Монокристаллы выращивание из расплав

Рис. 69. Схема установки для выращивания монокристаллов но способу Киропулоса 1 — монокристалл 2 — расплав 3 — контейнер 4 — нагреватель. Стрелками показано направление охлаждающей жидкости (воды) или охлаждающего газа

Распределение температуры в расплаве и растущем кристалле имеет очень большое значение. Наиболее благоприятные условия для роста совершенного чистого монокристалла создаются тогда, когда температурный градиент вдоль оси слитка сравнительно высокий, а радиальные градиенты как в расплаве, так и в растущем монокристалле сведены к минимуму. Радиальные температурные градиенты существенно влияют на форму фронта кристаллизации, т. е. поверхности раздела кристалл— расплав. Отвод тепла от жидкого столбика, тянущегося за кристаллом, осуществляется через наружные слои. В этом случае фронт кристаллизации имеет выпуклую форму. Вогнутая поверхность образуется в конце процесса выращивания, когда расплава в тигле остается мало и растущая часть слитка оказывается в области высоких температур. [c.58]

СКИХ деформаций сдвига. Это вызовет при охлаждении кристал- лов образование структурных дефектов — дислокаций, плотность которых только по этой причине может достигнуть весьма больших значений (до 10 м" ). Структурные дефекты, как известно, ухудшают свойства кристаллов, поэтому при выращивании монокристаллов предпринимают различные меры, чтобы поверхность раздела кристалл — расплав имела плоскую форму. Сохранение плоского фронта кристаллизации важно также для равномерного распределения примесей в поперечном сечении монокристалла. Чтобы избежать этих недостатков и создать достаточно однородное распределение температуры в расплаве и кристалле, последний в процессе роста вращают со скоростью до 50 об/мин, а тигель вращают в обратном направлении со скоростью до 30 об/мип. [c.59]

При выращивании монокристаллов соблюдали все требования, предъявляемые в промышленных условиях. Из рабочего пространства печи откачивали воздух, включали нагреватель и после того, как материал в тигле расплавлялся, хорошо прогретую затравку опускали в расплав. Вместе с затравкой оказывались опущенными в расплав и собранные в кварцевых чехлах термопары. Их перемещение продолжалось до тех пор, пока чехлы с термопарами не упирались в дно тигля. С этого момента кварцевые чехлы оставались неподвижными в то время, как затравка могла свободно перемещаться до уровня расплава, так как диаметр верхнего вала был меньше внутреннего диаметра кварцевого кольца. Момент, когда опущенная затравка оказывалась хорошо смоченной расплавом, считали началом опыта. [c.116]

Свободная конвекция характеризуется потоком расплава от стенок тигля к кристаллу, затем, в связи с охлаждением, расплав под кристаллом опускается вниз ко дну тигля, далее, нагреваясь, поднимается вверх вдоль стенок тигля (рис. 81). Задача принудительной конвекции в расплаве при выращивании монокристаллов методом Чохральского близка к задаче о действии центробежного насоса, в котором слой жидкости около торца кристалла переносится параллельно его поверхности силами трения, а затем выбрасывается наружу под действием центробежной силы. На место отброшенной жидкости поступает другая, подтягиваемая к вращающемуся кристаллу вдоль оси системы [18]. Скорость осевого потока, направленного к кристаллу, быстро спадает вблизи его, так как здесь возникают радиальное и касательное течения. [c.210]

Если расплав и монокристалл имеют разную оптическую прозрачность, то это различие достаточно сложно учесть. Например, теплофизические свойства расплава оксида алюминия, измеренные экспериментально, имеют величину, сравнимую с теплофизическими свойствами монокристалла (А рад = 2,05 Вт/м-К, А к = 3,4 Вт/м-К). То есть при выращивании монокристаллов лейкосапфира вклад радиационной составляющей теплопереноса в общий теплообмен весьма значителен. Рассмотрение степени оптической [c.52]

Как уже отмечалось выше, при выращивании оптически прозрачных монокристаллов часто имеет место необычная ситуация расплав для тепловых лучей непрозрачен, а растущий монокристалл прозрачен [47]. Например, в случае оксида алюминия в области 0,6 мкм коэффициент поглощения [c.53]

