Дислокация призматическая

В зависимости от положения на поверхности дислокационные петли можно разделить на дислокации двух типов. Дислокационная петля первого типа (см. рис. 85, а) посредством скольжения может быть сделана бесконечно малой, т. е. может быть стянута в точку на поверхности 5ск. Скольжение дислокации второго типа на поверхности 5ск (см. рис. 85, 6) никогда не может сделать дислокационную петлю бесконечно малой. В таком случае перемещение дислокации по поверхности скольжения называется призматическим скольжением. Дислокационная петля второго типа имеет наименьшие размеры, когда она лежит в плоскости, перпендикулярной вектору Ь. Плоская дислокационная петля, вектор Бюргерса которой перпендикулярен ее плоскости, называется призматической дислокацией. [c.253]

Реальный кристалл обычно содержит большое число дислокаций, линии которых сложным образом переплетаются. Но неизменность вектора Бюргерса вдоль дислокации приводит к тому, что линия изолированной дислокации должна быть либо замкнутой, либо выходить своими концами на поверхность кристалла. Предельными и наиболее простыми формами, которыми могут обладать дислокации указанных двух типов, является форма круговой дислокационной петли и форма прямолинейной дислокации. В диффузионной кинетике основную роль играют прямолинейные краевые дислокации и кольцевые призматические петли. [c.317]

Поскольку любая круговая дислокация испытывает действие силы собственного натяжения, стремящейся сократить ее, то свободная призматическая дислокационная петля всегда имеет тенденцию раствориться в кристалле, испустив соответствующее количество точечных дефектов. В равновесных условиях эта тенденция сдерживается либо внешней нагрузкой, либо пересыщением точечных дефектов в кристалле. [c.321]

Рис. 8. Концентрические призматические петли в графите. Дефект упаковки дает контраст между двумя концентрическими призматическими дислокациями.

Можно указать две причины, по которым скользящие дислокации должны взаимодействовать с призматическими петлями. [c.63]

Для всех видов искусственного и природного графита свойственны различные устойчивые дефекты структуры. К ним относятся дефекты слоевой укладки, двойники, винтовые и краевые дислокации, "дырочные" дефекты (отсутствие группы или одного атома), внедренные атомы элементов. Наличие дефектов обусловливает изменение в весьма широком диапаэойе механических, теплофизических, полупроводниковых и других практически важных свойств углеродных материалов. На некоторые свойства влияют также генероатомы, входящие в углеродные материалы в составе функциональных группировок, расположенных на призматических гранях кристаллов графита. [c.13]

I — зернограничные пыделения (ЗГВ) 2 — места вытравленных (выкрошившихся) ЗГВ при препариропанни, 3. 3 — дислокации (3 — дислокационный диполь) 4 — дислокационные призматические петли СГ — субграница, образованная набором дислокаций ПС — полоса скольжения, образованная компланарной последовательностью дислокаций Д — дисперсоид рябь по полю зерен — дисперсные внутризеренные выделения светлые полосы вдоль границ зерен —. зоны, свободные от выделения (ЗСВ) [c.384]

Рассмотрим круговую призматическую петлю, лежащую в плоскости хОу. Введем единичный вектор нормали к плоскости призматической дислокации п и свяжем его направление с направлением обхода дислокационной петли (например, по правилу винта . Оказывается, что в зависимости от взаимной ориентации п и вектора Бюргерса Ь призматические дислокации делятся на два типа 1) пЬ = Ь > О и 2) пЬ == —Ь < 0., Дислокации первого типа ограничивают участки лишнего материала, внедренного в кристаллическую решетку (рис. 110, верхняя схема). Поскольку лишний материал образует моноатомный слой, то его можно представить себе как макроскопическое плоское скопление междоузельных атомов. На этом основании соответствующие призматические дислокации будем называть дислокациями междоузельного типа или просто междо-узельными дислокациями (МД). Дислокации второго типа ограничивают участки кристаллической плоскости, с которых как бы удален материал (рис. 110, нижняя схема). Очерченную такой дислокацией часть атомной плоскости можно считать заполненной моноатомным слоем вакансий, поэтому соответствующую петлю мы будем называть дислокацией вакансионного типа, вакансионной дислокацией (ВД). Приведенные выше названия призматических дислокаций двух типов связаны также с возможным механизмом их образования. Дело в том, что при значительном пересыщении междоузельные атомы в кристалле коагулируют и собираются в плоские диски. Когда такой диск простирается на макроскопическое расстояние, его контур превращается в междоузельную дислокацию. Аналогично может возникнуть плоское скопление вакансий, образующее сплющенную полость в кристалле. Если радиус этого скопления значительно превышает межатомное расстояние, то противолежащие друг другу берега полости сближаются до межатомного расстояния, и полость захлопывается. Контур захлопнувшейся полости превращается в вакансионную дислокацию. [c.320]

Допустим теперь, что кристаллический образец содержит призматические дислокации двух типов (МД и ВД), различным образом ориентированных в пространстве. Предположим, что кристалл подвергнут растяжению вдоль оси г (а = (т) и рассмотрим упругую силу, действующую на единичный элемент длины дислокационной петли при подобном нагружении. Эта сила складывается из двух частей. Во-первых, имеется упомянутое выше упругое самодействие искривленной дислокации, проявляющееся в линейном натяжении и приводящее к силе ОЬУЯ, которая стремится уменьшить размеры дислокации и направлена в плоскости петли к ее центру. Во-вторых, в параллельном направлении (направлении переползания дислокации) действует упругая сила = Ьп а скп , где знак плюс относится к междоузельной дислокации, а знак минус — к вакансионной дислокации. Если отличен от нуля только элемент = а тензора напряжений, мы имеем [c.321]

