Поверхностные колебания

Несмотря на все сказанное, описанные методики широко применяются для регистрации ИК Спектров дисперсных твердых веществ в широкой области спектра и для определения состава остова твердого вещества. При интерпретации спектров нужно иметь в виду, что положение полос, соответствующих химическим связям остова, вследствие проявления поверхностных колебаний, доля которых для дисперсных веществ велика, может и не совпадать с положением полос массивных материалов. Поэтому качественный анализ необходимо выполнять по нескольким полосам поглощения, относящимся к данному веществу. [c.158]

Изменение динамических свойств (средний квадрат амплитуды и средний квадрат скорости отклонения атома от положения равновесия, частота и константа связи) для поверхностных атомов дисперсных и ультрадисперсных плазменных порошков будет отличаться от соответствующих величин для порошков, полученных в равновесных условиях. Этими факторами обусловлено проявление поверхностных колебаний, которые могут давать дополнительные линии в ИК-спектрах поглощения или спектрах комбинационного рассеяния. Анализ интенсивности таких линий позволяет сделать вывод о динамических свойствах поверхностных атомов [9]. [c.202]

Таким образом, энтропия локализованной адсорбции может меняться в широких пределах в зависимости от того, что собой представляет центр адсорбции место образования сильной адсорбционной связи с незначительной энтропией или же двумерную ячейку со слабым адсорбционным полем [8]. При оценке Д5адс необходимо учитывать также возможный вклад поверхностных колебаний в энтропию подвижной адсорбции и во всех случаях вносить в величину энтропии поправку, связанную с утратой возможности вращательного движения при адсорбции. Кроме того, на величину 5адс может влиять также изменение структуры адсорбента в результате адсорбции (см. гл. ХП1, разд. Х1И-4Б). Все эти неопределенности не позволяют однозначно охарактеризовать состояние адсорбированного слоя просто путем сравнения численных значений энтропии адсорбции, найденных из опытных данных, с теоретическими значениями. Необходимы дополнительные сведения о поверхностной подвижности и колебательных поверхностных состояниях, полученные независимыми способами. Примером может служить работа Росса [12], в которой исследовалась адсорбция н-бу-тана на угле сферой 6. Оценка А5адс. по экспериментальным данным, дает значение, близкое к величине энтропии подвижной адсорбции, рассчитанной по уравнению (Х1У-50). В то же время энергия активации диффузии, найденная из температурной зависимости коэффициента диффузии, оказалась равной 6 ккал. Последнее указьшает на то, что на самом деле адсорбированный бутан не может быть подвижным. [c.446]

В акустических приборах пьезоэлектрическая пленка изгибает ся и фиксируется с двух сторон (рис. 3.60) за счет этого возника ют поверхностные колебания, соответствующие сжатию и растяже нию, т.е, осуществляется их преобразование в звуковые колебания. Головные телефоны и динамические громкоговорители конструируются на аналогичном принципе, однако для обеспечения постоянного механического смещения и демпфирования колебаний с внутренней стороны пленки прикрепляют пористую уретановую подложку. Это отчасти снимает резонансное ограничение диапазона звуковых частот, Ьвойственное известным акустическим преобразователям, и позволяет создать широкополосные преобразователи. [c.211]

Поскольку поверхность является местом расположения атомов с полями асимметрической силы, следовало бы ожидать, что характер колебания атомов на поверхности или в непосредственной близости от нее будет отличаться от характера колебания атомов в объеме кристалла. К тому же, поскольку конфигурация поверхностных атомов изменяется при переходе от одной поверхностной ориентации к другой, можно также ожидать, что поверхностные колебания будут меняться в зависимости от поверхностной ориентации. Марадудип [166] дал превосходный обзор теоретических работ, выполненных в этой области. Для наших целей используем лишь работу Кларка, Германа и Уоллиса [167], которые, предположив независимость центральных сил ближнего действия и константы силы от ноложения, вычислили среднеквадратичные замещения атомов в гцк кристалле как функцию расстояния от свободной поверхности. Как следует из рис. 39, найдено, что среднеквадратичное смещение, возникающее за счет колебаний, анизотропно в направлении и представляет собой крутую функцию расстояния от поверхности. Это обстоятельство будет иметь важное значение в дальнейших анализах поверхностной диффузии, а возможно даже и переноса энергии, в термической аккомодации атомов, примыкающих к поверхности. [c.169]

