Рентгеновские лучи интенсивность

Пусть узкий пучок монохроматических рентгеновских лучей с длиной волны % падает на совокупность большого числа кристалликов. Каждый из них может быть охарактеризован набором семейств параллельных плоскостей с определенными межплоскостными расстояниями (рис. XXX. 5). При взаимодействии рентгеновских лучей с кристаллическим веществом возникает дифракционная картина, максимумы интенсивности которой удовлетворяют уравнению Брэгга [c.356]

ДИФРАКЦИЯ РЕНТГЕНОВСКИХ ЛУЧЕЙ — ИНТЕНСИВНОСТИ [c.390]

Предположим, что на свободный электрон направлен пучок параллельных монохроматических рентгеновских лучей, интенсивность которых [c.26]

В другом методе может быть использован счетчик, чувствительный к рентгеновскому излучению. Этот прибор сконструирован так, как показано на рис. 17.19. Счетчик движется по дуге, регистрируя изменения в интенсивности рассеянных рентгеновских лучей. Этот метод проще и быстрее, а также характеризуется значительно лучшим разрешением, чем можно достичь с помощью пленки поэтому в дальнейшем мы будем обсуждать использование дифрактометра, предназначенного для исследования порошкообразных образцов. [c.386]

Когерентное рассеяние электронов состоит из ядерного и электронного член, содержащий г , определяет долю интенсивности рассеяния ядром, член с Р(5) — интенсивность рассеяния оболочкой атома, наконец, член, содержащий ZF (S), определяет интенсивность рассеяния электронной оболочкой и ядром. Общая интенсивность рассеяния электронов убывает обратно пропорционально 3 . В случае рентгеновских лучей интенсивность рассеяния спадает обратно пропорционально 5. Уменьщение интенсивности с углом рассеяния объясняется тем, что длина волны этих излучений меньше размеров атомов. Вследствие этого происходит интерференция волн, рассеянных каждым атомом в отдельности. [c.37]

Кроме того, желательно, чтобы пучки рентгеновских лучей, интенсивности которых сравниваются, падали на пленку под одинаковыми углами, так как степень почернения при данной интенсивности зависит и от угла, под которым пучок пересекает фотопленку. [c.165]

Вернемся вновь к некоторым вопросам, относящимся к процессу испускания или поглощения рентгеновских лучей. Интенсивность испускания при разных частотах /(V) зависит от плотности занятых состояний, тогда как коэффициент поглощения л(>) связан с плотностью свободных состояний, в первом приближении для обоих случаев можно написать следующие соотношения [c.127]

Но, пожалуй, самым замечательным критическим явлением будет так называемая критическая опалесценция, которая для однокомпонентных систем была открыта Авенариусом (1874) уже через несколько лет после открытия критической точки. Если газ охлаждать при критической плотности, то он при температуре примерно на один градус выше критической начинает излучать голубоватый свет опалесценции, интенсивность которого сильно увеличивается с приближением к критической точке, хотя система все еще остается гомогенной. Это явление основано на том, что при приближении к критической точке сильно возрастает прежде всего в прямом направлении интенсивность рассеяния света. Такие же явления наблюдаются в критической точке расслоения жидких и твердых систем. В последнем случае для доказательства нужно, конечно, использовать рентгеновские лучи. Критическая опалесценция является, как показывает теоретический анализ, непосредственным следствием того факта, что критическая точка расположена на границе области стабильности, [c.238]

Метод рентгеновской топографии дает возможность исследовать толстые и достаточно большие образцы. В этом методе используется брэгговское рентгеновское отражение, а дифракционный контраст получается из-за того, что локальная деформация решетки, связанная с дефектом, изменяет условия отражения и рассеяния рентгеновских лучей. Интенсивность дифрагированного рентгеновского пучка вблизи дефекта уменьшается, вследствие чего дефект виден как темная линия на общем светлом фоне (рис. 319). [c.357]

