Пленки полупроводниковые

По Ф. Ф. Волькенштейну [62], электронные концепции можно перенести и на металлы, так как они в большинстве случаев покрыты тонкой окисной пленкой ( полупроводниковый чехол ). Но это заключение требует проверки. [c.163]

Другой путь получения монокристаллов — кристаллизация из газовой фазы в результате транспортных реакций. Наиболее широко они используются для выращивания эпитаксиальных пленок полупроводниковых соединений на монокристаллических подложках из германия, кремния и других полупроводников. Сущность транспортных реакций заключается в том, что твердое вещество, в данном случае полупроводниковое соединение, взаимодействуя по обратимой реакции [c.272]

Вакуумные технологии стали определяющими во всем цикле изготовления интегральных схем (ИС). Получение сверхчистых металлов и полупроводниковых материалов, выращивание ленточных монокристаллов, молекулярно-лучевая эпитаксия, получение тонких пленок полупроводниковых материалов и металлов, ионно-плазменное и плазмохимическое травление рабочих материалов, ионная имплантация, радиационная обработка, электронная и ионная литография и другие -далеко не полный перечень вакуумных процессов в технологии производства ИС. Из примерно 200 операций современной технологии изготовления сверхбольших интегральных схем (СБИС) 160 осуществляют в вакууме. [c.10]

В последние годы появилось много работ по изучению фазового состава, совершенства, наличия окисных пленок и, наконец, структуры поверхности и тонких пленок полупроводниковых материалов, особенно полученных путем эпитаксиального роста. [c.301]

Однако часто встречаются намного более сложные системы, в которых Ёд. с является лишь частью е. Например, на пассивном титане часть скачка потенциала е может локализоваться в пленке полупроводникового окисла на поверхности металла 118]. В разбавленных растворах электролитов плотный заряженный слой жидкости частично размывается тепловым движением ионов в результате образуется так называемая диффузная часть двойного слоя, толщина которой может достигать 10 см. [c.9]

Для характеристики свойств фазовых окисных пленок, присутствующих на пассивной поверхности металла, т. е. для ответа на вопрос, обладают ли такие пленки полупроводниковыми свойствами и в чем заключается специфика их влияния на электрохимическое поведение системы металл — окисная пленка — раствор, измерялись кинетические параметры окислительно-восстановительных реакций на окисленном электроде. [c.51]

Существует два метода получения эпитаксиальных пленок полупроводниковых веществ конденсация в вакууме из молекулярного пучка и осаждение из газовой фазы при химических процессах. Пленки, полученные первым методом, обладают более низкими электрофизическими свойствами (в частности, они имеют более низкое удельное сопротивление и подвижность носителей, чем у массивных монокристаллов). [c.27]

Эмаль должна находиться в жидком состоянии во всем интервале температур нанесения пленок полупроводниковых веществ коэффициент линейного расширения эмали и подложки не должен слишком сильно отличаться от коэффициента линейного расширения наносимых полупроводниковых веществ. [c.30]

В настоящее время используются два метода получения эпитаксиальных пленок полупроводниковых веществ путем конденсации из паровой фазы молекулярных пучков в вакууме и путем осаждения из газовой фазы при химических процессах (восстановлении или разложении соответствующих солей). [c.398]

Кузнецов Ф. А.— В кн. Процессы синтеза и роста кристаллов и пленок полупроводниковых материалов. Новосибирск Наука, 1971, с. 183— 194. [c.36]

Новые возможности в создании составных МИА возникли в связи с двумя обстоятельствами. Во-первых, благодаря интенсивному развитию промышленного производства титана этот металл стал доступным для использования в качестве конструкционного материала. При анодной поляризации во многих электролитах, в том числе и в хлоридных, титан пассивируется, покрываясь пленкой полупроводникового оксида, запирающего анодный ток и защищающего металл от коррозии. Это позволяет использовать его в качестве механической основы электрода и незащищенного токо-подвода к работающей поверхности анода [49—51]. [c.22]

При изготовлении сложных электронных схем напылением в вакууме наряду с пассивными элементами (сопротивлениями, конденсаторами) применяют и полупроводниковые элементы. У тонких пленок полупроводниковых веществ отмечена очень высокая подвижность электронов поэтому при [c.234]

