Центры поглощение

Поскольку отклонение от закона Бера отражает взаимодействия компонентов раствора, то оно представляет особый интерес для физико-химического исследования свойств растворов. Изменение концентрации поглощающего свет вещества, введение в раствор других веществ (электролитов и неэлектролитов), переход от одного растворителя к другому, изменение температуры— все эти факторы могут привести к изменению спектра поглощения. Появление новых центров поглощения вследствие протолитических или таутомерных превращений, образования или диссоциации комплексных соединений и различных ассоциатов вызывает качественное изменение спектра поглощения. [c.647]

Поглощение в УФ-свете при 254 нм. Слабая флуоресценция бумаги гасится центрами поглощения, включающими две или более сопряженные двойные связи, например диен-3,5, диен-5,7, ен-4-он-З, ен-5-он-7, ен-16-он-20, ен-4-дион-3,6 и др. чувствительность 0,5 мкг. Чувствительность можно увеличить в пять раз, если использовать для детекции фотографию или пропитать хроматограмму флуоресцирующим веществом, например 0,01 %-ным раствором антрацена (Аи) в петролейном эфире (40-60°С). Антрацен малореакционноспособен и не мешает дальнейшим операциям. [c.414]

Если центры поглощения носят локальный характер, то [c.139]

Так как Q = а ру (где V — объем центра поглощения), то для пороговой эрозии поверхности [c.139]

Интерпретация формы полосы е-центра в аммиачных растворах представляет значительные затруднения. Полоса поглощения показывает явную асимметрию со смещением в сторону высоких энергий. Однако нет никаких данных, свидетельствующих о существовании других центров поглощения, причем рассматриваемые растворы, по-видимому, подчиняются закону Бера [26, 27] в удивительно широкой области концентраций. Хвост полосы поглощения может быть обусловлен переходом в более высокие состояния, простирающиеся вплоть до непрерывного спектра [131. [c.159]

По аналогии с электронными центрами окраски можно было ожидать, что должны существовать также различные дырочные центры окраски. Исследования действительно показывают, что вид спектра дырочных центров поглощения сильно зависит от [c.33]

Таким образом, имеющиеся экспериментальные данные о спектрах поглощения фотохимически окрашенных кристаллов щелочно-галоидных соединений позволяют разделить все центры поглощения (окраски) на две группы на электронные центры окраски, обусловленные локализованными электронами (/, F, М, Ri, R и Л/ -центры), и на дырочные центры, обусловленные локализованными положительными дырками (Ух, V.2, Уз и другие подобные центры). При окрашивании щелочно-галоидных кристаллов излучением высокой энергии электронные и дырочные центры возникают одновременно. Оптическое и термическое обесцвечивание кристалла происходит лишь вследствие одновременной аннигиляции электронных и дырочных центров. Александер и Шнейдер [751 показали, что под действием сильного поля при одновременном облучении кристалла /-светом из фотохимически окрашенного кристалла могут быть выведены /-центры. Остающиеся в таком кристалле У-центры не могут более обесцвечиваться никаким светом. [c.35]

При температурах, при которых одиночные анионные вакансии стабильны, разрушение Р-центров, обусловленное поглощением Р-света, должно сопровождаться одновременным возникновением а-центров поглощения. При этом концентрация а-центров должна быть пропорциональна концентрации одиночных анионных вакансий, т. е. [c.41]

Первый пик кривой термического высвечивания во втором интервале обусловлен, как и длинноволновый максимум в кривой спектрального распределения вспышечного действия видимого света (рис. 26), так называемыми М-центрами. Об этом свидетельствует далеко идущее сходство в свойствах М-центров поглощения и центров, обусловливающих первый пик. Они исчезают под действием красного света и могут быть созданы за счет разрушения F-центров действием света в F-полосе они возникают под дей- [c.117]

ИОННЫЕ И АТОМАРНЫЕ ЦЕНТРЫ ПОГЛОЩЕНИЯ И СВЕЧЕНИЯ В ЩЕЛОЧНО-ГАЛОИДНЫХ КРИСТАЛЛОФОСФОРАХ, АКТИВИРОВАННЫХ ИОНАМИ ТЯЖЕЛЫХ МЕТАЛЛОВ [c.150]

О МОДЕЛИ ЦЕНТРОВ ПОГЛОЩЕНИЯ И ЛЮМИНЕСЦЕНЦИИ В АКТИВИРОВАННЫХ ЩЕЛОЧНО-ГАЛОИДНЫХ КРИСТАЛЛОФОСФОРАХ [c.150]

