Образование центров кристаллизации и рост кристаллов

Процесс кристаллизации протекает в две стадии образование центров кристаллизации и рост кристаллов. Если раствор совершенно свободен от механических примесей, то зародыши кристаллов возникают с трудом за счет молекул растворенного вещества, объединяющихся в группы. [c.302]

Кристаллизация из раствора, как и кристаллизация из расплава,— сложный процесс, представляющий собой совокупность нескольких последовательно и параллельно протекающих стадий. Основными из них также являются стадии зарождения кристаллов и их роста. Но движущей силой процесса при этом будет пересыщение раствора, под которым понимается избыточная концентрация содержащегося в растворе вещества сверх его растворимости при заданной температуре в рассматриваемом растворителе. Причем оказывается, что образование центров кристаллизации и рост кристаллов в растворе имеет место лишь при определенном его пересыщении, т. е. используя для характеристики пересыщенных растворов понятие степень пересыщения Чп = уп/уи, где уп и Ун — концентрации растворенного вещества в пересыщенном и насыщенном растворах, можно утверждать, что образование центров кристаллизации не будет происходить не только при но и в некотором интервале [c.150]

Во всех рассмотренных примерах (коллоидное окрашивание стекла, получение светочувствительных стекол, глушение эмалей и глазури) физико-химическая суть протекающих процессов сводится к контролируемому образованию центров кристаллизации и росту кристаллов. [c.359]

Согласно рис. 2, концентрация растворимого магния в образовавшейся суспензии основного карбоната магнпя остается практически постоянной в течение 12 минут, прошедших после окончания приливания осадителя, В это время в насыщенном растворе карбоната магния происходит образование центров кристаллизации и рост кристаллов за счет растворения бесформенных частиц. Как указывалось выше, по истечении 13—15 минут смесь бесформенных частиц и образовавшихся крупных кристаллов исчезает, уступая место образованию идентичных по форме, но более мелких по размеру кристаллов. Этот момент, как показано на рис. 2, соответствует началу резкого уменьшения концентрации магния в растворе. Содержание магния в растворе снижается при этом с 2.6 до 0.5 г/л, оставаясь при дальнейшем перемешивании пульпы без изменения. [c.61]

При эксплуатации кристаллизаторов-сборников с естественным охлаждением весьма ограничены возможности контроля процессов образования центров кристаллизации и роста кристаллов. Поэтому размеры сборника надо выбирать так, чтобы скорость отвода тепла соответствовала времени охлаждения, необходимому для получения кристаллов определенной величины. [c.592]

ОБРАЗОВАНИЕ ЦЕНТРОВ КРИСТАЛЛИЗАЦИИ И РОСТ КРИСТАЛЛОВ [c.212]

Размер частиц осадка зависит от относительной скорости двух процессов — образования центров кристаллизации и роста кристаллов. Если скорость образования центров кристаллизации мала по ср авнению со скоростью роста кристаллов, образуется небольшое число частиц, имек щих относительно большой размер. Образующийся в этом случае осадок чище и лучше фильтруется и промывается, чем осадок, состоящий из частиц меньшего размера. [c.376]

В постоянную К входят параметры образования центров кристаллизации и роста кристаллов п — теоретически должно быть целым числом, значение которого определяется механизмом образо- вания зародышей и характером роста кристаллов. Численное значение К непосредственно связано с суммарной скоростью кристаллизации 0% формулой [c.317]

При рассмотрении образования центров кристаллизации и роста кристаллов обычно пользуются термином степень пресыщения, который определяется [1] формулой (Q — 5)/5 (где С) — концентрация растворенного вещества 5 — равновесная растворимость). [c.160]

Кристаллизация полимеров определяется вероятностями процессов образования центров кристаллизации и роста кристаллов. На оба эти процесса влияет регулярность строения полимера. Для оценки скорости кристаллизации удалось получить довольно интересные соотношения. [c.308]

В процессе кристаллизации можно выделить два основных явления образование центров кристаллизации и рост кристаллов. [c.310]

В зависимости от соотношения скорости образования центров кристаллизации и роста кристаллов могут быть получены осадки с самой разнообразной структурой от гладких мелкокристаллических (например, осадки железа, никеля, кобальта — почти из любых электролитов или осадки меди, цинка и др.— из растворов комплексных солей) до иглообразных, дендритных (осадки свинца или серебра из растворов азотнокислых солей) или губчатых, порошкообразных (например, при лужении из щелочных растворов или золочении из растворов простых солей золота). Характер кристаллизации электро-осажденных металлов зависит как от свойств металла, так и от ряда внешних факторов, влияющих на поляризацию катода (температуры электролита, плотности тока, природы и концентрации электролита и других условий электроосаждения). [c.135]

