Элементарная ячейка гексагонального типа

Рис. 1.2. Часть элементарной ячейки гексагонального типа.

Однако это условие не может считаться достаточным для объяснения накопленных фактов. Например, металлы с sp-валентными электронами (РЬ, Sn и др.) не дают таких структур, какие характерны для переходных металлов. Затем, несмотря на то, что радиус, например, Та в объемно-центрированной кубической решетке достаточно велик по сравнению с радиусом атома С, чтобы последний мог войти в пустоты решетки тантала, углерод почти не растворяется в объемно-центрированной решетке тантала. Очевидно, устойчивость подобных веществ определяется более сложно, а не просто отношением радиусов атомов. Среди карбидов, нитридов, гидридов есть не только твердые растворы, но и химические соединения переменного состава. Например, по результатам работ Б. Ф. Ормонта и сотрудников тот же углерод с танталом образует различные химические соединения переменного состава. Одно из таких соединений имеет область гомогенности при составе, изменяющемся от ТаСо за до ТаС о,во- Решетка этой Р-фазы отлична от индивидуальных решеток углерода и тантала и представляет собой гексагональную решетку, состоящую из атомов Та, октаэдрические пустоты которой статистически заняты атомами С. Другая, так называемая -f-фаза, представляет собой химическое соединение изменяющегося состава в пределах области гомогенности от Ta o jg до ТаС. Кристаллическая решетка в этом случае состоит из атомов Та с элементарной ячейкой гранецентрированного куба, в октаэдрических пустотах которой находятся атомы С. Когда эти пустоты заполняются полностью атомами С, то решетка превращается в решетку типа Na l (ТаС). Такую же решетку имеет монокарбид титана Ti . В ней может изменяться состав в пределах области гомогенности до Ti g в-Твердость, температура плавления, термодинамические свойства, плотность, периоды решетки и другие свойства этих важнейших жаростойких материалов зависят от состава фаз и изменяются с изменением числа атомов С в решетке. [c.144]

Кристаллическая структура льда подробно исследована при температурах от О до —185° С при нормальном давлении [104, 105]. В области от О до —100° С лед имеет гексагональную структуру типа ZnS. Размеры элементарной ячейки гексагональной [c.159]

Фазы внедрения образуют обычно плотнейшие упаковки, гексагональную (ГПУ) и кубическую (ГЦК), для которых реализуются большие координационные числа. Такие структуры характерны для металлоподобных фаз. Состав фаз внедрения определяется не взаимным сродством компонентов, а геометрическими соображениями. В плотнейших упаковках существует два типа пустот тетраэдрические, окруженные четырьмя атомами, и октаэдрические — шестью. Количество октаэдрических пустот на одну элементарную ячейку равно количеству атомов в этой ячейке, а количество тетраэдрических пустот в два раза больше, т. е. на один атом плотнейшей упаковки приходится одна октаэдрическая и две тетраэдрические пустоты. Если внедряемые атомы занимают октаэдрические пустоты, то ожидаемый состав фазы внедрения будет отвечать формуле АВ, если же занимаются тетраэдрические пустоты — АВг (А — металл, В — неметалл) . Поскольку размер тетраэдрических пустот меньше, то фазы типа АВа могут образовываться только при внедрении малых атомов водорода. Действительно, существуют гидриды TIH2, 2гНг и т. д. Для карбидов, нитридов и боридов более ха))актерны фазы внедрения состава АВ (Ti , TaN, HfN, ZrB и т. п.), что указывает на внедрение атомов неметалла в октаэдрические пустоты . [c.384]

Рассмотрим горизонтальное сечение элементарной ячейки гексагонального кристалла (рис. 132). Здесь два типа двугранных углов 60° и 120°. Двугранные углы по 60° вырежут от каждого из двух атомов по 1/6 его части, а углы [c.141]

Подавляющее большинство металлов образует структуры типа меди (элементарная ячейка гранецентрированная кубическая, плотнейшая упаковка), магния (элементарная ячейка гексагональная, плотнейшая упаковка) или вольфрама (объемно-центрированная кубическая). [c.144]

Возможны два типа идеальной кристаллической решетки графита (рис. 3) [3]. При чередовании слоев аЬ, аЬ, аЪ атомы углерода в каждом слое располагаются только над центром правильных гексагонов в соседнем слое. Это гексагональная структура с четырьмя атомами углерода в элементарной ячейке. Расстояние между слоями структуры графита равно 3,354 А. Элементарной ячейкой гексагональной структуры графита является прямая призма, в основании которой лежит правильный ромб. [c.20]