Для подобных исследований являются наиболее подходящими объектами щелочно-галоидные фосфоры, которые могут быть сравнительно легко получены в виде. монокристаллов, позволяющих в широком спектральном интервале производить изучение оптических процессов, протекающих как в решетке основания, так и в центрах поглощения и свечения, для которых кристалл представляет возмущающую систему. [c.150]

Все это свидетельствует о том, что механизм поглощения света в щелочно-галоидных фосфорах, активированных серебром, совсем иной, чем в чистых кристаллах щелочно-галоидных соединений. Указанные факты также не согласуются с гипотезой о комплексной природе центров, поглощения, так как в этом случае следовало бы ожидать значительного смещения полос в ряду хлористых и бромистых соединений щелочных металлов, чего не наблюдается. [c.164]

Чтобы выяснить, являются ли л -центры дырочными или электронными, необходимо было более детально исследовать действие света на различные центры поглощения щелочно-галоидных фосфоров, содержащих серебро в качестве активирующей примеси. Опыты показали [276], что при проведении подобных измерений непосредственно после рентгенизации результаты получаются весьма неопределенными. Для получения воспроизводимых результатов необходимо после рентгенизации предварительно выдержать кристалл некоторое время в темноте. [c.175]

ЦЕНТРЫ ПОГЛОЩЕНИЯ И СВЕЧЕНИЯ В ЩЕЛОЧНО-ГАЛОИДНЫХ КРИСТАЛЛАХ, АКТИВИРОВАННЫХ [c.186]

Несобственный спектр азида калия состоит из широких, часто перекрывающихся пиков, которые не всегда можно однозначно проанализировать. Мы будем обозначать отдельные центры поглощения по длинам волн относящихся к ним пиков, приводя принятые названия по мере того, как будет выясняться природа этих пиков. Приводимые спектры являются результатом обобщения экспериментальных данных, взятых из работ различных авторов. Атипичные данные, полученные при исследовании лишь отдельных монокристаллов, как правило, пе учитывались. [c.149]

Это означает, что концентрация центров поглощения в кератине непрерывно изменяется по ходу процесса. Поглощение воды создает новые абсорбционные центры. Они образуются в результате разделения поверхностей молекул, первоначально находившихся в контакте. [c.251]

Восстановленные и окрашенные волосы характеризуются разрывом дисульфидных связей между цепями. В этом процессе участвует до 30% присутствующего цистина. Поэтому происходит уменьшение энергии когезии между цепями и в конечном счете образование новых центров поглощения. [c.252]

Центры окраски (Р и 1) образуются также в результате электролиза щелочно-галоидных кристаллов при температурах ниже точки плавления Р- и 1-центры можно по отдельности создать, нагревая кристаллы в присутствии соответствующих количеств паров щелочных металлов или галогенов. Например, пары калия и хлора дают в хлористом калии Р- и 1-центры соответственно. Для этого на поверхности также можно осаждать калий (или хлор) затем при ди( )фузии соответствующих компонент из кристалла возникают новые кристаллические слои. Если к поверхности подходят ионы хлора, то образуются анионные вакансии. Подобные вакансии могут захватывать электроны (давая /"-центры), освобождающиеся атомами калия, которые переходят в ионы. Другого типа центры окраски образуются в результате смещений ионов и атомов в кристаллах (этот механизм похож на образование атомных дислокаций в металлах). Примесные ионы в решетке дают совершенно новые центры поглощения. [c.356]

Современная теория цветности утверждает, что ни хромофорные, ни ауксохромные группы не являются непосредственными центрами поглощения молекулы, а лишь в целом меняют ее свойства. Распределение электронных облаков в молекуле, их взаимодействие определяют и ее оптическое поведение. Для того, чтобы поглощенный молекулой свет мог быть отдан в виде люминесцентного излучения, а не рассеян в виде тепла, необходимо выполнение по крайней мере следующих условий во-первых, не должен происходить размен поглощенной энергии по колебательным степеням молекулы, во-вторых, поглощенная энергия не должна приводить к фотохимическим реакциям, уменьшающим квантовый выход люминесценции, и, в-третьих, возбужденная молекула не должна обмениваться запасенной энергией с окружающей средой безызлучательным (в оптическом смысле) путем. [c.41]

Классификация по характеру кинетики явления. По предложению С. И. Вавилова, явления люминесценции делят на три класса самостоятельная (спонтанная) люминесценция, вынужденная (несамостоятельная) люминесценция и рекомбинационное свечение. Первая из них характерна для флуоресценции таких веществ и их растворов, в которых к самостоятельному свечению способны каждые из его отдельных молекул или ионов (т. е. дискретные центры). Поглощение возбуж-16 [c.16]

