Справочник химика 21

Химия и химическая технология

Статьи Рисунки Таблицы О сайте English

Обратное рассеяние

    Целью работы является определение содержания химического элемента с большим 2 в смеси с элементами с малыми г, например определение содержания железа в рудах по эффекту обратного рассеяния р-лучей. [c.367]

    Обратное рассеяние Р-частиц веществом зависит от их энергии, толщины слоя абсорбирующего материала и порядкового номера абсорбирующего элемента. Связь между толщиной слоя т, обеспечивающего наибольшее отражение Р-частиц веществом, и максимальной энергией р-излучения (МэВ) выражается формулой [c.305]


    Определение толщины покрытия радиоактивным методом основано на обратном рассеянии (отражении) -излучения. В качестве источника -излучения применяются радиоактивные изотопы. Мерой интенсивности отраженного (рассеянного) излучения служит ток, возникающий в ионизационной камере. [c.237]

    Определить содержание примеси гафния в цирконии по результатам измерений обратного рассеяния р-излучения. [c.183]

    Результаты измерений следующие. Скорость счета обратного рассеяния излучения 0,77 Мэе (ТР° ) для циркония, содержащего 5% примеси гафния, разнялась 1010 скорость счета от образца, содержащего [c.183]

    Радиационный метод основан на измерении интенсивности обратного рассеяния р-излучения в зависимости от толщины покрытия применим, когда атомные номера основного металла и покрытия отличаются не менее чем на 2. Относительная погрешность метода 5 %. [c.54]

    Методы, основанные на обратном рассеянии излучения [c.34]

    При измерении зольности по интенсивности обратно рассеянного углем 7-излучения с энергией <7,11 кэВ (вторая модификация методов) снижается влияние флуктуаций содержания железа в золе. Так, в работе [10] описана установка для определения и 5 в низкозольном угле при использовании Ре. Однако из-за малой представительности и сложностей, связанных с подготовкой проб, метод широкого распространения не получил. [c.35]

    В четвертой модификации методов качество угля оценивают по интенсивности обратно рассеянного 7-из-лучения с энергией от 40 до 200 кэВ [13—20]. При росте энергии снижается влияние фракционного состава угля, но уменьшается чувствительность прибора, от этого снижается точность и усложняется градуировка. [c.35]

    Пятой модификацией методов является измерение зольности угля по обратному рассеянию жесткого у-из-лучения. Наиболее часто используют и спектро- [c.36]

    Содержание твердого в угольной пульпе можно вычислять по замедлению нейтронов и ослаблению у-излучения, а зольность — по обратному рассеянию рентгеновского излучения и ослаблению низкоэнергетического у-излучения. В устройстве [93] использованы три зонда с источниками и детектором Ат, Ва и Nal(Tl) и Nal(Tl) Am/Be и литиевое стекло. [c.40]

    Символ i относится к измеряемому элементу, / — к каждому элементу, присутствующему в эталоне или образце, включая элемент . Следовательно, Rij представляет собой поправку на обратное рассеяние для элемента i за счет влияния элемента / в образце. Подгоночные параметры / /, R2 и Rz были рассчитаны как функция U K [c.18]


    Поправки на атомный номер 2си и 2м получены при двух значениях ускоряющего напряжения 15 и 30 кВ. Значения /си и /л1 получены из уравнения (7.22). Значения 5си и 5а1 для излучения Сика, ( кр = 8,98 кэВ) или к к ( кр=1,56 кэВ) рассчитывались по уравнению (7.23). Константа в (7.23) принималась равной единице, поскольку она в конце концов уходит при последующих расчетах. Поправки на обратное рассеяние / си и / а1 как для Сик , так и для А1к получены из уравнения (7.20). Члены и вычислялись по уравнениям (7.21) и [c.22]

    Основная трудность при работе с наклоненными образцами связана с тем, что модель трех поправок справедлива при нормальном падении пучка. Влияние наклонного падения пучка на параметры метода трех поправок практически не исследовано. Рид [155] установил, что для образца, наклоненного под углом 45° относительно падающего пучка электронов, коэффициент отражения изменяется значительно. В случае когда образец и эталон измеряются при одинаковом угле наклона, влияние наклона на коэффициент отражения одинаково для обоих. Было установлено [156], что для такой конфигурации изменением в поправке на обратное рассеяние за счет наклона можно пренебречь для Z<30. Максимальное влияние оказывается равным [c.39]

    Существуют также и другие взаимодействия и эффекты, способные влиять на форму получаемого 7-спектра. Из-за совпадающего детектирования двух или более 7-квантов из каскада распадов, приводящего к импульсу с амплитудой, которая соответствует сумме энергий квантов, наблюдаются дополнительные пики, так называемые суммарные пики. Тормозное излучение с непрерывным распределением образуется в процессе торможения /3-частиц и электронов конверсии как в детекторе, так и в окружающем материале. Тормозное излучение может значительно увеличить фон в низкоэнергетической области спектра. Образование тормозного излучения вне детектора можно эффективно уменьшить за счет использования окружающих материалов с низким Z. 7-Излучение комптоновского рассеяния в окружающих детектор материалах образует так называемый пик обратного рассеяния. [c.111]