Ионообменная емкость типичных образцов цеолита У ниже, чем у цеолита X, из-за более низкого заряда каркаса. В гидратированных формах этих цеолитов, как показали результаты изучения ионного обмена [5, 19], наблюдается различное распределение катионов. Многие реакции ионного обмена прп нормальной температуре пе приводят к полному замещению катионов (табл. 7.6). В большинстве случаев обмен описывается изотермой типа г. Так, изотермы обмена на цезий, аммоний и таллий достигают своего предельного значения при Az = 0,7. При этом около 16 одновалентных катионов, занимающих места Sj, не обмениваются (рис. 7.6), что говорит о неспособности замещающих катионов проникать при комнатной те.мпературе в -полости. Это также означает, что из 51 одновалентного иона, содержащегося в элементарной ячейке исходной формы, замещаются 35. Разность — 16 катионов — как раз соответствует 16 ионам, локализованным в местах Si внутри гексагональных призм. Поэтому порядок селективности изменяется в зависимости от степени обмена. Если степень обмена ниже 0,68, избирательность уменьшается в ряду [c.565]

Большинство окислов и сульфидов двухвалентных металлов образуют кристаллы, относящиеся к тину каменной соли, как это можно видеть из табл. 2. Решетка сернистого бериллия относится к кубическому типу, но обладает симметрией более низкого порядка (решетка типа цинковой обманки см. стр. 480). Окись бериллия кристаллизуется в гексагональной системе, элементарная ячейка которой оиределяется двумя постоянными решетки (стр. 482). [c.476]

До 1961 г. была известна только одна кристаллическая модификация полиоксиметилена (ПОМ), имеющая элементарную ячейку гексагонального типа (гексагональный ПОМ), и поэтому подавляющее большинство работ посвящено изучению именно этой формы полимера. Однако в 1961 г. Беззи удалось по.тучить новую кристаллическую модификацию полиоксиметилена [15], имеющего ячейку орторомбического типа (орторомбпчоский ПОМ). [c.166]

Следует отметить, что синтетический дисульфид молибдена, полученный взаимодействием трехокиси молибдена или солей молибдена с серой в расплаве солей, выпускаемый заводом Красный химик (Ленинград) , содержит абразивные примеси (ЗЮг), для удаления которых необходима дополнительная химическая очистка с помощью плавиковой кислоты. Кроме того, он обладает тетрагональной структурой с элементарной ячейкой ромбического типа с прочными межслойными связями. Исследованиями Зеликмана и др. показана возможность получения дисульфида молибдена новой структуры, занимающей промежуточное положение между гексагональной и ромбоэдрической. Обладает ли такой дисульфид молибдена смазочными свойствами, не выяснено. [c.9]

Графит состоит из непрерывного ряда слоев, параллельных основной плоскости, гексагонально связанных атомов углерода. Ближайшее расстояние между атомами в плоскости составляет 0,142 нм, а между соседними слоями 0,3345 нм. Величина энергии связи между атомами углерода в плоскости составляет по различным данным от 340 до 420 кДж/г-атом, а величина энергии связи между слоями не превышает 4,2-8,4 кДж/г-атом, Возможны два типа идеальной кристаллической решетки фафита гексагональная с четырьмя атомами углерода в элементарной ячейке и ромбоэдрическая структура. [c.7]

Кристаллическую решетку ионного соединения можно рассматривать как бесконечное повторение минимального трехмерного участка (параллелепипеда), называемого элементарной ячейкой. В соответствии с симметрией элементарной ячейки кристаллическую решетку относят к одной из кристаллических систем (сингоний) кубической, тетрагональной, гексагональной, тригональной, орторомбической, моноклинной и триклинной (в порядке убывания симметрии). Нена-сыщаемость и ненаправленность ионной связи приводят в большинстве ионных кристаллов к образованию структур так называемых плотнейших упаковок. Это кубические решетки типов Na I и s l (рис. 60), сфалерита (ZnS) и флюорита (СаРг), гексагональные типа ZnO и др. [c.129]

Параметры элементарной ячейки гексагональной и кубической фаз некоторых фторидов типа АВРз [c.595]

