Кристаллизация третичная

Согласно Птицыну, на первой стадии в развернутой белковой цепи образуются флуктуирующие зародыши спиральных участков, участков с вытянутой структурой, а также изгибов и петель цепи, стабилизованные только локальными взаимодействиями. На второй стадии одна или несколько пар зародышей объединяются, образуя комплексы из двух соседних а-спиралей или -структурные шпильки , которые могут служить центрами кристаллизации третичной структуры белка. На третьей стадии происходит рост центров кристаллизации за счет присоединения [c.253]

На пограничной поверхности начинается вторичная кристаллизация, а затем на линиях — третичная кристаллизация (равновесие расплав — три кристаллические фазы). Наконец, пересечение линий происходит в точке, где система нонвариантна (четвертичная кристаллизация). [c.160]

I. Первичная кристаллизация. Исходная ламель, которая растет из первичного зародыша, в дефектных точках (дислокациях) кристаллической решетки ветвится, давая вторичные ламели, которые по мере роста изгибаются и скручиваются и в свою очередь также ветвятся, давая третичные ламели и т. д. В конечном счете [c.85]

Впрочем может быть случай, когда эта точка попадает на пограничную кривую или сразу приходит в четверную эвтектическую точку. Тогда за первичным выделением сразу следует в первом случае — третичное выделение, а во втором — эвтектическая кристаллизация. [c.109]

При первичной кристаллизации может выделяться компонент А, или компонент Б, или, наконец, компонент С, при вторичной — любая комбинация компонентов по два А + В, А + С, В + С наконец, при третичной происходит совместная кристаллизация всех трех компонентов А + В -Н С. [c.183]

Зная количество взятого сплава (х -Ь /а) и пользуясь формулой (ХУП.2), можно определить х и у взяв же разность х — получим количество твердых соединений А и В, выделенных при вторичной кристаллизации. Наконец, у указывает количество вещества, затвердевшего в процессе третичной кристаллизации в тройной эвтектике. [c.189]

Если фигуративная точка системы лежит на вертикали, проходящей через нижнее ребро объема первичной кристаллизации, т. е. если ее проекция лежит на линии, соединяющей проекцию точки тройной эвтектики с вершиной треугольника диаграммы составов, то после первичной кристаллизации сразу наступает третичная, а вторичная отсутствует. Это объясняется тем, что при опускании фигуративной точки системы она в конце концов попадает на нижнее ребро объема первичной кристаллизации, не побывав [c.191]

В общем случае процесс кристаллизации начинается первичным выделением, за которым следует вторичное и, наконец, третичное. При первичной кристаллизации выделяющаяся фаза представляет собой, как и в случае двойных сплавов, более или менее крупные образования, которые затем при вторичном выделении окружаются смесью кристаллов двух компонентов. Вторичное выделение по структуре аналогично твердым эвтектикам двойных систем (см. раздел VI.4), но обычно отличается несколько более грубым строением. Наконец, все это окружено закристаллизовавшейся тройной эвтектикой, которая является по строению еще более сходной с эвтектикой двойных систем, но отличается от последней присутствием третьей фазы. Нередко тройная эвтектика имеет настолько тонкое строение, что даже при больших увеличениях кажется однородной массой. Часто в тройной эвтектике хорошо видны две фазы, а третья — гораздо хуже. [c.201]