Различного рода облучения также влияют на способность полимеров электризоваться из-за повышения электропроводности облученных материалов. Как отмечается в работе [6, с. 74] облучение полимеров сопровождается ростом электропроводности. Так, при 30° С электропроводность полистирола при воздействии рентгеновских лучей интенсивностью 4,3-10" А/кг (100 Р/мин) увеличивается в 10 (от 5-10" до 5-10 Ом" -м" ), у полиэтилена низкой плотности почти в 10 , а у политрифторхлорэтилена — в 10 раз. [c.9]

Интенсивность рассеяния рентгеновского излучения в веи естве зависит от угла, под которым это рассеяние наблюдается (по отношению к направлению падающего луча). Эта зависимость в случае газов выражается непрерывной кривой без минимумов и максимумов и может быть теоретически объяснена на основании представления о независимости движения отдельных молекул газа. Твердые кристаллы рассеивают рентгеновские лучи только в определенных направлениях, что является следствием фиксированного расположения атомов в узлах кристаллической решетки и дает возможность полного анализа молекулярной структуры кристалла. [c.161]

Рис. V, 1. Интенсивность рассеяния рентгеновских лучей жидким аргоном при разных температурах и давлениях

Под действием электромагнитного поля рентгеновских лучей электроны атомов, входящих в кристаллическую решетку вещества, начинают колебаться. Частота вынужденных колебаний электронов будет равна частоте электромагнитного поля первичного пучка рентгеновских лучей. Колеблющийся атом становится источником электромагнитных волн, распространяющихся от него во все стороны с частотой, равной частоте первичного луча. Расположение атомов в любой кристаллической решетке закономерно и расстояния между ними в данном направлении одинаковы, поэтому лучи, рассеянные отдельными атомами, будут интерферировать между собой. Интенсивность их в одних направлениях будет получаться значительно больше, чем в других. Следовательно, для рентгеновских лучей кристалл является трехмерной дифракционной решеткой, [c.111]

Эта концепция применима к дифракции в кристалле, поскольку кристаллическая решетка может быть описана с помощью набора параллельных плоскостей с различными расстояниями с/ между ними. Если пучок рентгеновских лучей падает на любой набор плоскостей под углом, для которого выполняется соотношение Брэгга, то из кристалла будет исходить единственный вторичный пучок. И на самом деле, когда на монокристалл вещества действует пучок интенсивного рентгеновского излучения, из него в различных направлениях испускаются многие тысячи более слабых пучков или отражений, как это показано на рис. 17.9. Угол между каждым отраженным пучком и падающим пучком излучения определяется расстоянием между рассеивающими плоскостями. [c.375]

Поскольку зависимость (П.27) логарифмическая, то во избежание значительных погрешностей излучение приходится подбирать с такими коэффициентами поглощения, чтобы отношение начальной и конечной интенсивностей (показании измерительного прибора) находилось в пределах 0,1 лабораторных колонках используются сравнительно мягкие рентгеновские лучи с энергией кванта 20—30 кэВ. В более крупных промышленных аппаратах необходимо применять для просвечивания проникающее 7-излучение с энергией кванта до 1 МэВ, и требуется мощная биологическая защита персонала от этих излучений. [c.80]

Из сказанного выше понятно, что 7-излучение применять нельзя, так как источник требуемой интенсивности опасен для человека. Возможно использование пульсирующего генератора рентгеновских лучей, особое преимущество которого состоит в том, что высокие анодное напряжение и силу тока можно реализовать при приемлемой мощности трубки без значительного снижения срока ее службы. Применяли также плоские рентгеновские установки 12. [c.129]

В соответствии с законом эквивалентности Штарка-Эйнштейна, поглощаемый фотон вызывает фотохимическое возбуждение одной молекулы. Количественной мерой превращения служит квантовый выход реакции, равный отношению числа частиц, претерпевших превращение в результате фотохимической реакции, к числу поглощенных фотонов. В предельном случае для первичных процессов выход должен равняться единице, в экспериментах, в зависимости от длины волны, интенсивности света и температуры и типа вещества, выход может принимать значения от 10 3 до 10. Так как энергия активации химических реакций лежит в пределах 40-420 кДж/моль, можно сделать вывод (сравнивая ее с энергией одного моля фотонов, равной Nab-/1 )0 действии на реакции видимых, ультрафиолетовых и рентгеновских лучей. [c.177]