Особенность выращивания монокристаллов из расплава состоит в том, что в процессе кристаллизации меняется пространственное расположение и число областей с различным агрегатным состоянием исходного материала (шихты), расплава и монокристалла. Очевидно, что существенно меняется и теплообмен с окружающими поверхностями. При этом следует иметь в виду, что в распределение тепловых потоков определенный вклад может внести скрытая теплота кристаллизации. Все это усложняет создание общей физической модели тепломассопереноса [47]. Поэтому целесообразно весь процесс выращивания монокристаллов разделить на отдельные этапы, для которых проще создать физическую модель. Так, например, в методе Багдасарова целесообразно рассмотреть четыре этапа и, соответственно, четыре состояния кристаллизационной системы [58]. Первый этап — состояние системы от момента перемещения контейнера до начала кристаллизации. Второй этап — равновесие в контейнере между исходной шихтой, расплавом и затравочным кристаллом. Третий этап — полное расплавление шихты в контейнере имеется только кристалл и расплав. Четвертый этап — охлаждение выросшего монокристалла. [c.58]

Как уже отмечалось, при выращивании монокристаллов имеет место частичное испарение основного вещества и примесей. Процесс испарения примеси можно оценить [96], введя следующие допущения расплав, [c.90]

Метод Киропулоса, как и метод Чохральского, относится к методам с неограниченным объемом расплава. В отличие от метода Степанова, для реализации метода Киропулоса не используются капиллярные силы. Этот метод заключается в том, что выращивание монокристаллов осуществляется непосредственно в расплаве путем плавного снижения температуры. При этом затравочный кристалл может возникать на специально вводимом в расплав холодильнике (за счет геометрического отбора). Используется также затравочный кристалл, предварительно укрепленный на холодильнике (рис. 69). [c.103]

Рис. 70. Схема установки для выращивания монокристаллов по методу Бриджмена а) 1 — контейнер 2 — расплав 3 — монокристалл 4 — нагреватель 5 — тепловая диафрагма (устанавливается в случае способа Стокбаргера) 6 — термопара 7 — механизм опускания контейнера с веществом. Распределение температуры вдоль печи при наличии тепловой диафрагмы б). Го — температура в диафрагме

Рис. 76. Схема установки для выращивания монокристаллов по способу локального теплоотвода 1 — нагреватель 2 — тигель 3 — расплав 4 — монокристалл 5 — термопара 6 — трубка для обдува дна тигля [105]

Процесс выращивания монокристаллов осуществляется следующим образом. Цилиндрическая тонкостенная молибденовая трубка (контейнер) укрепляется на молибденовом теплопроводящем стержне с цангой, установленной, соответственно, на водоохлаждаемом штоке механизма перемещения. Коаксиальный нагреватель, в нижней части которого устанавливается вольфрамовая тепловая диафрагма, обеспечивает необходимый осевой градиент температуры. Затравочный кристалл располагается в нижней части молибденовой трубки, а расплав — в верхней части. Материал в трубке расплавляется таким образом, чтобы частично проплавлялся затравочный кристалл. После определенной выдержки, благодаря которой устанавливается температура расплава, включается механизм перемещения. [c.126]

Рис. 103. Контроль процесса кристаллизации при выращивании монокристаллов методом Чохральского а — форма мениска расплава вблизи монокристалла б — контроль с помощью пирометра в — весовой метод контроля. I — Кристалл 2 — расплав 3 — механизм перемещения 4 — пирометр 5 — весовая ячейка б — шток

Широко известен также метод Чохральского —выращивание монокристаллов путем вытягивания из расплава металлической нити (рис. 95, б). Затравочный кристалл погружают в расплав и после ус- [c.206]

При выращивании монокристаллов окислов и окисных соединений из собственных расплавов возникает целый ряд проблем, связанных с созданием высоких температур, защитой расплава от загрязнения материалом тигля, созданием атмосферы, снижающей летучесть компонентов и обеспечивающей рост бездефектных кристаллов. Применение метода плавающей зоны снимает проблему загрязнения материалом тигля благодаря тому, что расплав силой поверхностного натяжения удерживается между двумя цилиндрическими стержнями из того же материала. [c.220]