Переходим к нанесению промен уточных линий. Все сплавы от I до II дают после первичного выделения А вторичное (А С) линия вторичного выделения а Н идет от точки % до точки 1Г, лежащей на прямой а УН. У сплава II после первичного выделения А сразу следует третичная кристаллизация, так как точка II лежит на прямой АЕ. Сплавы от II до III имеют после первичной кристаллизации А вторичную (А + S), причем у самого сплава III первичная отсутствует. Это дает нам возможность провести на разрезе II Ei линию, отделяющую область первичного выделения А от области вторичного (А + S). Сплавы от III до IV после первичного выделения S имеют вторичное (S -f А), причем у самого сплава IV это вторичное выделение отсутствует поэтому проводим линию Е IV, отделяющую на разрезе область первичной кристаллизации S от области вторичной (S + А). Далее у сплавов от IV до VI после выделения В следует вторичное выделение (S -f- С). Напоминаем, что выделение одного S из сплавов V—VI происходит после первичного выделения В и инконгруэнтного процесса, в результате которого выделившийся компонент В нацело растворяется, и расплав оказывается в равновесии с одним S. В соответствии с определениями, приведенными выше, выделение S из сплавов V —VI следует называть первичным, хотя оно не является начальной стадией кристаллизации. Фигуративная точка, пройдя поле S, оказывается на линии вторичных выделений С -f S. Таким образом, на политермическом разрезе можно провести соответствующую линию IV VI. Эта линия оканчивается в точке VI и пересекается здесь с горизонтальной прямой VI B тройного перитектического процесса, так как у сплавов, точки которых лежат правее VI, имеет место нонвариантный перитектический процесс. [c.219]

Если поверхность ликвидуса похожа по форме па аналогичную поверхность диаграммы для системы без твердых растворов, то строение поверхности солидуса гораздо сложнее. Чтобы выяснить его, рассмотрим ход процесса кристаллизации в разных случаях. Во-первых, процесс кристаллизации может ограничиться лишь первичным выделением, в результате чего сплав затвердевает в однородный твердый раствор а, р или у. Во-вторых, за первичной кристаллизацией может последовать вторичная, в результате чего сплав застынет в смесь двух твердых растворов а + Р сс + 7 или р 7. Наконец, за вторичной кристаллизацией может последовать третичная — эвтектическая, протекающая при постоянной температуре. Таким образом, поверхность солидуса будет состоять из семи частей. [c.251]

В тройных эвтектиках первой взаимной системы кристаллизуются смеси BY, AY, ВХ (эвтектика Е ) и AY, ВХ, АХ (эвтектика Еу). Пара солей, имеющаяся в продуктах окончательного затвердевания той и другой эвтектики, т. е. в продуктах затвердевания расплавов любой смеси данных солей, называется стабильной парой. Термодинамические отношения, определяющие стабильную пару, рассмотрены в разделе XX.4. Разрез но другой диагонали АХ—BY (см. рис. XX.3, а) не дает двойной системы. В самом деле, смешав эти соли в таком отношении, чтобы получить смесь с фигуративной точкой D, расплавив ее и охлаждая расплав, получим при первичной кристаллизации не соль АХ или BY, а соль ВХ, которая образовалась в результате химической реакции между солями АХ и BY при вторичном выделении будут кристаллизоваться соли ВХ и BY и, наконец, нри третичном — соли ВХ, BY и AY, т. е. соли стабильной пары и одна из нестабильных, та, которая была в избытке по сравнению с количеством, нужным для реакции (I). Системы, на диаграммах которых имеется квазибинарное сечение, в нашей литературе, по предложению Бергмана и Домбровской [2, 3], принято называть необратимо-взаимными. На диаграммах необратимо-взаимных систем нонвариантные точки — эвтектики — лежат но разные стороны стабильной диагонали. [c.262]

Таким образом, в четверной системе первичной кристаллизации отвечают объемы, вторичной — поверхности кристаллизации, или поля, третичной — линии кристаллизации и, наконец, четвертичной — нонвариантная точка. Поверхности кристаллизации иногда называют пограничными поверхностями, так как они разграничивают объемы кристаллизации. Равным образом линии кристаллизации называют иногда пограничными кривыми, или пограничными линиями, так как они разграничивают поля кристаллизации. [c.316]