При описании структуры флокул целесообразно использовать понятие ее элементарной ячейки — блока из минимального числа связанных частиц, который отражает в себе все геометрические особенности более сложных структур, строящихся по типу элементарной ячейки. Простейший вид структуры — это линейная цепочка частиц (рис. 3.91, а). В цепочке любой длины т = Иг и, следовательно, ф = 1. При заполнении всего объема произвольной трехмерной фигуры по любому периодическому закону — с гексагональной (рис. 3.91, 6), кубической (рис. 3.91, в) или иной структурой элементарной ячейки — число частиц т внутри фигуры равно отношению ее объема к объему ячейки Р, занятой одной частицей, т. е. т = ИгУ. В этом случае, согласно формуле (3.13.7), фрактальная размерность ф = 3. [c.697]

Политетрафторэтилен получается замещением в полиэтилене всех атомов водорода на атомы фтора (СРг, молекулярный вес 50,01). Политетрафторэтилен высококристалличен. Ниже 293 К повторяющиеся звенья образуют триклинную элементарную ячейку, в которой цепи имеют конформацию спирали типа 1 13—6. Выше 293 К элементарная ячейка гексагональная, а полимерные цепи образуют спираль типа [c.202]

В случае ячейки типа трехлучевой звезды (рнс. 3.92, а) это требование оказывается несовместимым со свойством геометрического подобия для флокул третьего поколения и старше. То же самое относится к ее трехмерному аналогу — объемно центрированному тетраэдру (структура молекулы метана и решетки алмаза). Четырехлучевая плоская звезда (рис. 3.92, б) и ее трехмерный вариант (объемно центрированный куб — ОЦК), гексагональная плоская (рис. 3.93) и трехмерная ячейки удовлетворяют всем перечисленным требованиям. Центральная частица ОЦК (рис. 3.92, б) имеет 8 ближайших соседей (координационное число г = 8), а количество частиц в элементарной ячейке д = г+ I равно 9. Диаметр / сферы, в которую вписывается эта ячейка, равен трем диаметрам частиц (/ = Зг). [c.698]

В слоистых решетках, являющихся переходным типом между координационными и молекулярными решетками, имеет место симметричное окружение для ионов одного сорта (Mg ) и резко несимметричное для других ионов (0Н ). Естественно, что прочность связи внутри слоев и между ними будет различной. Внутри слоя проявляется ионная связь, а между слоями действуют остаточные (ван-дерваальсовские) силы. Подробный разбор способов упаковки слоев в слоистых структурах и характеристика природы внутрикристал-лических сил связи даются в [281. На рис. 2 показана элементарная ячейка гексагональной слоистой решетки гидроокиси магния (а), упаковка тройных слоев (б) и вид тройного слоя НО—Mg—ОН (в), т. е. проекция его на плоскость (001 i [c.10]

Следовательно, для регулярных фрактальных флокул с элементарной структурной ОЦК ф = (1п9 / 1пЗ) = 2. Фракталы с элементарной ячейкой гексагонального типа к = 3, =13) имеют размерность ф = 2,335 = = (1п13/1п3). [c.699]

Более сложные тетраэдрические сетки. Все прочие трехмерные сетки со связанностью 4 более сложны, чем алмазная сетка, которая оказывается единственной содержащей минимальное число точек (2) в топологической элементарной ячейке. Мы уже рассматривали родственную сетку гексагонального алмаза. Как и обычный алмаз, она представляет собой сочленение шестиугольников, но в своей наиболее симметричной конфигурации она состоит из циклов, имеющих как форму кресла, так и форму ванны в отличие от алмаза, где все циклы относятся к первому типу. Позиции чередующихся точек в этих двух сетках (т. е. позиции атомов S или Zn в цинковой обманке и в вюртците) соотносятся между собой как кубическая и гексагональная плотнейшие упаковки (гл. 4), и соответственно имеется бесконечно большое число тесно связанных структур, отвечающих более сложной последовательности плотноупакованных слоев. Многие из этих структур обнаружены в кристаллах Si (см. политипы карборунда, разд. 23.3). Структура высокотемпературного оксида ВеО (разд. 12.2.4) родственна вюртцитоподобной структуре низкотемпературной формы. [c.160]

