Энергия стабилизации

Вычислите энергию стабилизации кристаллическим полем лигандов (в единицах Д) для высокоспинового иона Сг (III) в тетраэдрическом и октаэдрическом окружении. Какая координация— тетраэдрическая или октаэдрическая — наиболее благоприятна для Сг (III) в его соединениях [c.131]

Вычисленная теплота образования оказывается равной — 243 кДж-моль" а экспериментальное значение равно - 393,5 кДж-моль Следовательно, энергия стабилизации СО 2, обусловленная делокализацией электронов, составляет [c.35]

Какое влияние оказывает энергия стабилизации в поле лигандов на образование тетраэдрических и октаэдрических комплексов кобальта (II) ( -конфигурация) Сравните устойчивость октаэдрических и тетраэдрических комплексов кобальта (II). [c.642]

Б. Энергия стабилизации кристаллическим полем [c.17]

Р и с. 11.1. Энергия стабилизации кристаллическим полем для комплексов переходных металлов [6] октаэдрических (а) и плоских квадратных (б). [c.18]

Причинна легкого протекания реакций присоединения в этих случаях состоит в том, что получающиеся соединения с разделенными ароматическими циклами могут иметь примерно такую же или даже более высокую энергию стабилизации, чем исходные конденсированные углеводороды. [c.239]

Таблица 12. Энергии стабилизации кристаллическим полем для й" <истем

Своеобразно ступенчатое гидрирование фенантрена и антрацена. Так, при гидриро вании фенантрена могут быть получены (под формулами приведены энергии стабилизации) [c.36]

Другой метод в рамках ПРМ был разработан в конце 40-х годов Эвансом с сотр. [105] и Багдасарьяном [103] для теоретического истолкования кинетики элементарных реакций, имеющих место при полимеризации. Этот метод, получивший название метода энергий стабилизации (метод ЭС), впоследствии был развит в работах японских ученых [106]. В настоящее время метод ЭС, как и метод ЭЛ, принят в качестве основы для теоретического описания кинетики радикальных реакций различного типа. [c.64]

Рис. 23.28. Энергия стабилизации кристаллическим полем (ЭСКП) для электронов на Зс/-орби-талях в комплексах с октаэдрической структурой. ЭСКГТ = 0,4Д (Д-энергия расщепления кристаллическим полем), а энергия дестабилизации = 0,6Д. Следует учесть, что реальная величина Д занисит от иона металла, его заряда, а также от лигандов.

Энергия стабилизации А определяет изменение энергии ти-элект-ронов при переходе от исходных веществ, например X и Y к XY+ [c.64]

Таблица А.27. Сравнение энергии стабилизации в октаэдрическом и тетраэдрическом кристаллическом поле лигандов

Теория кристаллического поля позволяет также понять магнитные и некоторые важные химические свойства ионов переходных металлов. Прежде чем перейти к обсуждению этих свойств, полезно ввести представление об энергии стабилизации кристал- [c.394]

Объяснять смысл термина энергия стабилизации кристаллическим полем . [c.401]

Энергия стабилизации кристаллическим полем (разд. 23.8)-стабилизация по сравнению со средней энергией -орбиталей, возникающая при заселении электроном одной из -орбиталей нижнего энергетического уровня в октаэдрическом комплексе. [c.403]

Было предложено уточнить простую электростатическую модель с помощью теории кристаллического поля [51 пять (-орбиталей переходных металлов расщепляются в поле лигандов, и заполнение нижних уровней /-электронами уменьшает потенциальную энергию на величину, названную энергией стабилизации кристаллическим полем (ЭСКП). [c.17]

Нарушение копланарности. При образовании радикала Аг2- или иона Аг2+ или Аг2" стабилизация частицы происходит за счет взаимодействия неспаренного электрона или заряда с электронами ароматического кольца. Такое взаимодействие осуществляется наиболее полно, если 2 находится в одной плоскости с ароматическим кольцом. Заместитель в орто-положении мешает этому, отклоняя 2 за счет ван-дер-ваальсовского отталкивания от плоскости кольца, и таким образом снижает энергию стабилизации частицы и замедляет протекание реакции. [c.134]

Величины энергии стабилизации кристаллического поля в единицах О д [c.257]

