Ребро кристаллизации вторичной

Если фигуративная точка системы лежит на вертикали, проходящей через нижнее ребро объема первичной кристаллизации, т. е. если ее проекция лежит на линии, соединяющей проекцию точки тройной эвтектики с вершиной треугольника диаграммы составов, то после первичной кристаллизации сразу наступает третичная, а вторичная отсутствует. Это объясняется тем, что при опускании фигуративной точки системы она в конце концов попадает на нижнее ребро объема первичной кристаллизации, не побывав [c.191]

Кроме всех перечисленных поверхностей, в диаграмме есть еще поверхность, разделяющая пространство первичного выделения (кристаллизации а или р твердых растворов) от пространства вторичного (кристаллизация смеси ос и р твердых растворов). Легко понять, что эта поверхность состоит из двух крыльев, пересекающихся по линии е д, (см. рис. XIX. 13) и непрерывно переходящих за точкой й друг в друга кроме того, эта поверхность проходит через линию а с Ь. Пространство вторичного выделения ограничено спереди горизонтальным прямолинейным ребром а Ъ, которое является эвтектической линией диаграммы двойной системы А—В, [c.238]

Положение такой поверхности зависит от температуры, и при понижении последней она отходит от фигуративной точки соответствующего компонента, увеличивая, таким образом, пространство неоднородного состояния. При достаточном понижении температуры такие поверхности начнут возникать и около фигуративных точек других компонентов, создавая пространства неоднородных состояний. Само собой разумеется, что эти поверхности пересекаются с гранями тетраэдра по изотермическим сечениям тройных систем, отвечающих соответствующим граням тетраэдра. При понижении температуры они двигаются в тетраэдре, удаляясь от его вершины внутрь его, т. е. навстречу друг другу. Наконец, пара их пересечется в точке, лежащей на ребре тетраэдра и являющейся эвтектикой соответствующей двойной системы. То же будет происходить и с остальными поверхностями все они рано или поздно пересекутся попарно друг с другом. При понижении температуры ниже эвтектической точки соответствующей двойной системы эти поверхности, пересекаясь по две, дают линии, которые образуют поверхности вторичной кристаллизации. Затем следует тройное пересечение в точках тройных эвтектик, и далее эти поверхности, пересекаясь по три, дают точки пересечения, которые образуют линии третичных кристаллизаций. В конце концов все эти поверхности (их всего четыре по числу компонентов системы) уменьшают свои площади до полного исчезновения в точке четверной эвтектики. Аналогичным образом ведут себя изотермы (изотермические линии) в тройных системах. [c.320]

Очевидно, что присутствие краевой дислокации обусловливает существование ступеньки на поверхности кристалла. Образование центра кристаллизации в виде мономолекулярного островка не является в этом случае необходимым для роста, который идет при слабых пересыщениях. Однако, если на этой ступеньке конденсируется вещество так, что ступенька растет до ребра кристалла, поверхность опять-таки становится ровной, и для продолжения роста кристалла, как и прежде, необходимо образование вторичного центра кристаллизации. [c.199]

Фигуративные точки компонентов называются иногда полюсами соответствующих полей. Термин этот, однако, сравнительно малоупотребителен, и иногда ему придают несколько иной смысл (см. ниже). Легко видеть, что эти поля имеют самые высокие точки на ребрах призмы, т. е. в точках плавления компонентов, и идут, понижаясь к средним частям поверхности ликвидуса. В самом деле, рассмотрим детально, например, поле компонента А. Системы, при охлаждении которых этот компонент начинает выделяться первым, можно считать растворами двух других компонентов В и С в А. Чем богаче наш раствор компонентами В и С, тем при более низкой температуре должна начинаться кристаллизация А и, с другой стороны, тем дальше лежит его фигуративная точка от ребра призмы АА. Отсюда следует, что поверхность его первичного выделения имеет наивысшую точку на ребре А А — это точка плавления чистого А чем дальше точки поверхности находятся от этого ребра, тем они расположены ниже. Ясно, что то же самое можно сказать и о нолях соединений В и С. На рис. XVII.1 изображены эти три поля А е Е е — поле А В е Е е — поле В и Се Е е — поле С. Кроме того, поля должны пересекаться попарно. Линии этих пересечений отвечают вторичным выделениям. На рис. XVII.1 эти линии обозначены следующим образом Е — линия вторичного выделения А В е Е — А + С е Е — В + С. Линии вторичных выделений начинаются на гранях призмы в эвтектических точках двойных систем и, понижаясь, отходят от них внутрь призмы. [c.184]

