Донорные частицы

Гетеролиз (диссоциация) представляет собой крайний случай, когда в результате сильного взаимодействия возникают новые частицы, а молекулы растворителя замещают ионы, потерянные акцепторной и донорной частицей соответственно [c.264]

В присутствии других донорных частиц димеры разрушаются [c.324]

Жесткие основания — донорные частицы, обладающие высокой электроотрицательностью, низкой поляризуемостью, трудно окисляющиеся. Термин жесткое основание подчеркивает, что соединение прочно удерживает свои электроны, т. е. его молекулярная орбиталь, пара электронов которой передается акцептору, имеет низкий уровень энергии (расположена близко к ядру атома). Донорными атомами в жестких основаниях могут быть кислород, азот, фтор, хлор. [c.114]

Мягкие основания — донорные частицы с низкой электроотрицательностью, высокой поляризуемостью, довольно легко окисляющиеся. Они слабо удерживают свои валентные электроны, так как их молекулярные орбитали, на которых находятся пары электронов, передаваемые акцепторам, обладают высоким уровнем энергии (электроны удалены от ядра атома). В качестве доноров электронов выступают атомы углерода, серы, иода. [c.114]

Атом меди в медьорганических соединениях имеет тенденцию координироваться с донорными частицами. Например, при взаимодействии с литийорганическими соединениями образуются медьорганические соединения нового типа — с двумя связями С—Си [c.252]

Если сорбируемая частица является донором электронов, уровень Фер-ми на поверхности кристалла повышается. Это приводит к уменьшению адсорбционной способности поверх-ности к донорным частицам и повыше- 53 различных [c.33]

Адсорбция акцепторных частиц на тонком полупроводнике приводит, очевидно, к понижению уровня Ферми по сравнению с его положением (Fq) до адсорбции или, что то же самое, по сравнению с его положением в полубесконечном образце того же полупроводника. Вследствие этого концентрация отрицательно заряженных адсорбированных частиц должна уменьшиться по сравнению с их концентрацией на полубесконечном образце того же полупроводника (при тех же значениях р и Т). В то же время, адсорбция донорных частиц на тонком полупроводнике приводит к повышению уровня Ферми по сравнению с Fq. Поэтому концентрация положительно заряженных адсорбированных частиц должна также уменьшаться с уменьшением отношения VIS. При небольших заполнениях концентрация электрически нейтральных адсорбированных частиц не зависит от положения уровня Ферми, а значит — и от значения VIS адсорбента. Следовательно, удельная адсорбционная способность полупроводника уменьшается с уменьшением VIS только за счет уменьшения концентрации заряженных частиц. Эффект поэтому может быть заметным лишь тогда, когда заряженные частицы составляют значительную долю от общего числа всех адсорбированных частиц. [c.53]

В жидких углеводородах и других растворителях, классифицируемых как инертные или апротонные , диэлектрические постоянные часто настолько малы и сольватация ограничена в такой степени, что имеется в наличии всего несколько свободных ионов. Кроме того, эти растворители не способны к самодиссоциации, и, следовательно, для них эквивалентное соотношение между кислотностью и основностью уже не выполняется. В этих условиях процесс кислотно-основного взаимодействия, в котором главную роль играет водородная связь,, исключительно специфичен [9]. В такой ситуации обобщенная теория кислот и оснований значительно более приемлема, чем одноэлементная теория Бренстеда. Кислотными частицами являются акцепторы электронов, а основаниями — донорные частицы со свободной парой электронов, способной к образованию ковалентной координационной связи. Несмотря на наличие некоторых дополнительных закономерностей, создание полезной шкалы измерений, которая будет отражать наличие акцепторов электронов, — очень трудная задача. [c.309]

ЭТОТ ион может терять часть гидратационной воды, несмотря даже на то, что высокая плотность заряда этого иона настоятельно требует сольватации основными (электроно-донорными) частицами. Отсюда вытекает одно из возможных объяснений различия в обменных свойствах ионов [c.269]

Донорные молекулы различают по форме и размерам. Стерические факторы при комплексообразовании не имеют большого значения в том случае, когда координируется только одна донорная частица и когда то место, которое эта частица может занять, не очень мало. Действительно, когда речь шла о донорных числах, стерические факторы не учитывали. Однако положение меняется, когда в координации участвует несколько молекул растворителя или когда координационная сфера мала для них. Таким образом, стерические факторы имеют большое значение, когда небольшие по размеру ионы координируют вокруг себя несколько объемистых [c.34]

Донорные частицы с низкой электроотрицательностью [c.27]

Внешнесферные комплексы — соединения, образующиеся после завершения координации во внутренней сфере, т. е. после достижения максимального координационного числа. При этом роль центрального атома выполняет внутрисферный комплекс, а лигандов — любые донорные частицы (стр. 53 и 104). [c.211]

