Темповая проводимость

Методы и результаты исследования электронно-дырочных инжекционных токов в полимерных полупроводниках рассмотрены в монографии [22, гл. 4]. В случае полимерных полупроводников различают так называемую истинную подвижность Ка, характеризующую движение электрона в пределах одной области сопряжения, и дрейфовую Хдр, которая определяется скоростью, перемещения носителя заряда на макроскопическое расстояние. Значение истинной подвижности, определенное путем сочетания методов ЭНР, термо-э. д. с. и частотной зависимости электрической проводимости, оказалось очень высоким [Ю-" — м2/(В- с)]. Это является убедительным доказательством того, что электрическая проводимость у в пределах одной области сопряжения имеет зонный механизм. Этот вывод подтверждается отсутствием зависимости у от температуры при высоких частотах электрического поля. Значение дрейфовой подвижности, определенное методом инжекционных токов, на много порядков меньше и составляет 10- - 10- ° mV(B- ). Причем дрейфовая подвижность увеличивается по экспоненциальному закону с ростом температуры, т. е. температурная зависимость Хдр имеет прыжковый активационный характер, который и определяет преимущественно темповую проводимость и ее зависимость от температуры. [c.79]

Теперь следует рассмотреть уровень Ферми Ер. На рис. 1, который справедлив для достаточно низких температур, когда не происходит термического возбуждения зоны проводимости, уровень Ер расположен посередине между валентной зоной и зоной проводимости. Положение уровня Ер в кристаллах, подобных антрацену, определяется экспериментально (раздел I, 2) по температурному коэффициенту собственной темповой проводимости. Уровень Ферми на рис. 1 очень чувствителен к потере или приобретению кристаллом электрона и перемещается соответственно к границе валентной зоны или зоны проводимости. Это соображение важно в связи с определением работы выхода (см. раздел И, 3). [c.666]

Для фотоэлектрич. свойств нек-рых П.п. характерны поляризационные явления, влияющие на кинетику возрастания и спадания фототока. Напр., если при освещении П. п. фотопроводимость превышает темповую проводимость на 3 порядка, исходное значение темновой проводимости после затемнения восстанавливается за несколько мин. В ряде случаев возможна активация фотопроводимости (увеличение ее на 2—3 порядка) под действием ультрафиолетового облучения. [c.70]

Фотопроводимость красителей. Влияние температуры. Исследования фотопроводимости органических красителей как первые самостоятельные работы были опубликованы Вартаняном [451], Нельсоном [452], Ноддаком и сотрудниками [453—455) в начале 50-х годов. Однако возможность применения явления фотопроводимости красителей для решения вопросов фотообесцвечивания не очень велика. Изучение большого числа красителей различных классов указывает на то, что фотопроводимость красителей вызывается образованием и миграцией переносчиков электронного заряда, а не примесями продуктов фотохимического разложения. Подобие фотопроводимости органических и неорганических полупроводников наводит на мысль, что явление темновой и индуцированной светом проводимости красителей может объясняться таким же образом, как и в случае неорганических полупроводников. Детальное обсуждение этих явлений выходит за рамки данной главы (см. обзоры [6, 456—461]). Следует только напомнить, что темповая проводимость OD возрастает с температурой [c.435]

Порошки применяются для изучения веществ, из которых трудно получить монокристаллы. В тех случаях, когда удавалось измерить темповую проводимость монокристаллов и спрессованных порошков, результаты оказались близкими . Измерения на порошках обычно производятся под давлением. Часто используются спрессованные порошки с тем, чтобы свести к минимуму эффекты, связанные со взаимодействием между поверхностями частиц. [c.62]

При включении освещения величина фототока через образец, не подвергающийся воздействию атомов и радикалов, в 5—7 раз больше фототока через образец, возбуждаемый свободными атомами (радикалами). Для регистрации фотопроводимости применялась мостиковая схема с компенсацией темповой проводимости. Кажущееся уменьшение проводимости в 5—7 раз, очевидно, вызвано уменьшением составляющей проводимости, обусловленной сорбционно-рекомбинационными процессами вследствие фотодесорбции. С точки зрения электронной теории адсорбции на полупроводниках именно фотодесорбция более вероятна при низких парциальных давлениях донорных частиц над электронным полупроводником [213], как это имеет место в описываемом случае. [c.157]

Введение в П. электроноакцепторных или электронодонорных добавок позволяет получать полупроводники р- или и-типа, к-рые в определенных условиях превращаются в орг. металлы (см. Полиацетилен). При этом темповая и фотоэлектрич. проводимость П., не превышающая, как правило, 10 ° - 10 Ом -м" , возрастает на неск. порядков. [c.617]

Теория рекомбинации в монокристалле. По этой теории достигшая равновесия избыточная концентрация, носителей тока при облучении определяется скоростями генерации и рекомбинации позитронов и электронов. Предполагается, что увеличение проводимости прямо пропорционально численному увеличению носителей тока, т. е. принимается, что подвижность последних остается той же самой, что и в случае темпового тока, имеющего термический характер. Квантовый выход приближается к единице, но никогда не превышает этого значения. [c.256]

