Линейные и плоскостные дефекты

Кроме точечных дефектов несовершенство кристалла в значительной степени определяется смещениями и перестановками элементов решетки (линейными дефектами), поворотом слоев в кристалле (плоскостные дефекты), образованием пор, пустот и включений (объемные, трехмерные дефекты). Наиболее заметные отклонения от идеальной структуры наблюдаются на поверх- [c.431]

ЛИНЕЙНЫЕ И ПЛОСКОСТНЫЕ ДЕФЕКТЫ [c.591]

Адсорбция примесей вызывает нарушения в построении кристаллической решетки, которая содержит точечные (вакансии и примеси), линейные (краевые и винтовые дислокации) и плоскостные дефекты. Высокая концентрация вакансий обуславливает резкое повышение скорости диффузионных процессов, количество дефектов в кристаллической решетке увеличивается. Дефекты кристаллической решетки оказывают существенное влияние на физические свойства образующихся осадков. В некоторых случаях на электроде возникает жидкоподобная структура — металлические стекла. Не имея границ зерен, они являются однородными метастабильными системами и часто обладают более высокой коррозионной стойкостью по сравнению с кристаллическими осадками такого же химического состава. [c.267]

Мне кажется, что наличие линейных и плоскостных дефектов, облегчающих направленное конструирование линейной молекулы полимера, как раз и является той спецификой кристалла, в которой надо искать объяснение особенностей полимеризации в твердом состоянии. В связи с этим хотелось бы напомнить, что ближний порядок в расположении молекул и характер колебания молекул в твердом теле и в жидкости отличаются лишь незначительно, и не здесь лежат те различия, которые экспериментаторы установили в отношении жидкофазной и твердофазной полимеризации. [c.130]

Наконец, помимо рассмотренных точечных дефектов возможны линейные, плоскостные и объемные искажения кристаллической решетки. Один из видов искажений — краевая дислокация— показан на рис. 5.10. Такие искажения маловероятны у ионных кристаллов из-за увеличения энергии отталкивания катион — анион . Однако они имеют место в решетках металлов и оказывают сильное влияние на некоторые физические свойства, такие, как пластичность. [c.137]

К двухмерным (плоскостным) дефектам кристаллов относятся границы между зернами кристаллов, внешняя поверхность кристалла и ряды линейных дислокаций. Кроме того, реальный кристалл состоит из большого числа малых блоков, немного дезориентированных друг относительно друга. Линейный размер блоков лежит в пределах 10 — 10 см. [c.466]

Дефекты могут быть точечными, линейными и плоскостными. Точечные дефекты представляют нарушения структуры атомарных размеров по всем трем измерениям (размер дефекта в любом измерении не превышает нескольких межатомных расстояний). Линейные дефекты, называемые дислокациями, и [c.189]

Лукьянов В.Ф. выделяет три характерных типа расположения инициаторов разрушения точечный, линейный и плоскостной [158]. К первому типу относят дефекты и концентраторы малой протяженности, расположенные так, чг их взаимное влияние на процесс разрущения исключено. Линейные инициаторы — это дефекты или концентраторы, ориентированные вдоль линии. Взаимное влияние соседних очагов разрушения способствует возникновению трещин на различных участках линии инициатора, их подрастанию и слиянию, с образованием протяженной магистральной трещины. К плоскостным инициаторам относят скопления дефектов, расположенных в плоскости, нормальной к направлению главного напряжения (рис. 10.3.1). Переход к ускоренному росту наступает для плоскостного и линейного инициаторов раньше и идет интенсивнее, чем для точечного [158]. [c.376]

Реальные металлы обладают большим числом дефектов кристаллической решетки, что приводит к усложнению механизма роста кристалла. Дефекты кристаллической решетки в основном можно разделить на три группы точечные (вакансии и внедренные атомы), линейные (дислокации) и плоскостные (двойники и границы зерен). При электроосаждении металлов, как и при их росте из паровой фазы, большое значение имеют линейные дефекты. Например, если в кристалле имеются винтовые дислокации, то рост кристалла может идти даже без образования двумерных зародышей. [c.330]