В объеме вторичной, а указанное ребро лежит в плоскости солидуса, т. е. плоскости третичной кристаллизации. На рис. ХУП.З дан пример кривой охлаждения для этого случая (кривая III). Наконец, если фигуративная точка системы лежит на вертикали, проходящей через тройную эвтектическую точку, то и первичная, и вторичная кристаллизация отсутствуют, и по достижении этой точкой тройной эвтектики наступает сразу третичная кристаллизация. На рис. ХУП.З дана кривая охлаждения для этого случая (кривая /У) мы видим, что она аналогична кривой охлаждения индивидуального вещества. Таким образом, площадь треугольника на плоской диаграмме (рис. ХУП.7, а) может быть разбита на шесть частей, причем характер протекания процессов кристаллизации зависит от того, в какую часть и куда именно, т. е. внутрь ее или на границу (и на какую именно границу), попадает фигуративная точка системы. В табл. ХУП.1 приведены относящиеся сюда выводы. Таблица XVII.1. Характер протекания процессов кристаллизации тройной системы в зависимости от состава исходной смеси [c.192]

Рис. XIX.18. Плоская диаграмма ссстояния ароиной сгстсмы с неогравиченной растворимостью в двух двойных системах и ограниченной в третьей при ребре вторичной, кристаллизации ниже температуры двойной эвтектики

Таким образом, наша фигуративная точка находится одновременно на двух новерхностях на поверхности вторичного выделения е ЕуЕЕ и на плоскости, проходяще через ребро тетраэдра АВ и точку С, т. е. на линии их пересечения СН. При дальнегшем охлаждении системы она будет двигаться по этой линии, удаляясь от точки С. В конце концов настанет момент, когда эта фигуративная точка придет в точку Н, лежащую на линии Е Е третичного выделения компонентов А, С, В. Теперь жидкая фаза насыщена этим тремя компонентами. При дальнейшем охлаждении нашей системы будет происходить одновременная кристаллизация всех этих трех веществ, и фигуративная точка жид ОЙ фазы пойдет по линии третич1 ой ристаллизации ЕдЕ, удаляясь от точки Н и приближаясь к точке Е (четверной эвтектики). По достижении последней наступит четвертичная кристаллизация — одновременное выделение всех четырех компонентов А, В, С, В. Равновесие здесь будет условно-но вариа Тным (пять фаз — четыре твердых и одна жидкая). Поэтому и температура, и состав жидкой фазы будут оставаться посто- [c.318]

Экспериментальное исследование четверной взаимной системы гшчина-ется с исследования двух тройных, отвечающих треугольным сторонам, и трех взаимных, образующих боковые грани. Выявляются стабильные сечения тройных взаимных систем, по ним строятся стабильные сечепия четверной системы. Исследуются экспериментальные простые тройные системы, соответствуюпще этим сечениям. Далее исследуются другие сечения прохо дящие через то или иное ребро призмы (они имеют вид прямоугольников и напоминают диаграммы тройных взаимных систем), треугольные сечения, параллельные основаниям призмы. Обычно исследуется только ликвидус чаще всего визуальным методом. По изломам кривых начала выделения кристаллов заключают о смене объемов кристаллизации внутри призмы. Соединяя точки из разных сечений, получают поверхности ликвидуса, линии вторичных и третичных выделений, а по пересечению последних судят о составах и температурах нонвариантных точек. Последние проверяют термографически. [c.330]