Важной характеристикой фотоэлементов является величина темпового тока т. Чем больше темповой ток, тем больше величина пороговой чувствительности. Темповой ток определяется суммой термотока и тока утечки между электродами. Термоток зависит как от типа и площади фотокатода, так и от температуры, прн которой работает фотоэлемент. При комнатной температуре термоток фотоэлементов лежит в пределах 10 —10 а см . Для снижения термотока необходимо либо уменьшение площади фото-Катода, либо его охлаждение. На ток утечки влияет проводимость [c.187]

В частности, в области концентраций dO порядка 0,1 мол. % кривые зависимости состав — свойство имеют экстремумы. Так, кривая темновой проводимости имеет очень резкий минимум (изменение логарифма на 10 единиц ). Кривая отношений темпового и светового сопротивления SJS g имеет очень резкий максимум (изменение на 5 порядков ). На 5 мм смеш,ается край Я,рр полосы поглощения, образуя четкий минимум. Кривая зависимости периодов идентичности С при той же концентрации dO проходит через максимум (рис. VHI. 28— VHI.31). [c.575]

Несмотря на то что настоящая книга посвящена твердому состоянию органических веществ и что, в частности, в данной главе рассматривается вопрос о явлениях проводимости, вряд ли целесообразно подробно описывать здесь обычные методы и аппаратуру физики твердого тела. Существует много руководств, справочников, обзорных статей и других источников, откуда можно почерпнуть эту информацию. Однако учитывая, что проблемы твердого состояния органических веществ предстают теперь в новом свете, а следовательно, изучаются иными способами, на описании некоторых экспериментальных методов мы остановимся. Химические аспекты получения изучаемых веществ не будут обсуждаться, так как они весьма далеки от тематики нашей книги. Желающим ознакомиться с этим вопросом можно порекомендовать книгу Клара [32] об ароматических углеводородах или недавно вышедшую работу Цандера [188], посвященную последним результатам. Особое место в этом отношении занимает очистка. Поскольку степень чистоты, требуемая для исследования твердого тела, по порядку величины отличается от обычно получаемой органиками, мы уделяем особое внимание этому вопросу . Представляют интерес и будут обсуждены агрегатные формы, в которых находились изучаемые вещества — спрессованные порошки, пленки и монокристаллы. Затем рассмотрена аппаратура для измерения таких электрических свойств, как темповая и фотопроводимость. [c.12]

Последующее обсуждение намечает основу для предсказания фотокаталитического действия окиси цинка в данной реакции, и для расчета относительных скоростей конкурирующих реакций и распределения продуктов. Следует обратить внимание на два момента. Во-первых, описываемые ниже правила выведены на основании опытов, проводившихся только на двух из множества кристаллических граней окиси цинка поэтому для других граней указанные правила, возможно, нужно будет видоизменить. Во-вторых, нужно подчеркнуть, что эти предсказания нельзя непосредственно перенести на темповые реакции, катализируемые окисью цинка. По существу, механизм темпового катализа должен включать анодную стадию, эквивалентную реакции дырок (фотогенерированных в катализаторе) с хемосорбированными частицами. Примером такого темнового анодного процесса служит инжек-ция электронов в зону проводимости из молекул хемосорбированного вос- [c.99]

Наблюдаемую темновую проводимость можно приписать миграции результирующего заряда (электронов к акцептору и положительного заряда к донору) в те слои компонента, где произошел захват. Фактически только положительные ионы ответственны в основном за проводимость, так как электроды в поверхностных ячейках, применяемых для измерений, отделены от слоя акцептора довольно толстой пленкой донора. При освещении видимым светом проводимость этих систем возрастает. В некоторых случаях эта повышающаяся проводимость сопровождается увеличением поглощения в ЭПР-спектре. В случае системы виолантрен — о-хлоранил увеличение проводимости и поглощения в ЭПР-спектре линейно зависит от интенсивности света (рис. 17). Иногда, особенно в случае системы фталоцианин — о-хлоранил, концентрация неспаренных спинов уменьшается при освещении, тогда как проводимость увеличивается. Путем освещения пленки фталоцианин — о-хлоранил между обкладками конденсатора установлено, что при индуцировании заряда фталоцианин заряжается положительно по отношению к о-хлоранилу. Кинетические исследования влияния освещения на эту систему показали, что увеличение проводимости и поляризации, а также уменьшение концентрации неспаренных спинов обязано одному и тому же процессу. Это объяснение состоит в том, что процесс переноса электрона, приводящий к темповой проводимости, описывается уравнением [c.135]