Составы растворов, которые находятся в равновесии с тремя твердыми фазами и из которых при отнятии теплоты эти три фазы выделяются, изображаются точками на линии, называемой линией третичного выделения или третичной кристаллизации. Таких линий в нашей пространственной диаграмме четыре линия совместной кристаллизации А, Б и В — ЕЕ В, С и В — ЕЕ , А, С и В — ЕЕд, А, В и С — ЕЕ . [c.317]

Часто поверхности вторичной кристаллизации называют поверхностями двойных эвтектик, а линии третичной кристаллизации —. линиями тройных эвтектик, что вряд ли целесообразно (см. гл. ХУП). [c.319]

Всматриваясь в диаграмму, легко увидеть, что если одну из кривых третичных выделений принять за направляющую, а прямую, пересекающую ее и проходящую через соответствующую вершину тетраэдра, за образующую, то движением этой прямой будет образована коническая поверхность. В каждом объеме первичного выделения можно провести три таких конических поверхности. Этот объем делится ими па три объема, обладающие тем свойством, что для всех смесей, фигуративные точки которых попадают в одну и ту же такую часть объема кристаллизации, вторым начинает кристаллизоваться один и тот же компонент. [c.319]

Согласно Добровскому , вновь образованные орторомбические кристаллы гопеита 2пз(Р04)г 4НгО были обнаружены в зубных цементах с помощью рентгенограмм. Замечательно высокое постоянство объема цементов этого типа имеет особое значение при их практическом применении. Об очень медленной кристаллизации третичных фосфатов см. также работу Ратье .. [c.831]

Обычно реакция протекает при 15—150 ат и 200—350 °С. В одном из процессов, разработанных недавно, л4-ксилол окисляют в смеси с п-ксилолом в присутствии ацетата марганца и бромистого аммония при 14—28 ат и 200 °С. Смесь полученных при этом изо- и терефталевой кислот можно разделить фракционной кристаллизацией их солей с третичными аминами или используя тот фактор, что скорости их этерификации различны. [c.174]

Этот метод синтеза удобен в тех случаях, когда требуется очистка третичного амина путем кристаллизации четвертичной соли или при получении четвертичной соли непосредственно в процессе синтеза. Наиболее подходящим реагентом для расщепления четвертичных солей, по-видимому, является алюмогидрид лития (пример а), но для этой же цели могут применяться и другие реагенты, которые иногда даже меняют направление расщеиления. Примером может служить расщепление соли иодистого метила с М-метйлтетрагидро-изохинолином [148, 149] (гл. 1 Алканы, циклоалканы и арены , разд. А.4) [c.491]

При гидролизе Г. сначала омыляется кислотный остаток у углеродного атома в -положении это дает возможность получать а-моноглицериды из а, -диглицеридов и а, а -ди-глицериды из триглицеридов. Кислотные остатки Г. в присут. к-т претерпевают внутри- или межмолекулярную миграцию. Так, -моноглицерид и а, -диглицериды легко перегруппировываются в моно- и диглицериды с кислотными остатками у а и а атомов углерода. При получении Г. этерификацией глицерина кислотные остатки присоединяются сначала ко вторичным атомам углерода, а затем-к третичному. Триглицериды карбоновых к-т С4-С,8-составная часть растит, масел и животных жиров. В пром-сти триглицериды высших карбоновых к-т выделяют фракц. кристаллизацией прир. жиров. Моноглицериды получают взаимод. триглицеридов с глицерином (образующиеся продукты содержат примеси ди- и триглицеридов) [c.584]

Для получения 8-метилксантогената алкоголят исходного спирта нагревают со смесью и СНз1. Образовавшийся З-метилксантогенат вьщеляют (кристаллизациеи или др. методами) и нафевают (100-250 °С) в течение неск. часов. Наиб, лежо (уже в момент образования) происходит разложение 8-метилксантогенатов третичных спиртов и неск. труднее -вторичных. Применение Ч. р. к первичным спиртам офаничено. [c.394]