До недавнего времени единственным доступным экспериментальным методом исследования поверхностных колебаний являлся метод измерения теплоемкости очень малых кристаллов, обладающих большим отношением площади к объему. Поскольку предполагается, что вклад поверхности в теплоемкость пропорционален квадрату температуры, тогда как объемный вклад пропорционален ее кубу, то для этой цели можно использовать лишь измерения при очень низкой температуре. Марадудип [166] дал анализ порядочного числа подобных экспериментальных работ, в большинстве которых, как и ожидалось, был найден избыток теплоемкости малых кристаллов по сравнению с массивными материалами. [c.170]

При изучении методом ДЭНЭ большое внимание уделялось поверхности никеля [172—174]. Во всех случаях было найдено, что величины среднеквадратичных амплитуд поверхностных атомов превосходят эту величину для объемных атомов. Особый интерес вызывает исследование [174] на поверхности (ПО) никеля. В количественном соответствии с теоретической работой, показанной на рис. 39, было найдено для объемных колебаний 0 = 390° К, однако поверхностные колебания обладают существенной анизотропией. В направлении, перпендикулярном поверхности (ПО), 0 = 220°К, в то время как в направлении, параллельном [001], 6 = 220° К и в направлении [ПО] 0 = 330° К, причем последние два направления взаимно перпендикулярны. [c.172]

Большое значение для процесса роста криоосадка имеет явление поверхностной миграции частиц, падаю-Ш.ИХ на поверхность кристалла- Сущность этого явления может быть пояснена на двухмерной модели. Молекулы, находящиеся в углах кристаллической решетки, совершают колебательные движения не только в направлении, перпендикулярном поверхности криоосадка, но также имеют составляющую, расположенную в плоскости криоосадка. Периодическая структура решетки кристалла приводит к периодическому изменению потенциала взаимодействия частиц атомного ряда (периодичность потенциальных ям) в направлении, параллельном поверхности криоосадка, как это изображено на рис. 1-11. Энергетическое состояние молекулы, находящейся в потенциальной яме, вызывает поверхностные колебания молекулы в некоторых пределах Хи Хг. Если молекула приобретает энергию Ещ2 большую, чем Ещ, то она может переместиться в положение Хз. [c.24]

В методе ОАИКС измеряется поглощение инфракрасного излучения, связанного с возбувдением поверхностных колебаний адсорбата после отражения от плоской поверхности подложки, например металла. Когда частота света совпадает с собственной частотой дипольно активного осциллятора — молекулы или кластера на поверхности, у поля излучения отбирается энергия. Эта энергия переходит в тепло в результате ангармонического взаимодействия осциллятора с системой. Взаимодействие между излучением и колеблющимся диполем осуществляется через электрическое поле света, действующего на эффективный заряд осциллирующего адсорбата. Длина световой волны велика по сравнению с межатомным расстоянием, так что соседние диполи будут возбуждаться практически синфазно. Для решетки поверхностного адсорбата это соответствует тому, что волновой вектор кц поверхностной волны мал (кц — составляющая волнового вектора, параллельная поверхности). Можно выразить кц через волновой вектор падающего света кь и угол падения вi по отношению к нормали в виде [c.87]

Распространение звука в сверхтекучем гелии отличается чрезвычайным своеобразием. Наличие нормальной и сверхтекучей компонент пд иводит к возможности распространения не только обычных волн давления (первого звука), но и температурных колебаний, которые были названы Ландау вторым звуком. Кроме того, в последние годы оказалось возможным реализовать волновые процессы, в которых участвует только сверхтекучая компонента, а нормальная полностью заторможена. Это было осуществлено, во-первых, в тонких пленках сверхтекучего гелия, и возникающие поверхностные колебания были названы третьим звуком, а во-вторых, в очень узких каналах, заполненных НеИ, и возникающие [c.74]