Во всем диапазоне температур необходимо сделать три отдельных измерения проводимости в отсутствие света, силы терморезонансного тока и силы фототока. Измерения темновой проводимости являются основными, к ним приводят два других измерения. Сначала пробу охлаждают до температуры жидкого азота и измеряют темповую проводимость. По достижении 77° К пробу освещают очень ярким сфокусированным светом источника типа лампы для микроскопа. Под действием света в пробе образуются дырки и электроны и заполняются ловушки. Затем свет выключают и пробу нагревают в темноте. Как только температура пробы повышается до заданной величины, замеряют превышение тока над нормальным темповым током. Этот избыток тока обусловлен носителями заряда, освобождающимися из ловушек и приводящих к возникновению терморезонансного тока. Наконец, измеряют усиление во всем интервале температур при непрерывном освещении пробы светом известной интенсивности. Ток, превышающий темновой, и есть фототок. [c.390]

Итак, мы теперь знаем, что скрытое изобра кение представляет небольшую группу атомов серебра. Нам, кроме того, известны некоторые явления, характерные для галогенидов серебра в темноте н на свету существование темповой проводимости, обусловленной движением межузельных ионов Ag+ отсутствие подвижных ионов Hal- возникновение при освещении свободных электронов и положительных дырок, из которых первые гораздо подвижнее вторых существование в решетке кристалла галогеиида серебра нарушений, наиболее значительные из которых имеют примесную природу, возникают в ходе химического созревания оказывают наибольшее влияние иа светочувствительность кри сталлов, т. е. иа их способность к образованию скрытого изобра жеиия. Надо теперь из этих разрозненных сведений построить об щую картину. Впервые это сделали в 1938 г. английские физик 1Р. Гэрии и Н. Мотт (виоследствие лауреат Нобелевской премии) Хотя в дальнейшем предложенная ими картина подверглась до полнению (за почти полвека это неизбежно), а кое в чем пре терпела и изменения, общие ее положения сохранились по ei день — редкий пример научного долголетия [c.39]

Темповая электропроводность образцов IrigSg, полученных прямым синтезом при давлении серы от 5 до 10 ат [591 ], составляет —10" ом -см , а образцов, приготовленных сублимацией InjSg в HaS, от 1 до 100 олг -сл . При освещении проводимость образцов возрастала. Зависимость электропроводности от температуры в интервале 340—490° С имела резкий излом при 420° С, который, по-видимому, соответствует фазовому переходу из неупорядоченного состояния в упорядоченное с падением элек- [c.231]

Величину темпового тока можно изменять разными способами. Как и в случае энергии активации, точного значения для удельного сопротивления не установлено. Известно только, что оно велико и составляет около 10 ом-см. В частности, различные газы могут влиять на темновой ток в общем так же, как на фототок. Этот вопрос рассматривается более полно в ходе дальнейшего изложения. Нортроп и Симпсон [128] провели интересную серию экспериментов. Они изучали антраценовые пленки с добавками нафтацена, пентацена, перилена и антантрена. Оказалось, что простой экспоненциальный закон для проводимости здесь уже не соблюдается. Вместо этого были найдены две энергии активации типичная для растворителя (при высоких температурах) и типичная для растворенного вещества (при низких температурах). Соответствующие данные антрацена с добавками приведены в табл. 2. Было отмечено поразительное совпадение между энергией активации растворенного вещества и вычисленным (а в одном случае экспериментальным) значением синглет-триплетного перехода для данного углеводорода. Это оказалось справедливым также при растворении [c.23]

Этот основной факт наводит на мысль, что в кристаллах рассматриваемого типа зона уровней проводимости образуется обобществлением не верхнего и нижнего электронных состояний соседних молекул, электронный переход между которыми оптически разрешен как между уровнями одинаковой мультиплетности, а именно синглетными Г. Остается возможность образования зоны проводимости путем обобществления не синглетных, а триплетных уровней Г соседних молекул, существование которых хорошо известно из спектров фосфоресценции тех же молекул при низкой температуре и иных фотореакций [17]. Триплетный уровень молекул подобного типа достигается, как известно, не прямым оптическим переходом с нижнего — синглетного уровня молекулы, а обходным путем возбуждения до верхнего синглетного уровня и затем темпового перехода вниз на триплетный промежуточный уровень. Находясь на триплетном энергетическом уровне возбуждения, молекула имеет спин возбужденного электрона, параллельный оставшемуся на исходной молекулярной орбите, в то время как они остаются спаренными, т. е. антипараллель- [c.322]

При поперечном освещении от 100 до 1000 лк пленки многих красителей увеличивают проводимость в методе постоянного тока в 10 —10 раз по сравнению с темповым значением. Нарастание и спад фототока ф для многих красителей (кристаллический фиолетовый, фуксин и т. д.) медленные. Но существует много красителей (пинацианол, флоксин, индиго, фталоцианин без металла [c.331]

Темповой стационарный потенциал растворения п- и р-Ое был равен, примерно, 470 мв, т. е. так же, как и скорость растворения, не зависел от типа и величины проводимости образцов, фстац вырожденного германия составлял 640 мв. С увеличением концентрации окислителя в растворе Фстац постепенно увеличивался. Под действием света фотац п-Ое становился отрицательнее, а р-Ое — положительнее (рис. 3). Для высокоомного и-Ое (р = 30 ом См) значение фотопотенциала было близко к нулю. [c.54]

Справочник химика 21

Химия и химическая технология