Призматические петли, окаймленные частичными дислокациями, возникают в результате изменения положения полуплоскости внутри решетки. Рассмотрим сначала включение части плоскости с в виде диска, как это имеет место в случае, когда промежуточные плоскости выпадают. Между слоями а н Ь образовались бы слои в с-положении. При этом возникла бы (рис. 9,6) частичная дислокация с вектором Бюргерса (с/2) [0001], т. е. оТ (или аЗ), окаймляюш,ая дефект упаковки типа (3) с упаковочным символом [c.20]

Оригинальный метод возможного обоснования экспоненциального закона был предложен Хиллом [64]. Исходя из результатов исследования реакций перманганата калия и металлов Хилл пришел к выводу, что впереди продвигаюш,ейся поверхности раздела ядра существуют зародыши ядер, для активации которых необходимо лишь, чтобы они могли захватывать ионы продукта реакции, диффундирующие вдоль подходящих для их движения путей впереди фронта реакции. Он предполагает, что если ядро образуется в узле сетки дислокаций, то ионы продукта могут диффундировать вдоль дислокаций в соседние узлы, где они и образуют новые активно растущие ядра. Он разработал математическую форму этой модели и показал, что при известных условиях эта модель приводит к экспоненциальному закону. В возможности существования механизма Хилла не приходится сомневаться однако следует указать, что он объясняет только более высокую скорость образования ядер по соседству с растущими ядрами. Другая возможность такого рода инфекции, которая может иметь место даже в отсутствие электронной и ионной подвижности, рассмотрена в предыдущем параграфе. Это автокаталитическая активация преимущественно вдоль линейных дислокаций, вызванная просто более низкой энергией активации но пути дислокаций. Следует также учитывать 1) сдвиги по границам зерен впереди продвигающейся границы раздела, вызывающие образование трещин, на которых ядра могут возникать в результате трибохимических процессов 2) захват на изломах дислокаций электронов, отдаваемых ядрами металла в результате термического возбуждения и главным образом 3) образование в результате объемных деформаций спиральных и призматических дислокаций, как описывают этот процесс Митчелл и соавторы [65]. [c.61]

Дислокационная модель разрушения кристаллов. В работах [923—944] предприняты попытки объединить представления теории дислокаций и кинетической концепции разрушения. Такой подход к решению проблемы разрушения кристаллических тел привлекателен тем, что учитывает реальные особенности строения продеформированных кристаллов — наличие дислокаций, которые во многом предопределяют механические свойства. Существование дислокаций обеспечивает возможность образования устойчивых трещин в телах, не содержащих грубых дефектов. Согласно оценкам [967] в кристаллах могут существовать тонкие плоские трещины с линейными размерами вплоть до 10 —Ю СуИ. Если бы вокруг этих трещин не было дислокаций, то трещины самопроизвольно захлопывались бы с образованием призматических дислокаций, поскольку упругая энергия дислокации меньше, чем поверхностная энергия трещины. При наличии скопления дислокаций становится возможным возникновение трещин. Как показано в [968], если ряд одноименных дислокаций останавливается препятствием, то большие перенапряжения вблизи головной дислокации могут вызвать локальное разрушение связей и образование микротрещин. [c.477]

Механизм ползучести гетерофазных сплавов имеет свои особенности. При достаточно высоких температурах Т >0,5Гпл и относительно низких напр51ж ениях а<(10...3)С скорость ползучести контролируется процессом динамического возврата [30] квазиравновесной дислокационной структуры [23, 35, 93, 129, 170, 171]. Недеформируемые частицы упрочняющей фазы могут преодолеваться дислокациями путем поперечного скольжения и переползания. Если процесс возврата осуществляется поперечным скольжением, то при взаимодействии дислокаций с частицами образуются сидячие призматические петли и геликоиды [216], результатом чего является деформационное упрочнение. При этом возврат не может произойти полностью и нельзя ожидать возникновения квазистационарной ползучести. При повышении температуры становится возможным переползание дислокаций, возврат происходит полностью и ползучесть приобретает стационарный характер [129]. [c.12]

Считается, что важными источниками дислокаций в кристаллах, выращиваемых из расплава, являются призматические дислокационные петли. Эти петли образуются в условиях пересыщения вакансиями при температурах ниже точки плавления в результате захлопывания вакансионных дисков радиусом —10Ь и могут служить источниками дислокаций при последующей деформации кристалла [67]. Теоретический анализ, п])Оведенный в [68], показывает, что корщенсация неравновесных вакансий является реальным механизмом зарождения дислокаций в г.ц.к.-металлах, выращиваемых из расплава. В монокристаллах элементарных полупроводников отсутствуют прямые экспериментальные доказательства действия призматических вакансионных петель в качестве источников дислокаций, хотя принципиально такая воз-монлпость пе исключена. В случае выращивания кристаллов полупроводниковых соединений, содержащих летучий компонент, важным дополнительным источником дислокаций может являться отклонение состава от стехиометрии, что было продемонстрировано па примере GaAs [5, 69]. [c.90]

Справочник химика 21

Химия и химическая технология