VII.99. Метод температурного градиента. Другой метод выращивания кристаллов из расплава можно назвать методом температурного градиента. Температура расплава поддерживается либо равной температуре плавления, либо несколько выше. Кристалл закрепляют таким образом, чтобы его нижняя поверхность находилась в контакте с расплавом. Тепло отводится через кристалл, так что его поверхность в контакте с расплавом находится при температуре ниже точки плавления. По мере того как кристалл растет, оп вытягивается из расплава и его нижняя поверхность все время находится в контакте с поверхностью жидкости. При этом методе объем переохлажденного расплава ограничен очень малой областью, непосредственно прилегающей к поверхности кристалла. Возможность спонтанного зародышеобразования при этом уменьшается, и кроме того, любые возникшие кристаллиты будут опускаться в расплав и вновь растворяться. Затравочный кристалл обычно вырезается из большого монокристалла. [c.259]

В другом варианте консервативного выращивания посредством нормальной кристаллизации затравку погружают в тигель (фиг. 2.4,в), создавая при этом такой температурный профиль (часто охлаждением затравки через держатель), чтобы рост происходил только на поверхности раздела затравка — расплав. Весь расплав охлаждается с сохранением температурного градиента, показанного на фиг. 2.4, в. При благоприятных условиях почти весь расплав можно высадить на затравке в виде монокристалла. Этот способ называют методом Киропулоса. [c.73]

Ясно, что конфигурациями, аналогичными изображенным на фиг. 5.1,а—д, можно воспользоваться и при выращивании в открытых лодочках (иногда такой способ называют методом Чалмерса) (фиг. 5.1,е и ж). В этом случае чаще пользуются горизонтальными, а не вертикальными печами. Превалирование монокристалла на границе раздела кристалл—расплав зависит от исходной ориентации зародившихся первыми кристалликов и наклона границ зерен между ними. Эти моменты так и не стали предметом сколь-либо подробного исследования в практике промышленного выращивания кристаллов по методу Бриджмена— Стокбаргера, потому что всегда можно эмпирически подобрать форму тигля, градиент температуры и скорость опускания тигля (или скорость охлаждения печи) так, чтобы во всех случаях добиться образования монокристалла или хотя бы крупных монокристальных участков в объеме тигля. Однако нужно иметь в виду, что в подобных случаях должно преобладать гетерогенное зарождение на стенках тигля, так что при прогнозировании ориентации зародышей могут оказаться полезными теории гетерогенного зарождения. Подобным же образом способны принести пользу при определении вероятности превалирования монокристальных зерен на поверхности раздела и теории, рассматривающие энергию границ зерен в зависимости от их ориентации. Само собой разумеется, что при выращивании кристаллов по методу Бриджмена—Стокбаргера можно было бы прибегать к специальному затравливанию, помещая монокристальную затравку в конце тигля и подбирая такой температурный профиль в печи, чтобы подобная затравка не расплавилась. Но экспериментально это часто выливается в утомительную процедуру, поскольку в обычной установке Бриджмена — Стокбаргера температура неизвестна и регулируется с недостаточной точностью а следить визуально за затравкой не позволяют непрозрачные тигли и стенки печи. Можно, конечно, сделать тигли и трубки из плавленого кварца и снабдить последние специальными желобками на поверхности для проволочных нагревателей сопротивле- [c.178]

Рис. ХУ-7. Выращивание монокристаллов а — по методу Чохральского 1 — расплав 2 — тигель

Активация монокристаллов при их выращивании из расплава производится чаще всего во время роста. С этой целью активатор вводится в расплав. Его равновесное распределение между кристаллом и расплавом определяется уравнением [c.252]

Важнейшим практическим применением нормальной направленной кристаллизации является производство монокристаллов. Для выращивания монокристаллов используется много методов [66, 67]. Так, например, приведенная на рис. 37 схема установки для проведения процесса нормальной направленной кристаллизации представляет собой собственно схему варианта одного из таких методов — метода Бриджмена [68, 69]. Принцип другого широко используемого метода — метода Чохральского [70, 71] — схематично представлен на рис. 39. В этом методе затравка кристаллического вещества в виде небольшого монокристалла вносится в расплав сверху. На границе между затравкой и расплавом начинает протекать процесс кристаллизации, вследствие чего размер кристалла-затравки увеличивается. Для того чтобы фронт кристаллизации всегда находился в верхнем слое расплава, рас- [c.186]

Между затравкой и расплавом постоянно поддерживается градиент температуры затравка охлаждается, расплав находится при температуре, немного превышающей температуру плавления вещества. На некотором постоянном уровне над расплавом располагается приблизительно линейная граница раздела расплав — кристалл. Скорость вытягивания может составлять несколько сантиметров в час. Например, для монокристалла кремния весом 120 г продолжительность выращивания порядка 1 час 30 мин при скорости вытягивания 6 см час. [c.174]

