассмотрен в классической работе Измайлова [26]. [c.564]

В то же время Измайлов принимает, что в момент i = О существует Ид (в расчете на единицу новерхности, кристалла) потенциальных центров образования ядер, а вероятность образования нового ядра в единицу времени равна wexp(—EJRT), где п — число молекул на единице поверхности. По мере проявления центров ядрообразования и увеличения числа ядер площадь свободной доступной поверхности уменьшается. В соответствии с этим число ядер, образовавшихся между t м. t dt, равно [c.31]

Если рост кристаллов графита осуществляется с помощью механизма винтовых дислокаций, то такое резкое увеличение восприимчивости можно было бы объяснить непрерывным ядрообразованием кристаллитов, которые становятся достаточно больщими для проявления графитового диамагнетизма на протяжении всей критической температурной области Н(. [c.101]

Аврами обошел указанные трудности при помощи введения оригинального допущения. Пусть ядра растут, не перекрываясь и не поглощая потенциальные центры ядрообразования. Тогда к некоторому моменту t вместо наблюдаемого на опыте значения степени превращения х мы получим некоторое фиктивное значение х. Допущение Аврами (для случайного распределения ядер) может быть записано в виде [c.45]

Ингибиторы, препятствующие гетерогенной кристаллизации малорастворимых соединений, обычно дозируются либо периодически, образуя защитный слой, блокирующий активные центры ядрообразования кристаллов на поверхности мембраны, либо после образования такого слоя они вводятся в обессоливаемую воду постоянно в малых концентрациях, обеспечивая существование образованного ранее защитного слоя. Среди таких ингибиторов можно назвать поличетвертичные аммониевые мети-ленфосфонаты, содержащие, по крайней мере, две четвертичные аммониевые группы и четыре метиленфосфонатные группы. Вероятно, такое же действие оказывает доза 3. .. 30 мг/л сополимера изобутен-малеино-вого ангидрида или его солей с молекулярной массой до 2000. [c.122]

Ингибиторы, препятствующие гетерогенной кристаллизации малорастворимых соединений, обычно дозируются либо периодически, образуя защитный слой, блокирующий активные центры ядрообразования кристаллов на поверхности мембраны, либо после образования такого слоя они вводятся в обессоливаемую воду постоянно в малых количествах, обеспечивая существование образованного ранее защитного слоя. Среди таких ингибиторов — поличетвертичные аммоние- [c.155]