В табл. 74 приведены значения энергий стабилизации (в единицах А), характеризующие силу кристаллического поля в октаэдрических и плоских комплексах центральных ионов, отличающихся числом -электронов в случае сильного и слабого кристаллических полей. [c.257]

Энергии стабилизации кристаллическим полем для d -октаэдрических комплексов и различия в энергии [c.261]

Согласно теории кристаллического поля взаимодействие лиганда с ионом переходного металла приводит к расщеплению вырожденных -уровней (рис. 113, а). При увеличении числа -электронов ь ионе переходного металла сначала происходит заполнение трех нижних ( 5 ) подуровней по одному электрону на каждый подуровень. При заполненных нижних подуровнях энергия системы понижается. Это понижение энергии называют энергией стабилизации кристаллическим полем (ЭСКП). С ростом ее энергия адсорбции молекулы на поверхности катализатора увеличивается, а реакционная способность повышается. Таким образом, следует ожидать, что в ряду окислов переходных металлов с одним, двумя и тремя -электронами каталитическая активность будет увеличиваться. [c.458]

О ТОМ, насколько оправданно введение представления об энергии стабилизации кристаллическим полем (ЭСКП), можно судить, рассматривая энтальпии гидратации двухзарядпых ионов переходных металлов. Энтальпия гидратации ДЯ др двухзарядного иона металла представляет собой количество тепла, выделяемое в процессе следующей реакции [c.396]

ТАБЛИЦА 23.3. Энергия стабилизации кристаллическим полем (ЭСКП) двухзарядных ионов металлов в высокоспиновых комплексах М(Н20) [c.397]

Электроны, заселяющие -орбитали с пониженной кристаллическим полем энергией, стабилизированы относительно средней (невозмущенной) энергии -орбиталей на величину, называемую энергией стабилизации кристаллическим полем. В комплексах с лигандами сильного поля расщепление энергетических уровней -орбиталей настолько велико, что превосходит энергию спинового спаривания, и для -электронов выгодно спиновое спаривание на орбиталях нижнего энергетического уровня. В результате образуются низкоспиновые комплексы. В комплексах с лигандами слабого поля после заселения нижних по энергии орбиталей электроны начинают заселять -орбитали верхнего энергетического уровня, так как это выгоднее, чем спиновое спаривание на орбиталях нижнего уровня, и в результате возникают высо-коспииовые комплексы. [c.401]

Вычислите энергию стабилизации кристаллическим полем (ЭСКП) для каждого из следующих комплексов по указанным для них значениям энергии расщепления кристаллическим полем Д а ) [ rF ] 182 кДж/моль [c.406]

Гриффитс и Оргел подошли к проблеме распределения -электро-нов в — -системах с количественной оценкой. Они определили, что выигрыш в орбиталь ной энергии для сильных полей (по сравнению со слабыми) равен А для й - и -систем и 2А для й - и систем (табл. 7-7). Затем они рассмотрели соответствующие увеличения энергии отталкивания, называя эти величины л и 2л соответственно. Величина л представляет собой среднюю энергию спаривания (-электронов, приходящуюся на единицу энергии стабилизации полем лигандов. Энергию я можно рассматривать состоящей из двух частей л —кулоновского вза-имодействия, не сильно различающегося для нескольких "-систем, [c.261]

Смотреть страницы где упоминается термин Энергия стабилизации: [c.154] [c.122] [c.127] [c.459] [c.294] [c.174] [c.132] [c.134] [c.135] [c.395] [c.396] [c.398] [c.406] [c.122] [c.127] [c.91] [c.142] [c.215] [c.259] [c.259] [c.260]

Принципы органического синтеза (1962) -- [ c.52 ]

Равновесия в растворах (1983) -- [ c.251 , c.252 , c.256 , c.268 ]

Основы органической химии 1 Издание 2 (1978) -- [ c.256 , c.268 ]

Справочник полимеров Издание 3 (1966) -- [ c.177 ]

Химия полисопряженных систем (1972) -- [ c.24 ]

Химия координационных соединений (1985) -- [ c.114 ]

Химия и технология ферритов (1983) -- [ c.22 ]

Теплоты реакций и прочность связей (1964) -- [ c.69 , c.87 ]

Справочник химика 21

Химия и химическая технология