Для полимерных молекул температурный интервал ниже равно- весной температуры плавления представляет собой метастабильную зону, в которой скорость образования зародышей практически нулевая, но при этом однажды образовавшиеся кристаллы могут расти. Ниже этой метастабильной температурной оны центры кристаллизации могут возникать спонтанно как по гомогенному, так и по гетерогенному механизму. Однако в процессе дальнейшего охлаждения веш,ества достигается зона высокой вязкости, в которой снова скорость образования центров кристаллизации падает и скорость роста становится практически нулевой. Скорости образования центров кристаллизации и роста кристаллов проходят через максимум, поскольку при более высоких температурах снижается движущая сила процесса (перенасыщение), а при более низких температурах скорость массопереноса резко падает из-за высокой вязкости среды. Гомогенное образование центров кристаллизации, сопровождающееся ростом кристаллитов, может осуществляться только в том температурном диапазоне, в котором обе кривые взаимно перекрываются. Предполагается, что метастабильная зона переохлаждения (перенасыщение) возникает вследствие более высокой растворимости микроскопических зародышевых кристаллитов по сравнению с макрокристаллами и, следовательно, из-за более высокой энергии активации процесса образования зародышей кристаллизации по сравнению с процессом роста кристаллов. [c.315]

Вряд ли существует какой-либо класс материалов, кроме полимеров, для которого объемные характеристики определяются кинетическими закономерностями. Вследствие самой природы процессов образования центров кристаллизации и роста кристаллов даже последующий длительный отжиг образцов не может полностью устранить эффектов, связанных с предысторией образца. [c.318]

Закономерности кинетики и механизма образования центров кристаллизации и роста кристаллов основной фазы, а также режимы тепловой обработки всех типов С. изучены еще очень мало, однако, благодаря экономичности процесса производства С., особенно шлакоситаллов, и их замечательным свойствам С. в ближайшее время найдут широкое применение в технике и строительстве. [c.445]

Допустим, что тело переходит из жидкого состояния в кристаллическое. В простейшем случае процесс кристаллизации состоит из двух стадий образования центров кристаллизации и роста кристаллов. В ряде случаев к этим основным стадиям присоединяется третья — соединение мелких кристаллов в более крупные агрегаты. [c.125]

В зависимости от соотношения скорости образования центров кристаллизации и роста кристаллов могут быть получены осадки с самой разнообразной структурой от гладких мелкокристаллических (например, осадки железа, никеля, кобальта — почти из любых электролитов или осадки меди, цинка и др. — из растворов комплексных солей) до иглообразных, ден- [c.168]

Одним из распространенных в гидрометаллургии способов осаждения из растворов металлов и их солей является цементация (контактное вытеснение) металлов из водных растворов другими, более электроотрицательными металлами. Это —сложный многостадийный гетерофазный процесс, скорость которого складывается из частных скоростей диффузионно-транспортной стадии поступления восстанавливающихся ионов из раствора и отвода ионов металла-цементатора, скорости собственно электрохимической реакции и процессов образования центров кристаллизации и роста кристаллов цементного металла. Зависимость скорости процесса от количества центров кристаллизации и интенсивности роста кристаллов позволяет рассматривать процесс цементации как автокаталитический. [c.368]

Процесс кристаллизации состоит из стадии образования центров кристаллизации и роста кристаллов. Центры кристаллизации образуются самопроизвольно или в результате внесения - затравки — небольшого количества ранее полученного кристаллизующегося вещества. Величина кристаллов зависит от способа и скорости перемешивания, интенсивности охлаждения, свойств вещества и сопровождающих примесей, а также количества зародышей кристаллизации. Быстрое охлаждение и энергичное перемешивание способствуют образованию большого количества центров кристаллизации, что вызывает образование более чистого мелкокристаллического осадка. Небольшое число центров кристаллизации способствует образованию крупных кристаллов. Обычно кристаллизацию проводят в аппаратах с мешалками при охлаждении водой или рассолом через рубашку аппарата. [c.54]

Образование центров кристаллизации и рост кристалла в сплавах. [Данные для AI - Ge . [c.237]

В связи с тем что м р изучали влияние концентрации сульфида цинка в стекле на характер его глушения, высказывания Стуке помогли нам выяснить области температур, в которых шло образование центров кристаллизации и рост кристаллов, и позволили установить взаимное расположение этих областей при изменении концентрации серы в стекле. Это имело существенное значение для выбора требующихся концентраций сульфида цинка в стекле с заданным характером его глушения. [c.33]