Этот тип упаковки дает в результате гексагональные кольца молекул НаО, которые подобны гексагональным кольцам кислородов в вершинах 8102-тетраэдров (рис. 37, а, Ь, с, й, е, /). Укладка в такой конфигурации будет Рыхлой—на элементарную ячейку слоя приходится только 4 молекулы воды для отдельного слоя молекул воды увеличение меж-плоскостного расстояния составляет 1,78 А. При высоких состояниях гидратации молекулы НзО в монтмориллоните и вермикулите имеют тенденцию образовывать гексагональные кольца, которые подобны гексагональным кольцам кислородов в основаниях связанных SiO. -тетраэдров (рис. 37 1, 2, 3, 4, 5, 6). В этой конфигурации укладка более плотная. На элементарную ячейку каждого слоя молекул приходится 6 молекул водьь Увеличение высоты для отдельного слоя воды составляет уже 2,76 А, так как молекулы воды непосредственно накладываются на атомы кислорода. При более высоких степенях гидратации молекулы воды занимают даже центры гексагональных колец воды и гексагональных колец поверхностных кислородов, которые не заняты обменными катионами. Последние лишь воздействуют на меж-слоевые силы притяжения и таким образом регулируют организацию одного или двух молекулярных слоев воды при низких относительных давлениях и дальнейшее их возрастание при повышении р/рз. [c.101]

Распо 10жение макромолекул в кристаллических области. всегда строго определенно оси макромолекул параллельны друг другу, концы их находятся на поверхности кристаллического образования. Кристаллографическая ось с совпадает с оськ макромолекулы По форме кристаллографические ячейки делят на несколько типов кубическая, орторомбическая, гексагональная и др. В ячейку входит, как правило, не вся молекула, а только се небольшая часть (несколько повторяющи.хся звеньев), пс-это.му элементарная ячейка полимера часто аналогична ячейке [c.54]

СТОЯНИИ всего с/4, где с/2 соответствует расстоянию между слоями ПУ. Другими словами, в этом случае в структуре существовали бы пары тетраэдров с общей гранью, как это можно видеть из рис. 4.14, г. Такое же чрезмерно близкое соседство атомов в пустотах получилось бы и при упаковке типа ABA .... Однако в КПУ структуры антифлюорита этого уже нет, как видно из рис. 4.17,6, на котором выделена гексагональная элементарная ячейка этой кубической (трехслойной) структуры. [c.202]

На рис. 166 изображен структурный тип никелина NiAs. Строение NiAs можно описать следующим образом элементарная ячейка состоит из двух коротких гексагональных призм, составленных основаниями (такие ячейки часто называют двухэтажными ) атомы никеля занимают все вершины и центры базисных граней каждой из этих коротких гексагональных призм. Всю ячейку, как обычно, мы мысленно [c.123]

Структуру цеолита Ь (разд. Л) можно построить из цепей 4-члеппых колец, расположив их параллельно оси с [61]. Составляющие цепь пары тетраэдров могут размещаться 2 различными способами ближе (ТУ) или дальше (Р) от оси, вдоль которой проходит цепь. Из различных комбинаций таких цепей могут быть построены серии теоретически возможных структур, родственных цеолиту Ь. Например, каркас фельдшпатоида канкринита состоит из цепей с последовательностью элементов NF, а цеолита Ь — из цепей с последовательностью NNF. Хотя теоретически можно построить большое число гексагональных цеолитных структур, лишь немногие из них обнаружены в цеолитах. Одна серия состоит из структур, проекции которых выглядят так, как это показано на рис. 2.28. Все они имеют параметр элементарной ячейки а = = 22 А. Структура такого типа имела бы большие каналы, параллельные оси с и образованные 18-членными кольцами со свободным диаметром около 15 А. Кроме того, установлено, что такой цеолит имел бы свободный объем, равный приблизительно [c.69]