Перегнанная смесь анилина и 4-третичного бутиланилина отделяется от воды, сушится твердым едким кали, и из смеси отгоняется анилин, составляющий фракцию, кипящую до 192° получают 14—15 г анилина (45—49% от теоретич,, считая на взятый ацетанилид). Остаток (7—8 г) суспензируют в воде и к суспензии прибавляют 10 г уксусного ангидрида. Выпавшее ацетильное производное отфильтровывают и перекристаллизовывают из разбавленного спирта. После двукратной кристаллизации получают 7—8 г (11—13% от теоретич., считая на ацетанилид) 4-третичного бутилацетанилида, плавящегося Йо 166—168°. По литературным данным, т. пл. п-третичного бутилацетанилида 170°. [c.135]

До некоторой степени разделение изомеров было достигнуто дробной кристаллизацией чрезвычайно легко кристаллизующихся тетрафенилборатов при этом тетрафенилборат мускарина накапливается в головных фракциях. К аналогичному обогащению приводит хроматографирование тетрафенил-боратдв в ацетоновом растворе на нейтральной окиси алюминия и хлоридов в изопропиловом спирте на кислой окиси алюминия. Однако от этих и других подобных приемов отказались, когда была выявлена возможность разделения третичных нороснований. [c.453]

Главным методом, с помощью которого в настоящее время определяется третичная структура белка, является рентгеноструктурный анализ кристаллических образцов. Для рентгеноструктурного анализа необходимо получение монокристаллов белков. Проблема кристаллизации часто оказывается весьма сложной и требует не только соответствующего методического арсенала, но и высокого экспериментального искусства, а порой и просто везения. Для анализа кристаллов относительно простых соединений можно пользоваться так называемыми прямыми методами. В большинстве случаев оказывается необходимо ввести в молекулу белка тяжелый атом (например, атом ртути), причем так, Зтобы пространственная структура белка суш ественно не искажалась — это известная проблема изоморфного замещения. Кристалл изоморфного производного белка и служит основным объектом исследования. [c.99]

Кристаллизация одного компонента в данном случае называется первичи.ым выделением, или первичной кристаллизацией двух компонентов — вторичной, а трех — третичной кристаллизацией. Данные здесь определения верны лишь для этого простого случая. Для более сложных, инконгруэнтных (см. стр. 48) процессов кратность кристаллизации указывает на число твердых фаз, находящихся в равновесии с жидкой, так что, например, если при отнятии от системы теплоты одна [c.75]

Обращаем внимание на то, что, применяя эти термины, мы, однако, не имеем в виду последовательность кристаллизаций, а исключительно число фаз, находящихся в равновесии с жидкостью. Заметим, что могут быть случаи, когда нри вторичной кристаллизации происходит растворение одной фазы и выделение другой, а при третичной кристаллизации — растворение не только одной, а даже двух фаз при одновременном выделении третьей. Однако эти так называемые инкогрузнтные процессы отсутствуют при затвердевании рассматриваемой здесь системы. Мы встретимся с ними позднее (см. раздел XVIII.4). [c.183]

Наконец, все три поля, а также все три линии вторичных выделений пересекаются в одной точке , обладающей некоторыми замечательными свойствами во-первых, она является самой низкой точкой ликвидуса и поэтому отвечает самому низкоплавкому снлаву системы во-вторых, она изображает третичную кристаллизацию, так как лежит одновременно во всех трех нолях компонентов. Поэтому рассматриваемая точка, как отвечающая равновесию ншдкостн с тремя твердыми фазами, выражает некоторое условно-нонварнантное равновесие (см. раздел ХУ1.3). Отсюда следует, что во все время третичной кристаллизации до полного затвердевания температура системы и состав жидкой фазы должны оставаться постоянными, а твердые фазы должны выделяться количественно в тех же отношениях, в каких они присутствуют в жидкости. Таким образом, явления, происходящие при кристаллизации сплава, состав которого отвечает точке Е, аналогичны явлениям, происходящим при кристаллизации эвтектических сплавов двойных систем, вследствие чего точка Е носит название эвтектической, а соответствующие ей сплав и температура называются эвтектическими. Однако так как здесь мы имеем дело с эвтектикой тройной системы, то применяют термины тройная эвтектика, тройная эвтектическая точка, тройной эвтектический сплав эвтектическую точку и эвтектический сплав называют также одним словом — эвтектика. [c.185]