МЫШЬЯКА(У) СУЛЬФИД AS1S5, оранжевое аморфное в-во, кристаллизуется при высоком давл. tn ок. 190 °С практически не раств. в воде (3-10" "%), не раств. в сп. Получ, сплавление элементов осаждение н.з солянокислого р-ра A.sjOs сероводородом. Примен. компонент халькогенидных стекол II стеклообразных полупроводников, пиро-технич. сосгавов пигмент для получ. др. соед. As. МЫШЬЯКА ТРИИОДИД Asb, красные крист. in 141 °С, fm i 371 °С раств. в воде (с разл.), сп., зф., бен.зо.ле, хлороформе. Получ. взаимод, элементов. Примен. для нолуч. пленок полупроводниковых арссиидов. [c.357]

На сульфатно-аммиачном фоне кадмий дает хорошо выраженную полярограмиу (рис. 19, а). Этот фон используют при анализе теллуридов и селенидов Сс1 и 2п. При совместном их присутствии с 8е и Те, пики Сс1 и 8е с потенциалами соответственно при —0,64 и 1,5 в пригодны для анализа систем при соотношении Сс1 Зе от 1 50 до 5 1. Чувствительность метода 0,4 мкг Сс1/10 мл. Определение Сс1 в присутствии 1000-кратных количеств Те проводят на тартратно-аммиачном фоне, потенциал полупика находится при —0,64 в. Этот фон пригоден для анализа пленок полупроводниковых соединений [414]. [c.105]

Описанная конструкция титратора позволяет высокочувствительно определять микроколичества кадмия, цинка, селена (примерно до 0,5-j Kr), сульфат-ионов (примерно до 5 мкг), анализировать микронавескн (пленки) полупроводниковых соединений сульфида кадмия, селенида кадмия и цинка [244]. [c.201]

Описанная конструкция титратора позволяет высокочувствительно определять микроколичества кадмия, цинка (примерно до 0,5 мкг) селена (примерно до 0,5 мкг), сульфат-ионов (примерно цо 5 мкг), анализировать микронавески (пленки) полупроводниковых соединений сульфида, селенида кадмия, цинка на основные компоненты и продукты окисления [244]. [c.177]

Существует еще метод конденсирования пленки полупроводникового вещества на подложку, покрытую тонким слоем расплавленной эмали (реотаксиальный метод). При этом тепловые флуктуации поверхности расплавленной эмали обеспечивают большую подвижность атомов осаждаемого вещества, в результате чего возникает меньшее число центров образования кристаллизации, чем в случае образования пленки на поверхности твердого тела. Поэтому при реотаксиальном выращивании можно получить более крупные и четко ориентированные кристаллические образования. [c.30]

Эпитаксиальная технология позволяет наращивать монокристаллические слои кремния, практически любой толщины на монокристаллические подлонски того же либо другого полупроводникового, изолирующего или металлического материала. Как отмечалось в гл. V, условия, которые необходимо обеспечить для получения монокристаллических пленок с высоко совершенной структурой и с контролируемыми свойствами, пока не могут быть сформулированы в общем виде с учетом кристаллографических, кристаллохимических, химических и физических факторов. Поэтому разработка технологии каждого процесса и его применение по созданию новой системы подложка — эпитаксиальная пленка полупроводникового материала требуют кропотливых исследований. [c.428]

Я. А. У г а й, т. А. М а р ш а к о в а, Н. А. И г н а т ь е в, К. Б. А л е й-и и к о в а, Н. С. Д а н и л ь ч е н к о. В кн. И Всесоюзный симпозиум по процессам роста и синтеза кристаллов и пленок полупроводниковы.х соел, -пеппй. Тезисы докладов. Новосибирск, 1969. [c.43]

Транспортные реакции широко применяют при выращивании пленок полупроводниковых соединений на ориентированных мо-нокристаллических подложках из бинарных соединений одинаковой кристаллической структуры. Подобные гибриды получают также с участием германия и кремния. [c.191]

Если необходимо исследовать весьма малое количество вещества, upo-анализировать малый образец (массой несколько микрограммов), химико-аналитический эксперимент выполняют в ультрамикромасштабе. С каждым годом потребность в такого рода исследованиях возрастает. Возможность понять причину коррозии той или иной малой поверхности (например, отказавший контакт), проанализировав вещество образовавшегося на ней налета изучить состав жидких и твердых включений в минералах для объяснения генезиса последних исследовать малые частицы вещества с целью выяснения их происхождения уметь дать ответ на вопрос о количественном соотношении компонентов в малых образцах и пленках полупроводниковых материалов, синтезированных кристаллах, малых объемах природных вод и т. п.,— вот примерный круг вопросов, в основе решения которых лежит ультрамикрохимическое исследование состава вещества. [c.264]