    Ионно-зондовые методы имеют чрезвычайно большое значение для анализа поверхности. К наиболее важным методам относятся спектрометрия резерфордовского обратного рассеяния и масс-спектрометрия вторичных ионов. В следующих разделах мы более подробно остановимся на этих методах. [c.348]

    Спектрометрия резерфордовского обратного рассеяния (POP) [c.348]

    Схематичное изображение экспериментальной установки для резерфордовского обратного рассеяния представлено на рис. 10.3-1. Коллимированный пучок ионов гелия (Не +) с энергиями 1-3 МэВ, сфокусированный до диаметра в несколько нанометров, попадает на плоский образец. Спектр обратнорассеянных ионов гелия регистрируется при помощи энергодисперсионного поверхностно-барьерного детектора. Обычно подобные установки оснащены кремниевыми твердотельными детекторами с тонкой пленкой золота. Налетающий ион гелия генерирует в полупроводнике множество электронно-дырочных пар, количество которых пропорционально его кинетической знергии. Таким образом регистрируется спектр обратно-рассеянных ионов в энергодисперсионном режиме с разрешением 10-20 кэВ (см. также описание энергодисперсионного 81(Ь1)-детектора рентгеновского излучения, работающего по тому же принципу). [c.348]

    В спектре обратного рассеяния кремния содержится достаточно широкий пик, расширяющийся от крутого края вниз до (практически) нулевой энергии рассеянных ионов. Это можно объяснить тем, что ионы гелия, проникающие в твердое тело, проходят через море электронов между ядрами. В результате кулоновского взаимодействия между ионами гелия Не + и электронами [c.349]

    На рис. 10.3-4 схематично представлен энергетический баланс налетающей частицы, обратно рассеянной от атомов мишени на глубине I от поверхности. Когда налетающая частица входит под поверхность и достигает атома, на котором происходит рассеяние, потеря ее энергии составляет Д х — йЕ/й1 Ео - [c.350]

    Измеряемая энергия частицы, обратно-рассеянной с глубины t под углом 180° ( os и 1), составляет  [c.351]

    На основании электронных потерь энергии можно определить глубину залегания атома мишени, на котором происходит обратное рассеяние, при условии, что величина АЕ/Ах известна. Поскольку эти параметры можно либо вычислить с высокой точностью, либо измерить с помощью образцов сравнения (тонких пленок), из спектров POP можно непосредственно получить информацию [c.351]

Рис. 10.3-5. POP Спектр обратного рассеяния ионов гелия с энергией 3,0 МэВ, падающих на алюминиевую пленку толщиной 4000 А, покрытую с обеих сторон золотыми маркерами (три монослоя) в = 170°) [10-5]. Рис. 10.3-5. POP Спектр <a href="/info/140998">обратного рассеяния</a> <a href="/info/171758">ионов гелия</a> с энергией 3,0 МэВ, падающих на <a href="/info/880124">алюминиевую пленку</a> толщиной 4000 А, покрытую с обеих сторон золотыми маркерами (три монослоя) в = 170°) [10-5].

    Разрешение по глубине спектрометрии резерфордовского обратного рассеяния составляет 20-50 нм. [c.352]

    После обсуждения вопросов, касающихся энергии рассеянных ионов, рассмотрим интенсивности пиков в спектре рассеяния. Вероятность того, что налетающий ион в результате упругого столкновения претерпит обратное рассеяние, определяется дифференциальным сечением рассеяния da/dQ. [c.352]

    В качестве примера рассмотрим схематичную картину поведения ж п-трона, родившегося в результате деления в однозонном реакторе (без отражателя). Нейтроны при делении испускаются с отрюсительно высокой С]юд-ней энергией ( 2 Мэе) и в произвольном направлении. Нейтрон перемещается от точки, где произошло деление, по прямой линии, пока не встретит ядро или не выйдет за пределы системы. В теории реакторов принято, что область впе границ интересующей нас системы не содержит никаких материалов, так что обратного рассеяния нейтронов в систему не происходит и нейтрон, вышедший за пределы реактора, фактически теряется. С другой стороны, если нейтрон встречает ядро (под этим мы подразумеваем, что нейтрон проходит так б. тизко от ядра, что начинают действовать ядерные силы ), то произойдет столкновение, в результате которого не11трон поглотится пли изменится его энергия н направление движения. [c.24]

    Ситовой анализ и визуальное изучение частиц под обычным или электронным микроокопо1м относятся к первой группе методов. Вторая группа включает декантацию (классификацию), седиментацию и инерционный зах1ват, тогда как в третью группу входят определение проницаемости, прямое определение площади поверхности (метод БЭТ), обратное рассеяние у-лучей и др. [c.90]

    Регистрируемая счетной установкой активность равна произведению активности на коэффициент счета ср [см. формулу (5)]. Коэффициент счета представляет собою произведение целого ряда коэффициентов, учитывающих поправки на величину телесного угла (геометрический коэффициент счета), — т , эффективность регистрации данного вида излучения — г, поглощение — к, обратное рассеяние — д, самоос-лабление — [c.344]