При продолжающемся охлаждении фигуративная точка жидкой фазы придет в конце концов в точку тройной эвтектики ( на рис. XVII.1, ее проекция Е на рис. XVII.2), и в этот момент начнется третичное выделение — одновременная кристаллизация трех твердых фаз А, В и С. Мы уже знаем, что этот процесс происходит при постоянной температуре, и поэтому на кривой охлаждения ему отвечает горизонтальный участок ЕО (см. рис. [c.187]

При достижении фигуративной точкой жидкости тройной эвтектической точки Е (см. рис. XVII.2) состав твердой части системы дается точкой Р пересечения стороны АВ треугольника АВС с прямой РЕ, соединяющей точку Е с исходной точкой Р. В этот момент твердая часть системы состоит из смеси А и В, а отношение количества твердой части к количеству жидкой равно РЕ РЬ. В ближайший момент начинается третичное выделение или кристаллизация тройной эвтектики. Состав жидкости при этом не меняется, а изображается точкой Е. Валовой состав системы все время соответствует исходной точке/. Поэтому в процессе третичной кристаллизации точка, изображающая полный состав твердой части системы, двигается по прямой ЬЕ от Ь к Р я подходит к этой последней точке в тот момент, когда затвердевание полностью оканчивается. [c.188]

Теперь разберем разные случаи затвердевания нашей системы. Общий случай нами рассмотрен выше (см. раздел XVII.3) он характеризуется при охлаждении расплавленной системы первичной кристаллизацией, затем вторичной и, наконец, третичной — эвтектической. Соответствующая ему кривая охлан<дения изображена кривой I на рис. XVII.3. Она состоит из пяти частей, отвечающих охлаждению жидкости, выделению одного компонента, совместному выделению двух, затем трех компонентов и, наконец, охлаждению затвердевшей системы и имеет два замедления и одну остановку, т. е. три критические точки. Если фигуративная точка взятого исходного сплава лежит на вертикали, проходящей через кривую вторичного выделения, то по достижении ею этой кривой сразу начинается вторичная кристаллизация, а первичная отсутствует. На рис. ХУП.З кривая II — пример кривой охлаждения для этого случая. [c.191]

В объеме вторичной, а указанное ребро лежит в плоскости солидуса, т. е. плоскости третичной кристаллизации. На рис. ХУП.З дан пример кривой охлаждения для этого случая (кривая III). Наконец, если фигуративная точка системы лежит на вертикали, проходящей через тройную эвтектическую точку, то и первичная, и вторичная кристаллизация отсутствуют, и по достижении этой точкой тройной эвтектики наступает сразу третичная кристаллизация. На рис. ХУП.З дана кривая охлаждения для этого случая (кривая /У) мы видим, что она аналогична кривой охлаждения индивидуального вещества. Таким образом, площадь треугольника на плоской диаграмме (рис. ХУП.7, а) может быть разбита на шесть частей, причем характер протекания процессов кристаллизации зависит от того, в какую часть и куда именно, т. е. внутрь ее или на границу (и на какую именно границу), попадает фигуративная точка системы. В табл. ХУП.1 приведены относящиеся сюда выводы. Таблица XVII.1. Характер протекания процессов кристаллизации тройной системы в зависимости от состава исходной смеси [c.192]