Рис. 56. Распределение интенсивности рентгеновских лучей в сплошном спектре

Съемку рентгенограммы обычно производят при относительно длительной экспозиции, из-за чего нарушается соответствие между интенсивностью падающих на пленку рентгеновских лучей и почернением пленки. Поэтому отношение / ( // , практически оказывается равным 3—6 вместо теоретического зна- [c.359]

Рис. 1.10. Зависимость интенсивности I рассеяния рентгеновских лучей от угла рассеяния 0 для жидкостей

Рис. 1.11. Зависимость интенсивности I рассеяния рентгеновских лучей от угла рассеяния 9 в эластомерах (/) и ее жидкостная (2) и газовая (3) составляющие

Рис. 59. Распределение интенсивности рентгеновских лучей в характеристическом спектре

Зависимость интенсивности I рентгеновских лучей от угла их рассеяния для жидкостей схематически показана на рис. 1.10, где первый ярко выраженный максимум соответствует когерентному рассеянию в области ближнего порядка. Исследования структур некристаллических полимеров показали, что часть звеньев макромолекул вследствие своей полной неупорядоченности рассеивает рентгеновские лучи независимо, по типу газового рассеяния, а другая часть звеньев дает когерентное рассеяние по типу жидкого рассеяния участками ближнего порядка. Типичная кривая рассеяния для эластомера (рис. 1.11, кривая 1) может быть интерпретирована как результат суммирования жидкостного рассеяния [c.26]

Дифрагированное излучение вызывает в зависимости от его интенсивности соответствующие степень ионизации газа в цилиндре и импульс тока. На шкале регистрирующего прибора получают показания, пропорциональные интенсивности рентгеновских лучей. Запись ионизационной кривой интенсивности / осуществляется в координатах /—20 (рис. 90). [c.154]

Рис. 117. Интенсивность рассеяния рентгеновских лучей различными веществами.

Рентгеновское и нейтронное рассеяние. Методы рентгепострук-турного и нейтроноструктурного анализа представляют собой дифракционные методы. Рентгеновские лучи — это электромагнитные волны большой энергии. Длины волн пх лежат в интервале от 0,05 до 0,20 нм. Нейтроны — незаряженные микрочастицы, обладаюплие массой покоя. Для пучков нейтронов соответствующие им длины волн лежат в пределах 0,1 —1,0 нм. Рентгеновское излучение рассеивается электронами атомов и молекул. Интенсивность рассеянного излучения фиксируется каким-либо способом и характеризует электронную плотность. Рассеяние рентгеновских лучей на ядрах оказывается пренебрежимо малым. В свою очередь, нейтроны рассеиваются ядрами атомов. При этом упругое рассеяние медленных нейтронов позволяет изучать атомную структуру вещества, а неупругое используется для изучения динамики частиц. Механизмы рассеяния рентгеновских лучей и нейтронов похожи. [c.101]

В Институте физико-технических проблем Севера ЯФ СО АН СССР для определения критерия раскрытия трещины применяется метод [35], основанный на использовании потока рентгеновского излучения. Через образец со сквозным надрезом перпендикулярно плоскости образца пропускается поток рентгеновских лучей интенсивностью /о. При этом подбирается такая величина /о, которая полностью поглощается исследуемым материалом заданной толщины, т. е. образец пропускает рентгеновское излучение только через сквозной надрез. Интенсивность рентгеновского излучения за образцом / регистрируется с помощью соответствующего датчика. Величина /к зависит от начальной интенсивности /о, площади надреза Р и региструющей площади датчика со. Если используется для этой цели сцинтилляциои-ный датчик со временем восстановления [c.32]