Д, в к. подразделяют на точечные, линейные, плоскостные (двумерные) и объемные. Элементарные типы точечных дефектов — вакансии, примесные атомы замещения или внедрения, В ионных кристаллах вакансии должны быть скомпенсированы так, чтЬбы кристалл в целом был элект-ронейтрален, поэтому точечные Д. в к. возникают парами и разноименно заряжены. Пара вакансий (отсутствукуг катион и анион) наз. дефектом Шоттки, вакансия в сочетании с внесенным катионом или анионом — дефектом Френкеля. Осн, линейные Д, в к,— краевая дислокация (обрыв плоскости, в к-рой расположены атомы, ионы или центры масс молекул) и винтовая дислокация (частичный разрыв такой плоскости с замыканием образовавшихся краев на параллельно расположенные плоскости). Двумерные Д. в к, связаны, в частности, с мозаичной (блочной) структурой реального кристалла в пределах отд. блоков существует структура, близкая к идеальной блоки повернуты друг относительно друга на неск. градусов, К двумерным Д, в к, относят плоскости, отграничивающие блоки, дефекты наложения слоев в плотной упаковке и др,, а также пов-сть кристалла. Объемные Д. в к. реализуются в виде скоплений точечных дефектов, каналов, включений. [c.152]

В кристаллических телах встречаются различные дефекты точечные (вакансии, атомы в междуузлиях, примесные атомы), линейные (дислокации), плоскостные (дефекты упаковки), объемные (фазовые включения). Одиночные дефекты подобного типа могут вызвать некоторые перенапряжения, а их агрегации еще более опасны, так как могут приводить к заметным локальным перенапряжениям. Различные дефекты могут быть и в аморфных низкомолекулярпых телах (также вакансии, примесные атомы и т. п.), и в полимерах ( концы молекул, примеси, искажения в строении цепных молекул), что способно играть определенную роль в распределении напряжений по объему тела, хотя особо высоких перенапряжений из-за дефектов атомных размеров здесь также вряд ли следует ожидать. [c.276]

Зарождение и развитие трещин при КР должно в связи с этим зависеть от характера и расположения дислокаций. Считают, что копланарная (плоскостная) дислокационная структура способствует КР однофазных сплавов в связи с тем, что. такие дислокации легко расщепляются, удерживаются в плоскости скольжения, в то время как поперечное скольжение дислокаций затруднено. Троманс и Наттинг [45] считают, что плоскостное расположение дислокации способствует КР благодаря тому, что линейные ряды тесно расположенных точечных изъязвлений легко сливаются воедино, образуя щель, которая быстро распространяется под влиянием растягивающих напряжений. Ячеистая дислокационная структура более благоприятна сплавы с подобной структурой менее расположены к внутрикристаллитному КР в связи с тем, что в них облегчено поперечное скольжение дислокаций, а сама структура является неупорядоченной с высокой энергией дефектов упаковки. Структуры с низкой энергией дефектов упаковки, наоборот, способствуют внутриристаллитиому растрескиванию, поскольку поперечное скольжение дислокаций в них затруднено, что приводит к образованию строя дислокаций. Эдстрем и Фореман [8], отдавая должное этим исследованиям, отмечают, однако, что, исходя из этих позиций, нельзя объяснить вы- [c.110]

Разнозвенность может возникать в результате протекания побочных реакций в процессах полимеризации или поликонденсации и вследствие реакций замещения в макромолекулах полимера. Под строением разнозвенных полимеров понимают микроструктуру цепных макромолекул с учетом не только различия в составе и строении звена, но также с учетом наличия разветвлений, сшивок, химических связей различных типов между звеньями, стереохимии и стереохи-мического порядка звеньев, а также стереохимии всей макромолекулы в целом. Отсюда следует, что под химическим дефекто.м понимается локальная аномалия структуры макромолекул. Различают полимеры с цепными (линейными) макромолекулами, плоскостные и пространственно-сшитые полимеры. [c.16]

Трубы и фасонные изделия линейной части МН и технологических нефтепроводов 8.4.1. Обнаружение дефектов сварного шва и их классификации Ультразвуковая установка Скаруч (EPO H 4 УД 2-12) Минимальный выявляемый дефект объемного характера - 0,8 мм плоскостного с развитием по глубине - 0,5 мм по длине -3 мм Погрешность измерения параметров дефекта по длине 1 мм по глубине 0,5 мм 1 [c.643]

При проведении гидроиспытаний плети Nie дефектной катушкой К-2 были установлены шесть датчиков. Таким образом, были сформированы две антенны одна - с размерами в несколько метров (служила для плоскостной локации имеющихся дефектов), а другая - линейная, состоящая из трех приемников, из которых первый находится вблизи от известных дефектов (на расстоянии около 1 м), а два других были на значительном удалении. Анализ АЭ показал, что сигналы АЭ из зоны язвенной коррозии на катушке К-2 лоцировались малой антенной на всех этапах подъема давления большая антенна не лоциро-вала сигналы от язвенной коррозии ни на каких этапах нагружения истинный источник разрушения регистрировался большой антенной на всех этапах нагружения (включая нагружение до 60 атм) и по данным АЭ он квалифицировался как критически активный. [c.155]

Справочник химика 21

Химия и химическая технология