Перейдем к той части нашего сечепия, которая лежит между кривой а е с и прямой а с . Возьмем сплав IH так как он лежит на прямой АЕ (см. рис. XVII.7,а), то у него после первичной кристаллизации следует третичная. Состояние, отвечающее третичной кристаллизации этого сплава, изображается точкой Аналогично для сплава VII получим точку g. Далее возьмем сплав II. У него при первичной кристаллизации происходит выделение А, а при вторичной — совместное выделение А и В. Отметим на вертикали II (см. рис. XVII.7,б) температуру начала этого вторичного выделения, соединим полученную точку непрерывной линией с точками и / и получим кривую a f, отделяющую на пашем сечении область первичной кристаллизации компонента А от области вторичной кристаллизации компонентов А и В. Аналогичным образом при помощи сплавов IV, VI и VIH построим кривые / е , g и g i, отделяющие области первичных и вторичных выделений. При построении таких разрезов следует при помощи правила фаз (см. раздел XVI.3) проверить наклон вычерченных линий, помня, что нонвариантное равновесие протекает при постоянной температуре и поэтому ему обязательно соответствует горизонтальная прямая. [c.195]

При затвердевании сплава V (точка г) после первичной кристаллизации сразу следует третичная — это позволит нанести точку г на наш разрез (см. рис. XVII.7, в). Далее наносим на него точки о и р, пользуясь тем обстоятельством, что у сплавов III и VII отсутствует первичная кристаллизация. Сплавы II, IV, VI и VIII дают возможность получить промежуточные [c.195]

Можно, пожалуй, говорить еще о пятнадн,атом пространстве — пространстве третичной (эвтектической) кристаллизации оно вырождено в плоскость тройной эвтектики (высота этого пространства имеет нулевое значение). [c.252]

XIX.28, б, но с указанием фазового состава затвердевшего сплава в зависимости от области диаграммы, в которую попадает его фигуративная точка. Рассматриваемая область диаграммы, соответствуюш ая сплавам, затвердевающим в тройной твердый раствор, обозначается а, р или у. Все остальные области застывают в лмеханические смеси, фазовый состав которых и указывается на соответствующих областях диаграммы каждый такой состав дается в виде суммы двух или трех слагаемых. Первое слагаемое, состоящее из одного чле1га, указывает иа фазу, кристаллизующуюся в процессе первичного выделения второе слагаемое, состоящее, в свою очередь, из суммы двух членов, указывает па фазы, кристаллизующиеся в процессе вторичного выделения наконец, третье слагаемое, представляющее собой сумму трех членов, указывает иа фазы, кристаллизующиеся в процессе третичного выделения. Например, символ р 4- (а + Й + + Р + Т) указывает на то, что в процессе первичного выделения кристаллизуется фаза р, в процессе вторичного — смесь фаз а и р, и процесс заканчивается третичным выделением — кристаллизацией эвтектики. Напомним, что расплавы, фигуратив-н ые точки которых лежат на кривых вторичных выделений, не имеют первичной кристаллизации, а если эти точки попадают на отрезки, соединяющие тройную эвтектику с а , р , то в процессе кристаллизация отсутствуют вторичные выделения. [c.254]

Перейдем теперь к построению политермических, т. е. вертикальных, сечений. Рассмотрим три таких сечения AD, FD и GH (рис. XIX.32, а). Начнем с разреза AD, проходящего через вершину А. Этот разрез изображен на рис. XIX.32, б. Пересечение поверхности ликвидуса состоит из двух частей А НГ и В НГ. Приступим к построению линии пересечения солидуса для этого рассмотрим, чем оканчиваются процессы кристаллизации разных сплавов нашего разреза. Кристаллизация всех сплавов, фигуративные точки которых лежат менеду II и V, оканчиваются третичным выделением, являющимся нонвариантным процессом поэтому пересечение поверхности солидуса между точками II ж V представляет собой прясмолииейный отрезок [c.254]

