Справочник химика 21

Химия и химическая технология

Статьи Рисунки Таблицы О сайте English

Фаза луча

    Это явление в общем аналогично дифракции световых лучей, пропускаемых через штриховую дифракционную решетку. Как известно, пучок монохроматических лучей, направленных на пластинку с системой равноотстоящих отверстий (или штрихов), распространяется за пластинкой ио ряду избранных (дискретных) направлений. Происходит это вследствие наложения сферических волн, исходящих из каждого отверстия. В некотором произвольном наиравлении эти волны не совпадают по фазе и в совокупности взаимно гасят друг друга. Но если разность фаз лучей, исходящих из соседних отверстий, составит целое число периодов, то они не погасят, а взаимно усилят друг друга. Этому условию и удовлетворяют дифракционные лучи. [c.46]


    На рис. 22, а изображен ряд одинаковых равноотстоящих (точечных) атомов. На него направлен пучок монохроматических рентгеновских лучей. Рассмотрим суммарный эффект рассеяния лучей атомами в разных направлениях. Вдоль направления, продолжающего первичный пучок Л о, путь от источника в точку наблюдения через любой атом одинаков лучи, рассеянные атомами, совпадают по фазе. Лучи, рассеянные атомами в других направлениях (. ], N2 и т. д.), проходят различный путь и поэтому не совпадают ио фазе. Если разность фаз лучей, рассеянных соседними атомами, в некотором направлении Л г составляет б (рис. 22, б), то луч, рассеянный в том же наиравлении каждым последующим атомом, отличается дополнительным сдвигом по фазе на 6, 26, 36 и т, д., и если ряд практически бесконечен (в миллиметровом кристалле более миллиона атомов в каждом на- [c.49]

Рис. 33. К выводу зависимости начальной фазы луча, рассеянного атомом в дифракционном направлении от координат атома Рис. 33. К <a href="/info/1519505">выводу зависимости</a> <a href="/info/1426440">начальной фазы</a> луча, <a href="/info/1489561">рассеянного атомом</a> в <a href="/info/604550">дифракционном направлении</a> от координат атома
    Во избежание недоразумений подчеркнем смысловое различие между 6j и ( >(кЫ) 6, — начальная фаза луча, рассеянного в дифракционном направлении атомами /-го сорта —начальная фаза суммарного дифракционного луча кМ. [c.96]

Рис. 40. К выводу зависимости начальной фазы луча, рассеянного атомом в дифракционном направлении от координат атома [взята серия плоскостей (230)] Рис. 40. К <a href="/info/1519505">выводу зависимости</a> <a href="/info/1426440">начальной фазы</a> луча, <a href="/info/1489561">рассеянного атомом</a> в <a href="/info/604550">дифракционном направлении</a> от координат атома [взята серия плоскостей (230)]
    Рассматриваемый у-й атом с координатами Xj, yj, г, лежит в плоскости АВ. Следовательно, начальная фаза лучей, рассеянных этим атомом в дифракционном направлении hkl (с h = nha, k = nko, l=nla), равна той же величине 6  [c.97]

    Структурная амплитуда любого отражения стала вещественной (положительной или отрицательной). По физическому смыслу это означает, что начальные фазы лучей, дифрагированных центросимметричными кристаллами, могут иметь только два значения либо О, либо я (поскольку е = + 1, а е " = — 1). Соответственно этому преобразуется и формула электронной плотности  [c.104]


    Как указывалось выше, кристаллизация дикальцийфосфата происходит, по-видимому, в результате разложения монокальцийфосфата из-за инконгруэнтности состава равновесных его растворов по отношению к составу твердых фаз (луч растворения монокальцийфосфата ONN проходит вне поля кристаллизации этой соли)  [c.236]

    Положительный знак структурной амплитуды означает, что начальная фаза отраженного луча равна нулю, т. е. совпадает с фазой луча, исходящего из начала координат элементарной ячейки (узла решетки). Отрицательный знак структурной амплитуды означает противоположность фазы луча, отраженного кристаллом, и луча, исходящего из начала координат. [c.115]

    Через указанные точки проводят проекции предельных (соответствующих появлению новой фазы) лучей кристаллизации поэтому ЭТИ точки называют предельными. [c.164]

    Во втором способе на ортогональных проекциях указанных диаграмм (например, правильного тетраэдра) путь кристаллизации одного компонента не совпадает с проекцией прямолинейного луча кристаллизации, исходящего из точки состава выпадающей фазы лучи кристаллизации одного компонента и координатные оси не лежат на одной секущей плоскости. Поэтому вспомогательную секущую плоскость для графических построений можно провести на двух ортогональных проекциях через прямолинейный луч испарения перпендикулярно к одной из координатных плоскостей (граней) фигуры (см. гл. 20). [c.165]

    Для того чтобы получить интенсивное отраженное излучение, фазы лучей, отраженных от разных плоскостей, должны совпадать, таким образом, должно удовлетворяться условие Брэгга — Вульфа  [c.276]