Если расплав германия содержит два рода примесей с разными коэффициентами сегрегации, дающими разный тип проводимости, то при изменении скорости выращивания можно получить кристалл с избытком той или другой примеси. Этим свойством пользуются при получении большого количества р—п-переходов, выращенных в процессе вытягивания одного монокристалла затем монокристалл может быть разрезан на нужное число элементов. Например, вводя в расплав германия примеси сурьмы и галлия (сурьмы в несколько большем количестве, так как она имеет меньший коэффициент сегрегации), и при большой скорости вытягивания получают области кристалла с проводимостью п-типа, при более медленной — р-типа между этими областями создаются р—п-переходы. Эту процедуру можно повторять много раз, т. е. в одном монокристалле можно получить несколько последовательных п и р-областей, разделенных плоскими и параллельными р—п-переходами. [c.175]

При выращивании монокристаллов в комбинированном температурном режиме кристаллодержатель с затравочными кристаллами вводят в раствор-расплав после того, как на дне и стенках вблизи дна тигля в режиме с понижением температуры спонтанно будут образованы кристаллы и путем выдержки при постоянной температуре будет достигнуто с ними равновесие раствора-расплава с последующим повышением температуры на значение температурного перепада по глубине раствора-расплава (обычно 12—15°С), После 15—20 мин выдержки температуру раствора-расплава вновь понижают до заданной. Таким образом, кристаллодержатель с затравочными кристаллами вводят в ненасыщенный раствор-расплав. [c.160]

МОНОКРИСТАЛЛОВ ВЫРАЩИВАНИЕ, проводят разл. методами, обеспечивающими получение индивидуальных кристаллов заданного размера, формы и дефектности. При М. в. заранее полученные мелкие кристаллы (затравку) помещают в пересыщ. среду (пар, р-р, расплав, твердое в-во) и выдерживают там до укрупнения затравки. Пересыщение и т-ру среды поддерживают такими, чтобы затравка росла со скоростью 10" -10 мм/с без спонтанного образования центров кристаллизации с сохранением морфологич. устойчивости (см. Кристаллизация). Монокристалличность вы [c.131]

Большое влияние на процесс кристаллообразования в расплаве оказывают различные примеси. Особенно важную роль в этом отношении играют механические примеси, находящиеся в расплаве в виде взвешенных частиц микронного и субмикронного размера и играющие роль затравки при образовании зародышей. Последнее объясняется тем, что работа образования зародышей на готовой поверхности (гетерогенное зародышеоб-разование) меньше, чем работа флуктуативного образования зародышей (гомогенное зародышеобразование) в объеме расплава. Такое гетерогенное зародышеобразование возможно лишь, когда расплав является лиофильным по отношению к поверхности частицы. Возникающий на ней в этом случае адсорбционный слой вызывает соответствующее структурирование прилегающего расплава, что приводит к облегчению образования зародышей на данной поверхности по отношению к зародыше-образованию в объеме расплава. Вследствие этого начало кристаллообразования обычно смещается в сторону меньших переохлаждений по сравнению с тем, что было бы, если бы исходный расплав был тщательно очищен от взвешенных частиц. Аналогичное явление имеет место и в случае кристаллизации на специально вводимых в расплав затравочных кристаллах, что широко применяется в различных способах выращивания монокристаллов. [c.109]

На конечной стадии технологии — выращивании монокристаллов— германий дополнительно очищается. Выращивают монокристаллы, как правило, по методу Чохральского. Слитки германия расплавляют в вакууме 1-10 —1-10 мм рт. ст., в атмосфере аргона или водорода. В расплав при температуре немного выше точки плавления германия опускают монокристаллическую затравку. По мере подъема затравки германий кристаллизуется на ней, образуя вытягиваемый из расплава монокристаллический слиток с той же кристаллографической ориентацией,что и исходная затравка (рис. 61). Для перемешивания расплава и выравнивания температуры как тигель, так и затравкодер-жатель с растущим кристаллом вращают в противоположные стороны Полученный таким путем монокристаллический германий имеет электропроводность, близкую к его собственной проводимости (60 Ом-см), т. е. остающиеся в нем примеси почти не сказываются на его электрофизических свойствах, ому отвечает содержание электрически активных примесей порядка Ы0" %. [c.203]