Стехиометрические нарушения, а также инородные примеси неизбежно вызовут местные искажения геометрического порядка в кристалле. Все эти нарушения могут в ряде случаев привести к тому, что кристалл окажется разделенным трещинами на отдельные микрокристаллические блоки, в той или другой степени скрепленные друг с другом. Такое блочное строение характерно для многих кристаллических тел (например, различные силикагели, алюмогели, активированный уголь и др,), имеющих важное значение в гетерогенном катализе. Таким образом, в реальном кристалле, кроме обусловленных термодинамическими причинами тепловых дефектов, имеются необратимые нарушения, связанные с историей образования данного образца, так называемые биографические дефекты. Поскольку нарушения решетки приводят к энергетической неравноценности отдельных элементов кристалла, наличие этих нарушений облегчает образование и дополнительного количества тепловых дефектов, число которых может быть значительно больше, чем в идеальном кристалле. Отклонения от свойств идеального кристалла могут быть обнаружены и экспериментально. Так, сухие кристаллы поваренной соли разрушаются при натяжениях порядка 4 кГ/см , в то время как теоретический расчет дает величину порядка 200 кГ1см . Если же эксперимент проводить с кристаллом, погруженным в насыщенный раствор соли, т, е, в условиях, когда возможно залечивание микродефектов, опытная нагрузка приближается к теоретической. Изучение интенсивности отражения от кристалла рентгеновских лучей (Ч, Г. Дарвин) показало, что многие кристаллические тела состоят из совокупности микрокристаллов, повернутых друг к другу под различными углами. При этом было установлено, что для большинства кристаллических тел линейный размер отдельных блоков равен 10 -ь10- см. Такой же результат был получен и при исследовании лауэграмм механически деформируемых кристаллов (А. Ф. Иоффе). Объемная блочная [c.340]

В качестве примера рассмотрим молекулу титаноцена ( jHj)2Ti. Было много споров относительно предложенной геометрической структуры этого соединения, поскольку теоретические соображения говорят в пользу изогнутой структуры, тогда как вполне возможна структура, аналогичная структуре ферроцена. Обнаружено, что ( 5115)2X1 существует только в димерной форме, и, таким образом, этот вопрос имеет смысл только для недавно синтезированной молекулы ( 5M 5)2Ti, в которой все атомы водорода замещены на метильные группы. Это соединение в растворе представляет собой мономер если его выделить в виде твердого кристалла, то в элементарной ячейке симметрии P2i/ содержатся две молекулы [5]. В этой группе общая точка порождает четыре молекулы на элементарную ячейку, в то время как особых точек всего две с симметрией Т. Очевидно, для того чтобы молекула ( 5Me5)2Ti находилась в центре симметрии 1, ее структура должна иметь центр инверсии, и поэтому одно циклопентадиенильное кольцо будет порождать другое, параллельное первому. Поскольку при воздействии рентгеновских лучей кристаллы этого вещества при комнатной температуре медленно разлагаются, точные данные по интенсивности рентгеновского излучения получить трудно однако ограниченный набор данных согласуется со сделанным предположением о наличии только центровой симметрии. [c.372]

Дифракционные картины Д и исключительно похожи во многих отношениях и имеют много общего с картиной Г относительно наиболее интенсивных линий. Следует предположить, что при замене S N и Se N на O N, если даже геометрии систем похожи, большие электронные плотности на атомах S и Se должны приводить к заметному изменению интенсивностей линий при рассеянии рентгеновских лучей. Поэтому можно сказать, что дифракционные картины Д и также похожи, как и следовало бы ожидать, если бы все три структуры были похожи. Результаты согласуютс.я с аналогичными структурами. Особенно заметно увеличение интенсивности пиков при больших углах с увеличением массы мостиковой группы оно станет понятным после обсуждения, проведенного в разд. 17.5. [c.390]

Для того чтобы получить данные о группировке содержимого в элементарной ячейке, необходимо измерять интенсивности рассеянных пучков рентгеновского излучения. И в методе с пленкой, и в методе со счетчиком кристалл движется во время измерений так, что точки о.р. пересекают сферу отражения с одной стороны до другой. Поскольку точки о. р. растягиваются по сфере отражения, интегральная интенсивность зависит частично от угла между направлением движения и поверхностью сферы при пересечении. Время, необходимое для пересечения точкой о.р. сферы, увеличивается по мере того, как угол приближается к нулю. Необходимо также объяснить различие в отражаемости рентгеновских лучей, электрический вектор которых перпендикулярен и параллелен плоскости отражения. Лорентцева и поляризационная поправки соответственно могут быть использованы для исправления наблюдаемой интенсивности отражения hkl следую- [c.390]