Рис. 44. К выводу выражения для разности фаз лучей, рассеиваемых плоскостями из разных видов атомов Рис. 44. К <a href="/info/1655809">выводу выражения</a> для разности фаз лучей, рассеиваемых плоскостями из <a href="/info/165983">разных видов</a> атомов
    Таким образом, разность фаз лучей, отражаемых в точках О и плоскостями Р и Q, будет [c.71]

    Это и есть выражение для разности фаз лучей, рассеиваемых атомом, находящимся в вершине О элементарной кристаллической ячейки, и атомом с координатами и, V, т. [c.71]

    Положим теперь, что кристалл повернут на малый угол Д . Тогда разность фаз лучей от соседних плоскостей изменится на [c.90]

    Лучи, рассеянные атомами подрешетки В, во втором случае противоположны по фазе лучам, рассеянным под-решеткой Л. Если рассеивающие способности атомов обоих сортов близки, т. е. если близки их порядковые номера, то структурный множитель для отражения с нечетной суммой индексов во много раз меньше, чем для отражения с четной суммой поэтому соответствующие нечетным суммам интерференционные максимумы очень слабы, а иногда и совсем незаметны. Так что интерференционная картина очень мало отличается от той, какую дает объемноцентрированная решетка. [c.182]

    Выражение для I состоит из двух частей, по-разному зависящих от отношения sin дД. Первая часть 1эл Р Ье- характеризует интенсивность структурных линий. Тепловые колебания, нарушающие совпадение фаз лучей, рассеянных разными атомами кристалла, ослабляют линии (величина — температурный, дебаевский множитель интенсивности — меньше единицы). [c.194]

    Учитывая, что мы рассматриваем амплитуду рассеяния вблизи нулевого узла (/С- 0), полагаем разность фаз лучей, рассеянных разными электронами, малой и р выносим за знак интеграла, а интегрирование распространяем на объем частицы. Тогда [c.214]

    Распределение интенсивности лучей после прохождения через кристалл можно определить, вычислив интенсивности дифрагированных лучей, рассеянных столбиками ячеек (рис. 21.1, а). Амплитуда лучей, дифрагированных в заданном направлении 2 (рис. 21.1, ), определяется амплитудой рассеяния электронов ячейками (/ — номер ячейки в столбике) и разностью фаз лучей, [c.481]

    Выражение, стоящее под знаком косинуса,2яГ —---+ характеризует фазу луча в точке R в момент / константа бо, характеризующая фазу луча в точке R=0 в начальный момент t = G, носит название начальной фазы. [c.137]

    Построим вектор, имеющий длину, равную амплитуде луча, и повернутый (против часовой стрелки) по отношению к направлению распространения луча (ось R) на угол, равный фазе луча в некоторой р [c.176]

    Амплитуда и интенсивность результирующего дифракционного луча будут, очевидно, зависеть от разности фаз лучей, дифрагированных [c.190]

    Суммарный эффект определяется противоположностью фаз лучей, рассеянных электронами внешних и /(-оболочки. Результирующая амплитуда будет равна разности амплитуд волн, рассеянных этими двумя группами электронов, т. е. будет несколько меньше, чем при рассеянии на жестком излучении (с V>VJ для /(-полосы), а результирующая фаза окажется равной нулю. [c.252]

    Это правило погасания справедливо только в том случае, когда сетки В проходят точно по середине между сетками А. Если этого нет (рис. 169, б), то фазы лучей, отражаемых сетками Л и В, не будут противоположны отражения нечетных порядков будут иметь конечную интенсивность (хотя и отличную от интенсивности лучей, отраженных в четных порядках). [c.276]

    Однако наиболее интересен фактор, зависящий от относительного расположения атомов в элементарной ячейке. Пусть x , y , z определяют положение /-того атома по отношению к произвольно выбранному началу ячейки и пусть фаза луча, рассеянного воображаемым атомом, находящимся в начале ячейки, равна нулю. Разность между ходом рентгеновских лучей, рассеянных в данном направлении /-ТЫМ атомом и началом ячейки обозначена в разделе 36 выражением r-S, где г—вектор х а+г/уЬ+гуС, проведенный из начала ячейки к /-тому атому, и S—разность между единичным вектором Sj, проведенным в направлении рассеяния, и единичным вектором s,,, проведенным в направлении падающих лучей. [c.45]


    Когда пучок света проходит через ячейку рефрактометра, в которой находятся две жидкости с различным показателем преломления, то он отклоняется на величину, пропорциональную разности показателей преломления этих жидкостей. Свет лампы проходит через щель, собирается линзой и проходит через ячейку, которая имеет сравнительную и рабочую кюветы, разделенные по диагонали стеклом как только меняется состав подвижной фазы, луч света отклоняется. (В случае температурных флуктуаций сравнительная кювета компенсирует изменения в показателе преломления подвижной фазы.) Затем луч света отражается от зеркала, возвращается через кювету и опять отклоняется. Линза фокусирует луч света на высокочувствительном, жестко закрепленном фотодетекторе, который выдает электрический сигнал, пропорциональный количеству света, попадающего на него. Этот сигнал усиливается и подается на самописец. Для изменения угла падения света и настройки прибора используется оптическая плоскость В. [c.93]