Полупроводниковые кристаллы-активные среды полупроводниковых лазеров. Излучение в них генерируется в результате переходов между энергетич. уровнями зоны проводимости и валентной зоны. Иссюльзуют [юлу-проводники типа А В , А "В , А В . Активные элементы изготовляют из монокристаллов (напр., dS, GaAs, InAs, PbS), содержащих в своем объеме области, для к-рых характерен электронно-дырочный переход (р - и-переход), и из кристаллич. гетероструктур, образованных чередованием кристаллич. слоев, различающихся по хим. составу, но имеющих одинаковый период кристаллич. решетки. Наиб, распространены гетероструктуры, образованные слоями полупроводников типа А "В на основе арсенидов, фосфидов, антимонидов Ga и А1 и их твердых р-ров. Гетероструктуры получают также на основе многокомпонентных (тройных и более) твердых р-ров замещения (напр., Al,Ga, As), в к-рых при изменении состава в широких пределах период решетки не меняется. Полупроводниковые монокристаллы [юлучают из особо чистых исходных в-в кристаллизацией из расплавов (метод Чохральского, горизонтально направленная или зонная кристаллизация в контейнере, бестигельная зонная плавка) и эпитаксиальным выращиванием тонких кристаллич. слоев при кристаллизации из газовой фазы или расплавов твердых р-ров. Необходимые характеристики достигаются введением примесей в расплав или методом ионного внедрения примесных атомов. В качестве легирующих примесей используют, напр., элементы П (Zn, d, Mg акцепторы электронов), IV, VI (Sn, Те, Se, S доноры) групп. Благодаря разнообразию полупроводниковых кристаллов созданы лазеры, излучающие в диапазоне длин волн 0,3-30 мкм, обладающие малой инерционностью ( 10 с) и высоким кпд (до 50%), работающие как в импульсном, так и в непрерывном режиме (мощности 10 Вт при длительности импульса 3 НС и 10 Вт соответственно). Лучевая прочность полупроводниковых Л. м. ограничивает выходную мощность лазеров. [c.566]

Выращивание кристаллов с краевым углом 02 (см. рис. 34), меньшим, чем его значения, определяемые условием равновесия прих = г ( .7), приводит к уменьшению высоты поднятия жидкого столбика. Так как равновесная поверхность границы раздела кристалл— расплав почти плоская для промышленных радиусов кристаллов (г>0,5 см), уменьшение высоты столба /1 = Утах ДОЛЖНО быТЬ ОграНИЧеНО значениями Ута.х>Уй (рис. 34). Следует заметить, что выращивание монокристаллов по методу Чохральского с малыми значениями (/тах весьма затруднительно и часто приводит к кристаллизации свободной поверхности расплава и примерзанию слитка. Поэтому скорость вытягивания надо поддерживать такой, чтобы плоская изотерма кристаллизации не опускалась ниже высоты Н=утах, соответствующей 01= л/2. [c.106]

В целях устрацения указанных недостатков процесса подготовки шихты для кристаллизации монокристаллов граната во ВНИИСИМСе была разработана технология сплавления шихты на установке с гарниссажным методом плавления (типа Кристалл-401 ). Сущность этого метода заключается в плавлении электропроводного вещества токами высокой частоты в водоохлаждаемом контейнере ( холодный тигель). За счет интенсивной теплоотдачи на границе расплав — контейнер сохраняется тонкий слой нерасплавленного материала, так называемый гарниссажный слой. Этот метод, благодаря работам сотрудников ФИАН под руководством А. М. Прохорова и В. В. Осико, нашел применение в области выращивания фианитов—монокристаллов стабилизированного кубического диоксида циркония с температурой плавления около 2800 °С. [c.177]

Рис. 64. Схема установки для выращивания монокристаллов по методу Чохральского а — выращивание монокристаллов в форме стержней, б — выращивание монокристаллов в форме дисков. 1 — Монокриста.чл, 2 — расплав, 3 — основной нагреватель, 4 — дополнительный нагреватель. Жирными стрелками показано направление вытягивания монокристалла, тонкими — направление водяного охлаждения, пунктиром — направление вращения кристалла

