Дислокация вакансионная

Поскольку размер атомов гелия несколько больше, чем атомов бериллия (гне=1,22 А [79], гве=1Л5 А [80]), то можно ожидать, что они будут объединяться с вакансиями, образуя атомно-вакансионные пары или группы. Кроме того, энергетически выгодно, чтобы гелий накапливался у дислокаций и границ зерен. Энергия взаимо- [c.34]

Рис. 110. Вакансионная дислокация (ВЩ и междоузельная дислокация МД) как контуры плоских скоплений вакансий или междоузельных атомов.

В зависимости от знака вектора Бюргерса дислокации и от типа дислокационной петли (внедрения или вакансионного типа) изображение дислокации оказывается по разную сторону от проекции самой дислокационной линии (рис. 21.26). Однако положение этой проекции заранее неизвестно и решение задачи невозможно без специального анализа с изменением оптических условий (вектора действующего отражения, знака [c.512]

Вакансионные зародыши возникают не только в точке выхода дислокации они образуются также (но с более высокой энергией активации) на идеальных поверхностях кристалла в процессе испарения. Вакансионные зародыши представляют аналог двухмерных зародышей, возникающих при росте кристаллов (см. 13.4). Исходной точкой для возникновения вакансионных зародышей являются прежде всего отдельные пары вакансий на поверхности, которые возникают и исчезают статистически (рис. 14.6,Л). Из этих отдельных вакансий возникают скопления вакансий (рис. 14.6,Б), которые вначале неустойчивы и расширяются только тогда, когда их размеры превысят критическую величину (рис. 14.6, В). Процесс испарения определяется этими сверхкритическими зародышами. [c.352]

Рис. 15.8. Образование двухмерного вакансионного зародыша на идеаль ной поверхности кристалла (а) и возле винтовой дислокации (б)

Для расчета свободной энтальпии образования одного вакансионного зародыша АО используем модель, приведенную на рис. 15.8. Здесь изображена схематично ямка травления атомной глубины (двухмерный вакансионный зародыш) в виде цилиндра с радиусом г и высотой/1 на идеальной поверхности кристалла и на поверхности, нарушенной винтовой дислокацией. Для обоих вакансионных зародыщей необходимо подсчитать работу их образования. [c.404]

Дэш высказал предположение, что можно облегчить движение дислокаций к поверхности, обеспечив соответствующий запас вакансий, которые способствовали бы переползанию дислокаций. Для этого нужно создать в кристалле вакансионное пересыщение и предотвратить диффузию вакансий к поверхности. Этому способствует закалка. При выращивании это невозможно осуществить, но хорошие результаты дает быстрое выращивание в условиях большого температурного градиента, особенно на первых стадиях, когда осуществляется сужение. Установлено, что такой прием содействует переползанию дислокаций. [c.215]

При быстрой кристаллизации солей в кристаллах образуется значительное число вакансий, которые неравномерно распределены по объему кристалла в области растягивающих напряжений их концентрация повышена, сжимающих — понижена. В соответствии с этим — под вогнутой поверхностью кристаллической частицы вблизи пор или трещин концентрация вакансий выше равновесной при данной температуре. При старении вакансии из приповерхностных слоев диффундируют к поверхности кристаллов, где взаимодействуют с приповерхностными дислокациями. Часть вакансий в глубине кристаллов коалесцирует, образуя вакансионные кластеры или так называемые отрицательные кристаллы . Некоторые из них остаются плоскими и превращаются в краевые дислокации, которые, взаимодействуя с дислокациями, возникающими при росте кристалла, образуют пространственную дислокационную сетку, разделяющую почти бездислокационные блоки размером 10- —10— мм (рис. 2-15) [59]. [c.63]

Проанализируем формулу (2). При относительной малости величины против Кду в недеформированном металле суммарный объем содержащихся в металле газов при нормальной температуре и давлении соизмерим с объемом собственно металла и количество растворенного газа достаточно для заполнения всех межатомных пустот - дислокаций (10 - 10 ° на см ), вакансий и поровых объемов включений. В процессе пластической деформации металла вакансионные и дислокационные потоки накачивают поровый объем включений газом, повышая его плотность пропорционально приложенной деформационной нагрузке. Таким образом, слагаемое Уд/Ед, учитывая близость к нулю Ед, для пустот данных включений становится определяющим в суммарной величине накопленной упругой энергии деформации металла. [c.23]

Рассмотрим круговую призматическую петлю, лежащую в плоскости хОу. Введем единичный вектор нормали к плоскости призматической дислокации п и свяжем его направление с направлением обхода дислокационной петли (например, по правилу винта . Оказывается, что в зависимости от взаимной ориентации п и вектора Бюргерса Ь призматические дислокации делятся на два типа 1) пЬ = Ь > О и 2) пЬ == —Ь < 0., Дислокации первого типа ограничивают участки лишнего материала, внедренного в кристаллическую решетку (рис. 110, верхняя схема). Поскольку лишний материал образует моноатомный слой, то его можно представить себе как макроскопическое плоское скопление междоузельных атомов. На этом основании соответствующие призматические дислокации будем называть дислокациями междоузельного типа или просто междо-узельными дислокациями (МД). Дислокации второго типа ограничивают участки кристаллической плоскости, с которых как бы удален материал (рис. 110, нижняя схема). Очерченную такой дислокацией часть атомной плоскости можно считать заполненной моноатомным слоем вакансий, поэтому соответствующую петлю мы будем называть дислокацией вакансионного типа, вакансионной дислокацией (ВД). Приведенные выше названия призматических дислокаций двух типов связаны также с возможным механизмом их образования. Дело в том, что при значительном пересыщении междоузельные атомы в кристалле коагулируют и собираются в плоские диски. Когда такой диск простирается на макроскопическое расстояние, его контур превращается в междоузельную дислокацию. Аналогично может возникнуть плоское скопление вакансий, образующее сплющенную полость в кристалле. Если радиус этого скопления значительно превышает межатомное расстояние, то противолежащие друг другу берега полости сближаются до межатомного расстояния, и полость захлопывается. Контур захлопнувшейся полости превращается в вакансионную дислокацию. [c.320]