    На рис. 33 изображена элементарная ячейка и проведена ближайшая к началу координат узловая сетка серии плоскостей коЫо-На рисунке отмечен /-й атом ячейки через него проведена плоскость АВ, параллельная узловой сетке. Межплоскостное расстояние узловых сеток равно /юкои расстояние илоскости АВ от сетки, про-ходяшей через начало координат, равно Разность фаз лучей, отраженных (в я-ом порядке) от двух соседних узловых сеток, составляет 2ля, а лучей, отраженных плоскостью АВ и сеткой, проходящей через начало координат, б. Отсюда вытекает [c.79]

    Рассматриваемый /-ый атом с координатами x , у,, лежит в плоскости АВ. Следовательно, начальная фаза лучей, рассеянных этим атомом в дифракционном направлении кЫ (с к = п1го, к = пка, 1=п1й), равна той же величине б  [c.79]

    Структурная амплитуда любого отражения стала вещественной (положительной или отрицательной). По физическому смыслу это означает, что начальные фазы лучей, дифрагированных центроснмметричными кристаллами, могут иметь только два значения либо О, либо я (по- [c.86]

    Взаимосвязь между начальными фазами. Фазовые инварианты. Вполне понятно, что начальные фазы отражений зависят от выбора начала координат. Если начало сместить на вектор Го = л оа+уоЬ+2 оС, то радиус-векторы всех атомов элементарной ячейки измеиятся на ту же величину и вместо Г/ = л /а+У/Ь+2/С будут иметь значения Г/ = Г/—Го. Начальная фаза луча, рассеянного в направлении НЫ любым /-М атомом, равная, согласно (26), [c.121]

    На контролируемый объект направляют под некоторым углом фо монохроматический плоскополяризо-ванный луч света (рис. 7). Вектор амплитуды электрического поля этого луча может быть разложен на составляющие Ер и Es, ориентированные соответственно параллельно и нормально к плоскости падения. После отражения (или прохождения) луча от объекта его составляющие изменяют свою амплитуду и фазу. Луч становится эллиптически поляризованным, т.е. конец его вектора описывает эллипс в плоскости, нормальной направлению распространения. Состояние эллиптической поляризации принято оценивать двумя эллипсометрическими параметрами V / и А  [c.496]

    Максимальная суммарная амплитуда в точке регистрации М (см. рис. 6.1) лучей, рассеянных всем кристаллом, будет наблюдаться, если разность фаз лучей, рассеянных любыми 1 трами, будет крат 2я, т. е. 2л(Кг )—2лп, или (Krj)=n. Но rj=ua- -vb w . Учя-тывая свойства обратной решетки (ща1=51ь), получим Kri=hiu- -h2V- -hzW=n. Так как и, v, w — целые числа, то максимальная амплитуда (и соответственно интенсивность) наблюдается, если hi, fi2, hz — также целые числа, т. е. если вектор рассеяния —Ha +Kb +L =gHKL. [c.175]

    Для определения интенсивности при других толщинах кристалла удобно пользоваться амплитудно-фазовыми диаграммами (рис. 21.4). Заданному значению соответствует определенная разность фаз лучей, рассеянных соседними ячейками в столбике Аф/ /+1. Фазовый угол Афу для амплитуды от ячейки /, находящейся на глубине 2, равен Дфг=2я5г. При достаточно большом числе ячеек амплитуды образуют окружность, радиус которой равен 1/2я5. Если окружность замыкается, результирующая амплитуда равна нулю. [c.483]

    Рассмотрим теперь линию Рф, на которой оба рассеянных луча находятся в одинаковом положении по отношению к наблюдателю. Фаза луча, рассеянного атомом, расположенным в точке Pi, на пути от точки Р до точки В изменяется на угол 2n PiB/X). В итоге этот луч в точке В отличается по фазе от луча, рассеянного атомом, расположенным в точке P.j, на угол 2nlK) PiB—ЛРо). Как видно из рис. 5,6, результат сложения двух рассеянных лучей зависит от разности фаз. Результирующая интенсивность максимальна в том случае, если разность фаз кратна 2л, если же разность фаз кратна л, умноженному на нечетное целое число, происходит полное гашение волн. Очевидно, что направление Si совпадает с направлением максимальной интенсивности рассеянных лучей, если разность PjB—ЛР2 кратна целому числу длин волн л. [c.29]


Смотреть страницы где упоминается термин Фаза луча: [c.222]    [c.50]    [c.48]    [c.52]    [c.96]    [c.300]    [c.804]    [c.90]    [c.489]    [c.491]    [c.167]    [c.137]    [c.136]   
Рентгеноструктурный анализ Том 1 Издание 2 (1964) -- [ c.137 ]




ПОИСК







© 2024 chem21.info Реклама на сайте