Дегидратированный шабазит. Ионы кальция занимают в шабазите места 3 типов места Sj в центрах гексагональных призм, места S вблизи 6-членных колец, сдвинутые от мест Sj вдоль оси 3-го порядка, и места Зщ вблизи наклонных 4-члеиных колец внутри полостей (рис. 2.61). На каждую элементарную ячейку приходится 1 место Si, 2 места 8 и 12 мест Вщ. При обш е41 числе катионов 2 иона Са + на элементарную ячейку заселенность составляет места S] —0,6, места Зц — 0,35 и места Зщ — 1/16. Места S]] доступны для всех катионов катионы с большшш радиусами в этих местах должны смещаться от плоскости кольца к центру полости. Места Sj, по-видимому, недоступны для таких крупных катионов, как s" , Tl" и Rb" с радиусами 1,67, 1,49 и 1,47 А соответственно. Если на элементарную ячейку приходится 4 одновалентных катиона, 2 из них могут локализоваться в 6-членных кольцах, а 2 других, возможно, расположены на внутренней поверхности полости вблизи 8-членных колец, подобно тому как локализованы ионы Na в цеолите NaA. Адсорбционные измере- [c.118]

В кристаллическом состоянии окись бериллия получают при очень высоких температурах путем возгонки или из расплавленной среды. Кристаллизуется по типу вюрцита (ZnS) (гексагональная ячейка, а = 2,698 с = 4,377 А, плотность 3,025 г см ) [64]. Параметры элементарной ячейки несколько изменяются при нагревании окиси. Температура плавления окиси бериллия 2500° С, температура кипения около 4000°С. Окись бериллия обладает высокой теплопроводностью, которая при повышении температуры уменьшается (от 0,6 до 0,05 кал1сМ сек-град в интервале 100—1000°С), но остается выше, чем у окислов алюминия и магния. [c.12]

Р-хром — гексагональная решетка с параметрами а = 2,717 к (0,2717 им) и с = 4,419 А (0,4419 им), плотностью 6,08 г/см . Помимо этих двух модификаций обнаружена также модификация 7-Сг с элементарной ячейкой типа а-Мп, содержащей 58 атомов в элементарной ячейке [а =8,717 А (0,8717 ин1, а также хром, имеющий кубическую граиецеитрированную решетку. [c.128]

Этот раздел касается некоторых вопросов, трактовка которых иногда встречает затруднения в кристаллографической литературе. Речь идет о том, что одно и то же аналитическое описание часто используют по отношению к кристаллическим структурам с совершенно различными геометрией и топологией. Наглядным примером служит структура, описываемая ромбоэдрической элементарной ячейкой с атомами М в позиции (ООО) и атомами X-—в (V2 V2 V2). Так описываются структуры типа s l (8-координация М и X), если а = 90°, и типа Na l (6-координация М и X), если а=60°. Такое разночтение появляется, если имеется (по меньшей мере) один переменный параметр, который может влиять либо на форму элементарной ячейки (напрнмер, иа величину угла а в ромбоэдрической ячейке, на отношение осей гексагональной или тетрагональной ячейки), либо иа позицию атома в элементарной ячейке. Ниже приведены соответствующие примеры. [c.321]

Политипизм характерен для некоторых плотноупакованных и слоистых структур. Классическим примером соединения, обладающего политипизмом, является карборунд a-Si . Это соединение существует в виде более 50 политипных разновидностей, отличающихся различным типом гексагональной упаковки в направлении оси с, проявляющимся в том, что повторяющиеся слои чередуются в этом направлении через различное расстояние (различное число слоев). Элементарная ячейка a-Si имеет параметры а=Ь = = 0,3078 нм и с = 0,2518п нм, где п — число слоев в гексагональной ячейке политипа в направлении оси с, которое может изменяться от 2 до 500 и более. Самую большую элементарную ячейку имеет политип a-Si , в котором повторение слоев наблюдается через 594 слоя, а наиболее известным является шестислойный политип. [c.65]

Для сополимера найдено значение энтальпии АЯ = = 18,8 кДж/моль (4,5 ккал/моль) и энтропии плавления ASm = = 35,3 Дж/(°С-моль) [8,4 кал/( С-моль)] [17]. На рентгеновском спектре имеется интенсивный кристаллический пик ири угле 20 = 18,2° [4], Максимум аморфного гало соответствует углу 20 = 16,65°. Определены параметры гексагональной элементарной ячейки [17] а = 0,986 нм (9,86 А) с = 0,502 нм (5,02 А). Элементарная ячейка содержит три сомономерные единицы. Значение периода с согласуется со слегка растянутой зигзагообразной цепью. У ориентированного образца плоскость групп —СН2 в чередующемся звене наклонена под углом 45° к направлению цепи получающаяся конформация цепи — типа резких изломов (kinked onformation). [c.149]

Справочник химика 21

Химия и химическая технология