Некоторый контроль за поверхностью раздела расплав — твердая фаза предложил Стокбарджер [83], который для выращивания больших (диаметром до 15 см) монокристаллов неорганических фторидов для оптических целей применял двойную печь (рис. 30). Нагревание каждой из двух спиралей печи А и В можно контролировать независимо друг от друга в верхней части печи температуру поддерживают на 50—80° выше, а в нижней — на 50—80° ниже точки плавления вещества, подлежащего кристаллизации. Выравнивание температуры по длине обеих частей печи [c.226]

Способность некоторых сложных органических соединений к большим переохлаждениям обусловливает необходимость особой конструкции кончика тигля, а также резкого перехода температур у перегородки, для того чтобы в кончике тигля инициировался рост монокристалла. Некоторые формы тиглей, которые использовались до настоящего времени, изображены на рис. 31. Тигель с коническим кончиком (рис. 31,а), применявшийся Стокбарджером, удобен только для тех соединений, которые при переохлаждении затвердевают легко. Шариковый кончик тигля Бриджмена б с шейкой находит более широкое применение, но он страдает тем недостатком, что растущий через сужение зародыш, если это монокристалл, часто бывает ориентирован в сторону тигля медленно развивающейся стороной, поэтому над сужением может произойти образование новых центров кристаллизации [12]. Хорошие результаты дает спиральный кончик в, если в его конструкции вершина спирали не видна со стороны широкой части тигля и спираль делает не менее половины витка вокруг оси тигля [80]. Кончик с перегородкой г, как и простой капиллярный кончик д, также приводит к хорошим результатам [79]. Во всех случаях стенки тигля должны переходить в кончик плавно, так как острые углы часто действуют как места образования побочных центров кристаллизации. Тигли таких форм с кончиками можно успешно применять для выращивания кристаллов легко плавящихся органических веществ, так как они могут изготовляться из обычных стеклянных трубок. Печи можно конструировать также из стеклянных концентрических трубок, позволяющих непрерывно наблюдать поверхность раздела расплав — твердое вещество, что очень удобно для экспериментатора. [c.228]

Синтез InTe довольно легко проводится прямым сплавлением стехиометрических количеств индия и селена при температуре несколько выше температуры плавления в запаянных кварцевых ампулах, заполненных инертным газом (Аг, Не) [64, 104, 112, 113]. Расплав выдерживается некоторое время в жидком состоянии, затем медленно охлаждается в печи. В результате образуется сплав заданного состава, требующий отжига для получения однофазного состояния. Синтез можно проводить в различных печах, при этом при перемешивании повышается скорость реакции и, кроме того, оно способствует получению однородных плотных образцов. Синтезированный поликристаллический InTe очищается зонной плавкой, которая также используется для выращивания монокристаллов. При направленной кристаллизации, по Бриджмену, получены хорошие монокристаллы InTe [64]. [c.128]

Нетрудно заметить, что, используя результаты опытов по распределению примеси по длине слитка после одного прохода рас-ллавленпой зоны, можно графическим путем на основании уравнения (4.16) определить величину коэффициента разделения [4, 91—93]. Это позволяет использовать метод зонной перекристаллизации, как и метод нормальной направленной кристаллизации, в физико-химических исследованиях, в частности при построении диаграмм состояния систем кристаллы—расплав [94— 96]. Зонная перекристаллизация используется также для выращивания монокристаллов и выравнивания их состава [89, 97— 103], в качестве метода кристаллизационного концентрирования примеси [104—108]. [c.190]

Методика выращивания монокристаллов ферритов из растворов-расплавов. Спонтанная кристаллизация. Смесь оксидов растворителя и кристаллизуемого вещества расплав ляют в платиновом тигле и после выдержки при температуре, превышающей на 50—100°С температуру насыщения, в течение времени, за которое происходит растворение и гомогенизаци5 раствора-расплава, охлаждают со скоростью 0,5—10°С/ч. Прп охлаждении в пересыщенном растворе-расплаве спонтанно зарождаются и растут кристаллы. Выросшие кристаллы от затвердевшего раствора-расплава отделяют путем длительного кипячения тигля с раствором-расплавом в водных растворах кислот. Размер и качество кристаллов в значительной степени зависят от оптимального соотношения таких факторов, как программа охлаждения и распределение температуры в кристаллизаторе, испарение раствора-расплава, размер и форма кристаллизатора, перемешивание раствора-расплава и др. Все эти факторы действуют в совокупности, и в каждом конкретном случае режимы спонтанной кристаллизации подбираются экспериментально. [c.154]

Справочник химика 21

Химия и химическая технология