Спектры этина и дейтероэтинов при невысокой разрешающей способности помещены на рис. 16 и 16 а. В табл. 14 приведены частоты центров полос ( центр) поглощения С2Н2 и С2В2. Там, где даны значения В —В", центры полос определены из анализа тонкой структуры и являются наиболее надежными. Центры полос выражаются формулой (а) [c.505]

Рассмотрим сферу радиуса 5, находящуюся внутри системы частиц, беспорядочно распределенных в пространстве, объем которого велик по сравнению с суммарным объемом частиц Предпо ложим, что каждая частица, диффундирующая к поверхности сферы, прилипает к ней Смолуховский показал, что если п—чисто частиц в единице объема, то в единицу времени сфера поглощает 4п08п частиц (пе О — коэффициент диффузии частиц) Если вместо одной неподвижной сферы все частицы действуют как центры поглощения частиц, т е происходит коагуляция, то ско рость исчезновения частиц в единице объема выразится следующим образом [c.148]

Для люминофоров на основе силикатов, фосфатов, германатов, арсенатов (см. стр. 46, Г), 80) поглощение в области X = 200—400 нм обусловлено активаторами. Вызвано это электронными переходами внутри иона в последних энергетическое же состояние ионов активаторов может зависеть от окружения. Так, центрами поглощения галофосфата кальция, активированного ЗЬ (см. рис. IV.8, стр. 80), являются ионы ЗЬ, но максимум спектра поглощения зависит от концентрации фтора и хлора, входящих в решетку галофосфата. [c.7]

Экспериментально мы всегда измеряем спектр пропускания образца Т (v) = I (v)//o(v) или спектр его оптической плотности In [/ц (v)//(v)] = Dg (v). Обе эти величины Т (v) и Bg (v) являются характеристиками не молекулы, а данного рассматриваемого образца. Однако натуральная оптическая плотность образца, отнесенная к числу центров поглощения, приходящихся на единицу поглощающей поверхности, или, иначе, к произведению концентрации в образце поглощающих центров т (молекул/см ) на толщину его слоя / (см), т. е. (l/ml) In (If, (v)U (v)) == e (v), является уже чисто молекулярной характеристикой и называется бугеровским или молекулярным показателем поглощения. При решении многих задач бывает удобнее концентрацию поглощающих центров выражать не в молекулах см , а в молях см . В этом случае величина е (v) называется молярным показателем поглощения, молярной поглощательной способностью или просто молярным поглощением. [c.29]

Возрастающее возмущение арильного поглощения V (СН), V ( С = С) и 7 (СН) при переходе от спектра 4.10, а к 4.10, б и в должно соответствовать изменениям гибридизации связей в местах замещения. Заметное расщепление поглощения у (СН) особенно поразительно и прежде всего наводит на мысль об однозамещенном изомере (рис. 4.5), хотя центр поглощения находится около 740 см как в а, так и в б, и полосы при 1900 очень похожи. [c.159]

Общая схема фотосинтеза цианобактерий представляет собой определенную серию реакций, включающую две последовательно действующие фотореакции (рис. 75, В). Свет, поглощаемый фоторецепторами фотосистемы II — фикобилипротеинами, хлорофиллом а, каротиноидами, — передается на хлорофилл реакционного центра. Поглощение кванта света этим пигментом приводит к отрыву от него электрона и акцептированию молекулой особой формы пластохинона. Окисленная молекула Пб о восстанавливается за счет электронов воды, подвергающейся фотоокислению в реакционных центрах фотосистемы II [c.288]

Как видно из рис. 4 и 5, спектры поглощения экстрактов отличаются от спектров поглощения чистых растворителей увеличением оптической г юткости в максимумах поглощения последних, что можно принять за увеличение концентрации растворителя. Это кажущееся увеличение коицеитрации экстрагента объясняют присутствием так называемых индифферентных веществ, добавки которых, изменяя спектр поглощения, не приводят к образованию качественно новых центров поглощения [141. [c.143]

Закись меди является типичным примером окислов, проявляющих нестехиометричность типа IV. Она является полупроводником р-типа ее проводимость при постоянной температуре увеличивается при увеличении содержания кислорода, и энергия, нужная для освобождения положительной дырки, составляет от 0,2 до 0,3 эв. Сообщалось также о полосе поглощения в инфракрасной области около 2 д,, обусловленной дефектами [51]. Полосы поглощения света, возникающие из-за наличия дефектов в кристаллах с несте-хиометричностью типа IV, были наиболее тщательно изучены при проведении опытов с галогенидами щелочных металлов. Кристаллы этих солей, содержащие избыток галогена (например, КВг с избытком брома), имеют характерные полосы поглощения в близкой ультрафиолетовой области. Эти полосы, впервые исследованные Моллво [52], известны под названием У-полос, и хотя связь каждой полосы с различными возможными типами центров поглощения еще не установлена, несомненно, что появление одной из них вызывается центрами, которые в противоположность / -центрам образуются при захвате положительной дырки вакансией катиона. [c.70]