    Исследователи [16, 17] показали возможность опр еделения состава золы по соотношению пиков когерентного и комптоновского рассеянного углем 7-излучени . В работе [18] проанализировано применение -раз.пи -г-ных методов для измерения элементов в углях. В США создан портативный прибор анализа негорючих вешес/в в угольной пыли [19]. Обратно рассеянное пылью 7-и -лучение от "Ат регистрируется С(1 — ТЬдетекторо м в течение 25 с, определяется зольность пыли. Геоме -рия измерений оптимизирована на нулевую чувств1 1-тельность к плотности. Аналогичный датчик описан в работе [20]. [c.35]

    Широкое распространение получил комбинированный метод. Зольность определяют по интенсивности обратно рассеянного у-излучения, а для корректирования колебаний содержаний отдельных золообразующих элементов используют интенсивности соответствующих ли- [c.37]

    В работе [88] рассмотрены сравнительные характеристики измерения зольности угля по ослаблению и обратному рассеянию у-излучения, а также результаты определения влажности микроволновым методом для получения отдельного сигнала и введения коррекции. Известна конструкция золомера для контроля процессов флотации, в котором регистрируется прошедшее излучение и обратно рассеянное излучение [c.40]

    Соличеств интерпретация данных о рассеянии быстрых ионов проще, чем в случае медленных ионов, и проводится с применением резерфордовского закона рассеяния, когда эффектом экранирования ядер электронами можно пренебречь Частица, отраженная от пов-сти твердого тела, обладает большей энергией, чем частица, отраженная от внутр слоев мишени Потери энерги . связаны с электронным и ядерным торможением внутри твердого тела Т к сечение рассеяния невелико, часть ионов, проникнувших в глубь мишени, двигается по прямой испытывая в осн электронное торможение После соударения с атомом, в результате к-рого направление движущегося иона меняется на угол > 90° (обратное рассеяние), он под действием электронного торможения опять по прямой направляется к пов-сти материала Т обр, фиксируя спектры энергетич потерь обратнорассеянных ионов, можно без разрушения образца получить информацию о распределении определяемого элемента по глубине Напр, используя рассеяние а-частиц с энергией 10 Дж, можно исследовать слои тотщиной в доти мкм с разрешением по глубине 20 нм без послойного травления, к-рое необходимо в случае использования медленных ионов Разрешение по глубине зависит от массы и энергии первичных ионов, массы атомов материала и энергетич разрешения регистрирующей аппаратуры По величине потерь энергии можно определять также толщину пленок иа подложках [c.258]

    Значения R лежат в интервале 0,5—1,0 и приближаются к единице для элементов с низким атомным номером. Фактор поправки на обратное рассеяние зависит не только от атомного номера, но и от величины перенапряжения и=Ео1Екр. При уменьшении перенапряжения до единицы меньшее число электронов рассеивается от образца с энергией >Якр, и, следовательно, потери ионизации от таких отраженных электронов меньше. [c.18]

    В работе [135] была предложена подгоночная формула для фактора поправки на обратное рассеяние R по значениям, полученным Данкамбом и Ридом [15], с учетом перенапряжения и и атомного номера Z  [c.18]

    Альбедо безразмерная величина, характеризующая отражательную способность тела. Альбедо Земли, составляющее примерно 35%, слагается из отражения сскпнечной радиации облаками, обратного рассеяния прямой радиации составляющим и атмосферы в космос и отражения подстилаю1цей поверхностью. [c.290]

    Резерфордовское обратное рассеяние (POP) Рассеяние ионов средних энергий (MEIS) Рассеяние медленных ионов (РМИ) [c.347]

Рис. 10.3-3. POP Спектр обратного рассеяния мишени с монослойным покрытием из Au, Ag и Си на кремниевой подложке, показывающий зависимость потерь знергии от массы мишени Ео = 2,5 МзВ [10-5]. (ПШПВ — полуширина на половине высоты пика.) Рис. 10.3-3. POP Спектр <a href="/info/140998">обратного рассеяния</a> мишени с монослойным покрытием из Au, Ag и Си на <a href="/info/880129">кремниевой подложке</a>, показывающий <a href="/info/398446">зависимость потерь</a> <a href="/info/340970">знергии</a> от массы мишени Ео = 2,5 МзВ [10-5]. (ПШПВ — полуширина на <a href="/info/40779">половине высоты</a> пика.)

Смотреть страницы где упоминается термин Обратное рассеяние: [c.166]    [c.130]    [c.183]    [c.37]    [c.40]    [c.110]    [c.17]    [c.59]    [c.314]    [c.341]    [c.346]    [c.349]    [c.350]   
Введение в радиационную химию (1967) -- [ c.57 , c.58 , c.62 , c.63 ]

Физические методы анализа следов элементов (1967) -- [ c.261 ]




ПОИСК







© 2024 chem21.info Реклама на сайте