При наименьшей концентрации серы, равной 0.75%, зоны образования центров кристаллизации и роста кристаллов хорошо различаются на низкотемпературном конце этих зон, что может свидетельствовать о наличии перекрывающихся или разобщенных кривых скорости роста кристаллов п скорости образования центров в этом стекле. Итак, при уменьшении концентрации серы в стекле от 1.33 до 0.75 % происходит следующее. [c.35]

Варка шихты всех составов проводилась при температуре 1400— 1450° с выдержкой 2 часа при максимальной температуре. Исходные, предварительно отожженные, шлаковые стекла были подвергнуты обработке при разных температурных режимах 700-800, 700—900, 700-1000, 700—1100° с выдержкой при температуре 700° в 1 час, при максимальной температуре 1 и 2 часа, подъем температуры в указанных интервалах осуществлялся 6 мин. на 3°. Для создания наилучших условий образования центров кристаллизации и роста кристаллов в работе применялась двухступенчатая термическая обработка. [c.150]

Режим двухступенчатой термической обработки — температура образования центров кристаллизации и роста кристаллов — устанавливался по данным термического анализа (рис. 1), по температуре размягчения и по данным кристаллизации в градиентной печи. [c.150]

Избежать кристаллизации льда помогла бы витрификация воды, т. е. затвердение ее в аморфном состоянии. Получить витрифика-цию чистой воды практически невозможно. Но в коллоидных растворах скорость образования центров кристаллизации и роста кристаллов льда снижается и повышается температура, при которой их рост прекращается. Все это облегчает витрификацию. Добавление криопротекторов также затрудняет кристаллизацию льда и способствует витрификации. [c.201]

Когда поликристаллические материалы изготовляют из тонких порошков, степень вторичной рекристаллизации зависит от размера частиц исходного материала. При использовании грубозернистого материала происходит значительно меньший относительный рост зерен. Причиной этого является специфика скоростей образования центров кристаллизации и роста кристаллов. В тонкоизмель-ченных материалах, как правило, имеется небольшое число частиц, размер которых значительно больше, чем средний размер частиц. Такие частицы могут действовать как зародыши вторичной рекристаллизации, поскольку в системе уже имеются условия, при которых бмакс>бср И рост зерен происходит со скоростью, пропорциональной величине 1/бср. При увеличении же размера частиц исходного материала вероятность присутствия зерен с размером, значительно большим, чем средний, сильно уменьшается, в связи с чем образование центров кристаллизации и вторичная рекристаллизация очень затрудняются, причем скорость роста зерен, пропорциональная 1/бср, также оказывается меньшей. [c.387]

G i n d t R., Kern R., Образование центров кристаллизации и рост кристаллов в пересыщенных растворах щелочных галоидов, С. г. A ad. Sei., 56, № 21, 4400 (1963). [c.276]

И СКЛОННОСТЬ материала к стеклообразованию. Хотя в уравнения, определяющие скорости возникновения центров и роста кристаллов, входит целый ряд параметров, Тернбал и Коэн, сделав некоторые упрощающие допущения, смогли показать, что основным условием стеклообразования являются большие значения отношений свободных энергий активации процессов образования центров кристаллизации и роста кристаллов к температуре, ниже которой могут образоваться кристаллы. По-ви-димому, это наиболее общее положение теории стеклообразования. Однако возникает ряд трудностей ири попытке применить эту теорию к конкретному материалу и ответить на два вопроса какие факторы обусловливают высокие значения свободных энергий активации процессов возникновения центров кристаллизации и роста кристаллов, а какие в то же время вызывают низкую температуру плавления или ликвидуса. [c.301]

Температуры кристаллшации и застывания. Температура начала кристаллизации - температура, при которой в нефтепродукте начинается образование кристаллов в условиях испытания. Кристаллизация включает две стадии образование центров кристаллизации и рост кристаллов. Если центров кристаллизации возникает мало, а скорость их роста велика, образуется крупнозернистая структура. Когда же центров кристаллизации много, а скорость роста кристаллов мала, получается мелкозернистая структура. Механические примеси, содержащиеся в нефтепродуктах, могут быть центрами кристаллизации. [c.66]

Алкоголяты позволяют получать многокомпонентные гели, и благодаря маленьким порам (2—7 нм), эти гели могут спекаться при температурах, значительно меньших, чем температуры, которые применяются при образовании стекла. Таким образом можно исключить проблему кристаллизации, так как спекание происходит при температуре значительно ниже той, при которой начинается образование центров кристаллизации и рост кристаллов. Однако сушка монолитных алкоголятных гелей представляется трудной задачей. Она может быть решена путем гиперкритической откачки воздуха из автоклава. Метод очень трудоемок, требует громоздкого оборудования и больших затрат. [c.149]

Справочник химика 21

Химия и химическая технология