Установлено, что реакционными областями в кристаллах азидов тяжелых металлов (АТМ) являются вакансионные кластеры, образованные краевыми дислокациями и точечными дефектами в приповерхностной области кристалла на глубине не более 5 мкм. Это подтверждается тем, что вакансионный кластер и реакционная область совпадают пространственно, а также тем, что после ввода свежих дислокаций время образования вакан-сионного кластера совпадает со временем образования реакционной области. Экспериментально установлено, что для образования реакционной области необходимы два условия наличие краевой дислокации концентрация положительно заряженной примеси должна быть не менее 10 см . [c.92]

Такие поверхностные барьеры на пути выходящих дислокаций могут иметь различную природу — окисныеи солевые пленки, поверхностные упрочненные слои, вакансионные комплексы, выделения и др. Скорость прохождения дислокаций сквозь более или менее прозрачные барьеры и размеры заторможенных подповерхностных дислокационных скоплений зависят от условий деформирования — скорости, температуры и др. Поэтому действие таких барьеров сказывается на характере стадий легкого скольжения и деформационного упрочнения, а также на скорости ползучести, тогда как непрозрачные барьеры (например, толстые и прочные поверхностные пленки) оказывают влияние на величину критического скалывающего напряжения. [c.144]

Обращают на себя внимание малые значения толщины диффузионной зонь1, составляющие единицы атомных монослоев, что не соответствует физ ическим представлениям о механизме объемной взаимодиффузии. Указанное противоречие разрешается, если принять, что наряду с вакансионным механизмом массотереноса в сплавах замещения заметный вклад в общий диффузионый поток (особенно при комнатной температуре) дает массоперенос по линейным и плоским дефектам структуры — дислокациям и межзеренным границам. [c.90]

Допустим теперь, что кристаллический образец содержит призматические дислокации двух типов (МД и ВД), различным образом ориентированных в пространстве. Предположим, что кристалл подвергнут растяжению вдоль оси г (а = (т) и рассмотрим упругую силу, действующую на единичный элемент длины дислокационной петли при подобном нагружении. Эта сила складывается из двух частей. Во-первых, имеется упомянутое выше упругое самодействие искривленной дислокации, проявляющееся в линейном натяжении и приводящее к силе ОЬУЯ, которая стремится уменьшить размеры дислокации и направлена в плоскости петли к ее центру. Во-вторых, в параллельном направлении (направлении переползания дислокации) действует упругая сила = Ьп а скп , где знак плюс относится к междоузельной дислокации, а знак минус — к вакансионной дислокации. Если отличен от нуля только элемент = а тензора напряжений, мы имеем [c.321]

Работа образования зародыша возле выхода дислокации (рис. 15.8,6). При наличии дислокационной линии можно по аналогии с (13.1) использовать для изменения свободной энтальпии при образовании вакансионного зародыша общее исходное выражение АС = —АОоб+ -ЬАОпов — АСе, причем последний член характеризует упругую энергию возле одной дислокации. Эта энергия, локализованная в объеме, равном объему вакансионного зародыша, освобождается при растворении. Так как значение АСе отрицательно, энергия активации при наличии дислокации снижается (по сравнению с ненарушенной поверхностью). Для двухмерного вакансионного зародыша цилиндрической формы, согласно рис. 15.8,6, получаем [c.405]

Выведенные уравнения для работы образования двухмерных вакансионных зародышей на конце дислокаци- [c.406]

Считается, что важными источниками дислокаций в кристаллах, выращиваемых из расплава, являются призматические дислокационные петли. Эти петли образуются в условиях пересыщения вакансиями при температурах ниже точки плавления в результате захлопывания вакансионных дисков радиусом —10Ь и могут служить источниками дислокаций при последующей деформации кристалла [67]. Теоретический анализ, п])Оведенный в [68], показывает, что корщенсация неравновесных вакансий является реальным механизмом зарождения дислокаций в г.ц.к.-металлах, выращиваемых из расплава. В монокристаллах элементарных полупроводников отсутствуют прямые экспериментальные доказательства действия призматических вакансионных петель в качестве источников дислокаций, хотя принципиально такая воз-монлпость пе исключена. В случае выращивания кристаллов полупроводниковых соединений, содержащих летучий компонент, важным дополнительным источником дислокаций может являться отклонение состава от стехиометрии, что было продемонстрировано па примере GaAs [5, 69]. [c.90]

Справочник химика 21

Химия и химическая технология