Дендритный рост. При высоких значениях пересыщения, когда рост кристаллов ограничен диффузией, превалирует дендритный тип роста. Он заключается в образовании неправильных или ветвистых агрегатов, напоминающих снежинки. В случае ионных осадков происходит диффузия сольватированных ионов к поверх-ностл растущего кристалла, осаждение этих ионов и высвобождение молекул растворителя с последующей диффузией растворителя в сторону от поверхности растущего кристалла. На ребрах, а особенно — Б вершинах, блокирующее влияние высвобожденного растворителя не так велико, поэтому в таких точках создаются наиболее благоприятные условия роста. Этот процесс назван механизмом затора в движении [47]. Важный аспект дендритного роста состоит в том, что образующиеся при этом кристаллы легко дробятся [48], и в результате возникает так называемое вторичное образование центров кристаллизации. Таким образом число частиц, образующихся при осаждении, может значительно превышать число центров кристаллизации, даже в отсутствие гомогенной кристаллизации. При искусственном стимулировании выпадения метеорологических осадков каждый центр кристаллизации, образованный йодидом серебра, может привести к возникновению тысяч капель дождя за счет дробления дендритных кристаллов льда. Нильсен [15] показал, что получение более мелких частиц при перемешивании в период роста кристаллов, по-видимому, опять-таки связано с дроблением дендритных кристаллов на ранних стадиях осаждения. Ультразвуковая вибрация при осаждении тоже приводит к уменьшению размера частиц. Уолтон [49] считает, что фрагментация дендритных кристаллов может иногда быть альтернативной формой начала гомогенного образования центров кристаллизации. [c.170]

Простые четверные и четверные взаимные системы изучены с помощью поли-термических сечений различного характера. В справочнике приведены данные, относящиеся к стабильным сечениям, имеющим характер простых тройных систем. Эти сечения образованы устойчивыми промежуточными соединениями и исходными компонентами например, для четверной системы А Ц X, У, 2, Т это могут быть сечения АХ-АТ—АУ—А2, АХ АТ—А2-АТ—АУ или АХ-АТ— АУ АТ—А2-АТ, для четверной взаимной системы А, В, С X, У — сечения АХ-А2-ВХ-СУ, АХ-СХ—ВХ-СХ-СУ или АХ-ВХ-СХ-СУ. Указанные сечения, наряду с диагональными, образованными диагоналями боковых граней и ребрами призвда, являются тетраэдрирующими. Они разбивают (тетраэдри-руют) фигуру состава на вторичные тетраэдры, отвечающие четверным системам с одной нонвариантной точкой, и фигуры, в которых отсутствуют реакции взаимного обмена. Из общего числа иных сечений, приведенных в оригинальных работах (сечений, параллельных основанию призмы или тетраэдра, параллельных боковой грани призмы и так называемых книжных сечений), в справочник включены наиболее характерные, позволяющие проследить границы объемов кристаллизации компонентов и промежуточных фаз., [c.4]

Сплав 1 имеет двойной состав. Термограмма его охлаждения имеет один излом, отвечающий началу первичной кристаллизации компонента А и остановку, соответствующую кристаллизации двойной эвтектики А В. Термограмма сплава 2, лежащего между боковой гранью призмы АВ — Г и секущей плоскостью, проходящей через боковое ребро призмы АТ Т1 тройную эвтектическую точку, имеет излом, отвечающий началу первичного выделения компонента А, второй излом, соответствуюпщй началу вторичных выделений компонентов А + В и остановку, вызванную кристаллизацией тройной эвтектики. На термограмме сплава 3, фигуративная точка которого лежит на секущей плоскости, проведенной через ребро АТ ъ тройную эвтектическую точку, имеется излом, отвечающий началу первичной кристаллизации компонента А, и остановка, вызванная кристаллизацией тройной эвтектики, и т. д. Полный набор термограмм охлаждения сплавов 1—9 приведен на правой стороне рис. 142. Построив рядом с термограммами сечение призмы вертикальной плоскостью в соответствующем масштабе с панесепными на него следами, отвечающими составу исследуемых сплавов, можно на эти следы спроектировать изломы и остановки соответствующих термограмм. Проекции их на следах отвечают началу фазовых превращений в системе и лежат на сечениях поверхностей начала фазовых превращений. Соединив точки на разрезе, отвечающие протеканию однотипных процессов, получим диаграмму разреза физикохимической фигуры плавкости. [c.312]

Справочник химика 21

Химия и химическая технология