Разрез FD, параллельный стороне АВ треугольника АВС, изображен на рис. XIX.32, е. Пересечение поверхности ликвидуса состоит из частей F lII и D lir, соответствующих первая — выделению а, вторая — выделенивз р. Пересечение поверхности солидуса состоит из трех частей часть I V расположена между точками / и F нашего разреза и представляет собой прямолинейный горизонтальный отрезок, так как сплавы этой части разреза заканчивают свое застывание кристаллизацией тройной эвтектики. Сплавы частей разреза FI и VD закапчивают затвердевание вторичной кристаллизацией, поэтому соответствующие части сечения поверхности солидуса — линии F"I и D"V заканчиваются в точках F" и D", высоты которых определяются температурами кристаллизации эвтектик в двойных системах А—С и В—С. У сплавов отрезка FII после первичного выделения а следует вторичное выделение а и у. Поэтому на разрезе должна быть линия Р"1Г, раз-деляюп],ая эти области. Точка F" лежит на эвтектической прямой двойной си стемы —С точка II — па прямой I V, так как она находится на прямой Q ZI (см, рис. XIX.32, а), а у отвечающего ей сплава пос.пе первичной кристаллизации наступает непосредственно третичная. По совершенно аналогичным соображениям соединяем точки IV и D" кривой IVD". Сплавы части разреза II IV после первичного выделения а или р претерпевают вторичное (а -)- Р) но сплав III не имеет первичного выделения, а дает сразу вторичное. Поэтому следует соединить точку ПГ с точками II и IV линиями П НГ и IV Iir, которые и отделяют области первичных выде,пений ос или Р от области вторичного выделения а + р. [c.256]

Процесс охлаждения расплава произвольной системы будет протекать так сначала идет охлаждение жидкости, затем начинается выделение одного компонента (первичное выделение, или первичная кристаллизация), потом идет совместное выделение первого и второго (вторичное выделение, или вторичная кристаллизация), затем совместное выделение трех компонентов (третичное выделение, или третичная кристаллизация), и наконец, совместное выделение всех четырех компонентов (четверное выделение, или четвертичная кристаллизация). Напомним (см. гл. ХУП), что, вообще говоря, кратность кристаллизации указывает не на стадию, но на число твердых фаз, находящихся при данном процессе в равновесии с жидкой фазой. При этом, однако, не обязательно, чтобы все эти твердые фазы выделялись из жидкой. При инконгруэнтном процессе некоторые из них не выделяются, а, наоборот, растворяются. В нашем случае кратность кристаллизации соответствует стадии, а все твердые фазы, находящиеся в равновесии с жидкостью, при отнятии теплоты выделяются. Кратность кристаллизации и вариантность равновесий в рассматриваемой четверной системе приведены в табл. ХХ111.1. [c.316]

Таким образом, наша фигуративная точка находится одновременно на двух новерхностях на поверхности вторичного выделения е ЕуЕЕ и на плоскости, проходяще через ребро тетраэдра АВ и точку С, т. е. на линии их пересечения СН. При дальнегшем охлаждении системы она будет двигаться по этой линии, удаляясь от точки С. В конце концов настанет момент, когда эта фигуративная точка придет в точку Н, лежащую на линии Е Е третичного выделения компонентов А, С, В. Теперь жидкая фаза насыщена этим тремя компонентами. При дальнейшем охлаждении нашей системы будет происходить одновременная кристаллизация всех этих трех веществ, и фигуративная точка жид ОЙ фазы пойдет по линии третич1 ой ристаллизации ЕдЕ, удаляясь от точки Н и приближаясь к точке Е (четверной эвтектики). По достижении последней наступит четвертичная кристаллизация — одновременное выделение всех четырех компонентов А, В, С, В. Равновесие здесь будет условно-но вариа Тным (пять фаз — четыре твердых и одна жидкая). Поэтому и температура, и состав жидкой фазы будут оставаться посто- [c.318]

Справочник химика 21

Химия и химическая технология