Система RYSALIS j ] определяет трехмерную структуру белка по распределению плотности электронов (РПЭ). ЭС интерпретирует информацию по дифракции рентгеновских лучей, включающую информацию о положении и интенсивности рассеянных волн, и выводит атомную структуру. ЭС использует знания о составе белка и рентгеноструктурном анализе, а также эвристики, чтобы с помощью анализа РПЭ получать и проверять гипотезы относительно правдоподобных белковых структур. HYSALIS использует архитектуру типа доски объявлений , содержащей независимые источники знаний для выдвижения и проверки многоуровневой структуры гипотез. ЭС написана на языке ЛИСП. [c.262]

Отношение интенсивностей двух линий, принадлежащих двум фазам, про-порщюнально процентному содержанию этих фаз. На этом свойстве рентгеновских лучей основан количественный фазовый анализ. Интенсивность линий измеряют путем фотометрирования или используя ионизационные методы регистрации рентгеновских лучей. Построив экспериментально градуировочную кривую зависимости процентного отношения интенсивностей фаз от их процентного содержания, можно с большей или меньшей точностью определить количественный состав катализатора. Ошибка анализа колеблется в пределах 1—30% от содержания фазы в зависимости от исследуемых образцов и методики. Подробно различные методики анализа фазового состава изложены в [26]. [c.381]

Дифракционное рассеяние рентгеновских лучей под малыми углами характерно для ультрамикрогетерогенных систем с частицами аморфной структуры. Природа этого я1 ле1 ия аналогична дифракции видимого света малыми экранами и отверстиями, теория которой подробно рассматривается в следующем разделе, поспященном рассеянию света. Отличия состоят не только в размерах частиц и применяемых длин воли, а главное — в соотношениях между ними. Данный метод применим, если размеры определяемых частиц сравнимы или больше длин рентгеновских лучей. В связи с этим максимум рассеяния приходится па направление, совпадающее с направлением падающих лучей. Размер же области рассеяния, т. е. угол, при котором интенсивность рассеянных лучей нрактически равна нулю (Омзкс), тем меньше, чем больше рассеивающий объем. Эту величину можно оценить по соотношению [c.253]

Из соотношения (V. 7) следует, что дифракционное рассеяние рентгеновских лучей (Я 0,1 нм) доступно наблюдению, если рассеивающий объем отвечает объему частнц ультрамикрогетерогенных систем. Согласно (V. ) для г — 100 нм Оиакс 3 и для г = 10 нм Омякс 30. Логзрифм интенсивности рассеянных лучей иод малыми углами линейно убывает с увеличением квадрата радиуса частиц, квадрата значения угла и с уменьшением квадрата длины волны. [c.253]

Оба метода основаны на том,что интегральная интенсивность отраженных рентгеновских лучей с учетом поправок на поглощение и рассеяние пропорциональна удельнок обье1<у образда, в зернах (кристаллитах) которого плоскости (bk ) находятся в положении отражения. При этом рентгеновские лучи должны попадать на большое число зерен, иначе возникает необходимость использовать интегри-рушще приспособления,обеспечивающие смещение образца. [c.105]

При использовании монохроматического рентгеновского луча Применяют такие методы, как рентгенографирование в расходящемся луче, когда точечным источником монохроматического излучения освеш,ают монокристалл, или метод враш,ения и колебания монокристалла. В последнем случае для получения рентгенограммы вращения небольшой монокристалл освещается параллельным монохроматическим лучом, а кристалл при этом вращается вокруг оси, перпендикулярной к первичному пучку. Измерив интегральную интенсивность отражений и определив Набор структурных амплитуд, можно расшифровать атомную структуру кристалла. [c.153]

Справочник химика 21

Химия и химическая технология