Способность растворителей к специфической сольватации обусловлена наличием у них электронодо-норных или электроноакцепторных свойств. По Льюису акцепторы электронов являются кислотами, а доноры — основаниями, и поэтому сольватация — это взаимодействие льюисовских кислот и оснований разной силы. Введя понятие жестких и мягких кислот и оснований, можно предсказать характер сольватации обменивающихся ионов. По Льюису к жестким основаниям относятся донорные частицы, обладающие высокой электроотрицательностью и-низкой поляризуемостью (0Н , F , СО3 ). Донорные частицы с низкой электроотрицательностью и высокой поляризуемостью относятся к мягким основаниям (1 , S N , R3P). К жестким кислотам относятся акцепторные частицы с низкой поляризуемостью (Н+, Li+, Na+, BF3), а к мягким — акцепторные частицы с высокой поляризуемостью (Ag+, I , Ь). [c.30]

В случае донорных частиц мы имеем [c.16]

Следует иметь в виду, что для эффективного осуществления стадии рекомбинации — процессы 18 и 18 — необходимо, чтобы энергия рекомбинации была по крайней мере сравнима с энергетической шириной запрещенной зоны фосфора, поскольку в противном случае вероятность делокализации электрона в случае рекомбинации акцепторных частиц или дырки в случае донорных частиц окажется малой и процессы рекомбинации, очевидно, будут осуществляться (если они вообще будут иметь место) без указанных электронных переходов. [c.103]

Заметим кстати, что при выводе формулы (3.42) мы исходили из предположения, что хемосорбированные радикалы К, участвующие в актах рекомбинации, являются акцепторами. В случае донорных частиц (как нетрудно показать) мы приходим к тем же формулам (3.42) и (3.43), в которых, однако, расстояния е и у откладываются уже не вниз от дна зоны проводимости, а вверх от потолка валентной зоны, в то время как параметры Л и В имеют тот же вид. Зависимость / от е для этого случая схематически изображена на рис. 33, на котором ъм и /м по-прежнему имеют вид (3.43). [c.108]

Мы видим, что зависимости интенсивности люминесценции от положения уровня Ферми в этих двух случаях противоположны по мере смещения уровня Ферми сверху вниз (при прочих неизменных условиях) в первом случае (акцепторные частицы) люминесценция гасится, а во втором (донорные частицы), наоборот, разгорается. [c.108]

В случае донорных частиц упрочнение связи, очевидно, будет связано с выбросом электрона с уровня хемосорбированной частицы в зону проводимости [c.110]

При включении освещения величина фототока через образец, не подвергающийся воздействию атомов и радикалов, в 5—7 раз больше фототока через образец, возбуждаемый свободными атомами (радикалами). Для регистрации фотопроводимости применялась мостиковая схема с компенсацией темповой проводимости. Кажущееся уменьшение проводимости в 5—7 раз, очевидно, вызвано уменьшением составляющей проводимости, обусловленной сорбционно-рекомбинационными процессами вследствие фотодесорбции. С точки зрения электронной теории адсорбции на полупроводниках именно фотодесорбция более вероятна при низких парциальных давлениях донорных частиц над электронным полупроводником [213], как это имеет место в описываемом случае. [c.157]

Рассмотрим подробнее эти акты. При этом ограничимся случаем, когда частицы С являются акцепторами. Все дальнейшее может быть легко обобщено и на случай донорных частиц. [c.183]

Донорные частицы с низкой электроотрицательностью и высокой поляризуемостью составляют класс мягких оснований. Как правило, эти частицы сравнительно легко окисляются. В качестве примера здесь могут быть названы 1 , 5СЫ , (СНз)зР, СбНб. [c.18]

Очевидно, что локализованные двухцентровые донорно-акцепторные связи между атомом бора и какими-либо донорными молекулами прочнее, чем трехцентровые двухэлектронные связи в гидриде, и поэтому ВН3 охотно присоединяет донорные частицы. Например, молекулы МНз, 0(СгН5)2, М(СНз)з и другие. Наиболее важными являются продукты присоединения иона Н-. Так, например, в эфирных или других неводных растворах легко идет реакция [c.317]

Атом меди в медьорганических соединениях образует координационные связи с донорными частицами. Например, алкилмедь взаимодействует с ли-тийорганическими соединениями с образованием литийдиалкилкупратов. [c.677]

Формула (7) относится к тому случаю, когда адсорбируюш,иеся частицы имеют акцепторную природу. В случае донорных частиц надо заменить через и — [c.73]

Теория ЖМКО делит, как это уже следует из названия, все кислоты и основания на жесткие и мягкие. Согласно определениям теории ЖМКО, к жестким основаниям относятся донорные частицы (то есть частицы, которые могут делиться с другими частицами своими электронами либо даже полностью отдавать их), обла-1ающие высокой электроотрицательностью, низкой поляризуемостью и трудно окисляющиеся. Многие анионы логут служить примером жестких оснований ОН, Р, Ю4 , СЮ , жесткими основаниями могут быть н нейтральные молекулы, например МНз, СНзЫНг. [c.27]

Заметим в заключение, что при выводе формулы (23) мы исходили из предположения, что хемосор-бированпые частицы участвующие в актах рекомбинации, являются акцепторами. В случае донорных частиц (это можно показать), мы приходим к тем же формулам (23), и (26), в которых, однако, расстояния 8 и г откладываются теперь не вниз от дна зоны проводимости, а вверх от потолка валентной зоны, в то время как параметры А та В имеют по-прежнему вид (24). Зависимость / от е для этого случая изображена схематически на рис. 4, на котором ЕмУ м по-прежнему имеют вид (25). [c.188]

Справочник химика 21

Химия и химическая технология