Соединения рубидия находят применение в полупроводниковой технике (термисторах и пьезоэлементах) в виде ионных кристаллов типа РЬС1. Пси влиянием облучения рентгеновыми лучами или потоком электронов в кристалле КЬС1 появляются отдельные центры поглощения света, которые при освещении видимым светом создают электронную фотопроводимость. [c.230]

Широкая бесструктурная полоса инфракрасного поглощения в разбавленных металлических растворах, расположенная в области 6700 [1] и не зависящая от природы катиона, приписывается е-центру. Поглощение нри этом интерпретируется как следствие перехода 15 —> 2р. Сравнение экспериментальных данных с теоретическими предсказаниями в рамках поляронной модели представлено в табл. 11. Энергия перехода и сила осциллятора находятся в превосходном согласии с теорией. [c.159]

Нагреванием до 150° С при одновременном освещении кристалла инфракрасным светом все перечисленные полосы могут быть разрушены. При этом восстанавливается исходный вид F-полосы. Во время этих превращений общая площадь под кривой поглощения остается постоянной, т. е. число центров поглощения также не изменяется. Указанные шесть полос образуются не одновременно и не с одинаковыми скоростями, а одна за другой в постоянной поеледовательности. Различные наблюдения показывают, что образование длинноволновых полос не связано с присутствием посторонних примесей в кристалле. [c.26]

Рассматривая различные виды дефектов решетки, их равновесные концентрации, подвижность и взаимодействие, Зейтц [13] приходит к выводу о том, что сложные электронные центры поглощения возникают в щелочно-галоидных кристаллах вследствие коагуляции Р — центров, анионных и катионных вакансий. R-центры при этом рассматриваются как первые агрегаты р-центров Л отождествляются со сдвоенным центром окраски Р и с ионизо- [c.28]

Таким образом, работами П. П. Феофилова был разработан новый оригинальный и весьма плодотворный метод исследования анизотропии отдельных центров. Хотя этот метод применим только для изучения анизотропных центров, он тем не менее представляет исключительно большой интерес для решения наиболее трудной и менее всего изученной проблемы строения центров примесного поглощения и свечения, так как этот метод позволяет изучать фундаментальные свойства отдельных центров поглощения и свечения. [c.70]

Опыты показывают, что наиболее длинноволновая полоса с максимумом при 565 пщ является обычной f-полосой и, как в неактивированных кристаллах, обусловлена электронами, локализованными в узлах решетки, в которых отсутствуют ноны галоида. Интенсивность f-полосы сильно зависит от концентрации активатора. В фосфорах с малой концентрацией активатора f-полоса является наиболее интенсивной. С ростом концентрации активатора поглощение в f-полосе падает, а в остальных полосах, наоборот, возрастает. Например, в фосфорах КС +5 мол % Ag l f-полоса при не очень больших дозах облучения совсем не обнаруживается. Аналогичные явления наблюдаются также и в других щелочно-галоидных фосфорах, активированных серебром. Эти данные имеют существенное значение для выяснения структуры активаторных центров поглощения, возникающих под действием рентгеновых лучей. [c.168]

Следующие данные позволяют, по мнению Этцеля и Шульмана, рассматривать Л -центр как дырочный центр поглощения. [c.174]

Даже после облучения щелочно-галоидных фосфоров рентгеновыми лучами в кристалле не обнаруживается активаторных центров, ионизованных действием жесткого излучения. После рентгенизации в спектрах поглощения щелочно-галоидных фосфоров, активированных ионами Sn++, Ni++, Pb++, Ag+, u+ и In+, возникают новые полосы поглощения, а в ряде случаев соответственно новые центры свечения. Проведенные нами исследования спектров поглощения и люминесценции, обесцвечивающего действия монохроматического света и других свойств центров поглощения и свечения, возникающих в щелочно-галоидных фосфорах под действием жесткого излучения, показывают, что новые центры возникают вследствие захвата ионами активатора свободных электронов и превращения ионных центров активатора в атомарные центры. [c.241]

Приведенные результаты показывают, что спектры поглощений и люминесценции ( форов К1 — 5п обусловлены по меньшей мере двумя различными видами центров при наличии в фосфоре только одной активирующей примеси. Зависимость указанных спектров от концентрации активирующей примеси и от термической обработки кристаллов указывает на то, что образование различных центров поглощения и свечения связано с условиями внедрения в решетку и распределения активирующей примеси в кристалле. [c.257]

Справочник химика 21

Химия и химическая технология