Дефектность кристалов

Третий вариант объяснения данных, полученных при ступенчатых деформационных испытаниях, предложили Крист и Петерлин [9]. Они предположили для любого из упомянутых выше экспериментов существование неравномерного распределения деформаций вследствие различия длин нескольких тысяч одновременно напряженных волокон. Эффект неравных длин волокон, несомненно, расширяет имеющиеся распределения относительных длин цепей. Но преждевременные разрушения отдельных волокон и образование поверхностей их разрушения нельзя объяснить числом образовавшихся свободных радикалов. Чтобы в дальнейшем выяснить этот вопрос, Хассель и Деври исследовали свободные радикалы, образованные при деформировании ленты материала найлон-66 с высокоориентированными волокнами [10]. Они получили аналогичные гистограммы, которые оказались даже более широкими по сравнению с пучками волокна найлона-66. На микрофотографии поверхности разрушения ленточного материала, полученной с помощью сканирующего электронного микроскопа, показано, что в ленте, как и в нити, дефекты образуются по всему объему напряженного образца (рис. 7.8 и 7.9). Полученная поверхность разрушения проходит вдоль направления наименьшего сопротивления через ранее образовавшиеся дефектные зоны. Лишь при приближении к значению разрушающей деформации становится заметным различие между деформированием одиночного волокна и пучка волокон. Статистическое объяснение данного факта приведено в гл. 3. [c.196]

Основу физической модификации ингредиентов составляют повышение дефектности и дисперсности кристаллов, снижение температур плавления компонентов в бинарных и сложных эвтектических смесях и твердых растворах заме-ш,ения [34]. Эти явления, характерные для молекулярных кристаллов [241, 248], объясняются механизмом эвтектического плавления смеси молекулярных кристаллов, описанным в работах [244, 249]. Согласно этим работам при контактировании кристаллов двух веществ происходит схватывание их поверх-ностаых слоев с образованием единой системы благодаря меж-молекулярному взаимодействию, приводящему к упругому деформированию кристаллической решетки в пограничных зонах и возрастанию дефектности кристаллических частиц. В результате этого на поверхности двух крист 1ЛЛов сосредоточивается запас избыточной энергии, причем самопроизвольное ее уменьшение может быгь достигнуто за счет снижения межфазного поверхностного натяжения. Нагрев системы приводит к плавлению граничных зон кристалла с более низкой Тпл, что обеспечивает резкое уменьшение избыточной энергии. При этом в бинарной смеси кристаллы вещества с более высокой Тот являются активной подкладкой, уменьшающей работу об разования зародышей жидкой фазы в поверхностном слое кристалла вещества с более низкой Тпд, стремящегося приспособиться к структуре подкладки, что обуславливает сниже- [c.48]

Уменьшение молекуля (Ж>8 массы, сопровождающееся снижением вязкости полимера и времени релаксации, увкоряет кристал-лизацию, но так как при этом возрастает концентрация свободных концов цепей, плохо удерживаемых в кристаллической решетке, увеличивается дефектность кристалла. Разветвление макромолекулы, ухудшающее упаковки цепей, обычно затрудняет кристаллизацию аналогичная картина наблюдается в случае сшира-ния, что очень существенно с точки зрения сохранения ценных эластических свойств вулканизованных каучуков во время эксплуатации. При большой частоте молекулярной сетки кристаллизация вообще не происходит. [c.446]

Процесс переориентации является фазовым преврагцением кристаллов, ослабляемых внешним полем, в кристаллы, упрочняемые внешним полем, т. е. является своеобразным процессом рекристаллизации, возможным только в кристаллических полимерах вследствие большой дефектности их кристаллов. Исследование механических свойств полиамидов в широком интервале температур показало, что существует область температур (—10°), в которой начинается полное проявление упомянутого фазового превращения, что соответствует появлению на деформационной кривой всех ее трех участков. Помимо этой температурной области изменения свойств криста.т.ти-ческого полиамида, существуют еще и другие температурные области изменения механических свойств. В частности, такими областями являются область плавления кристаллического полиамида (220°) и область потери деформируемости изотропного материала (—70, —85°). [c.302]

Влдяние надмолекулярной организации на Д. с. наиболее четко проявляется при изучении кристал-л и 3 у ю,щ ихся полимеров. Кристаллизация полимеров повышает ру, влияет на значения б, U, на температурно-частотные. зависимости и значения бщах. В кристаллич, полимерах принципиально возможно набл10де ие областей дипольных потерь, связанных с дипольнбй поляризацией в аморфных и кристаллич. областях, в местах дефектной кристаллич. структуры (напр., вблизи границы кристаллич. образования). Возможна дипольная поляризация при фазовом переходе 1-го рода, при превращении одной кристаллич. модификации в другую (напр., в политетрафторэтилене при комнатной темн-ре) или прн плавлении. [c.373]

Многие наблюдения роста ионных кристаллов из водных растворов, а также и многие другие работы показывают, что кристаллы очень часто растут путем распространения замкнутых петель ступеней из одной точки на поверхности, причем ступени имеют высоту, кратную многим молекулам. Другие работы приводят к выводу, что скорость роста кристал.чов зависит от степени их несовер-шества, и тем больше, чем больше дефектность кристалла (например, количество дислокаций). [c.207]

Таким образом, исследования процессов о бразования надмолекулярных структур полимеров показывают, что, наряду с общими для низкомолекулярных соединений зэкопомерностями эти процессы характеризуются и рядом специфических особенностей. Анализ этих особенностей приводит к выводу о том, что регулируемое управление процессами образования надмолекулярных структур требует, во-первых, тщательного контроля химического состава полил ера, и, во-вторых, выдвигает в качестве одной из основных задач задачу создания структурных теорий растворов и рааплавов полимеров. Последняя задача неизбежно возникает не только в связи с проблемой унификации методов переработки полимеров на основе кристаллизующихся полимеров, но п в связи с более общей проблемой — изучением структуры аморфных полимерных материалов. Наконец, в процессе образования надмолекулярной структуры, одновременно должна решаться и проблема термической стабильности возникающих структур, поскольку, ка следует из имеющегося экспериментального материала, температурные пределы устойчивости кристал.лов определяются условиями (главным образом температурой) кристаллп-зации . Высокая дефектность полимерных кристаллов, приводящая к повышению свободной энергии системы, должна неизбежно понижать термическую стабильность кристаллической фазы. [c.54]

Вопрос о дефектности твердого тела и его поверхностных состояниях нас интересует в связи с люминесценцией. Поэтому, говоря о твердом теле, мы в дальнейшем будем иметь в виду в основном кристал-лофосфоры. При формировании кристаллофосфоров примеси вводятся в них искусственно как активаторы. При этом часто для введения примеси используют процесс ее диффузии в основное вещество при прокалке. Естественно, что в этом случае примесью наиболее обогащается поверхностная область кристалла. [c.19]

Свойства олигомерных кристаллов существенно зависят от условий проведения криста ллизации при синтезе олигомеров, в частности от природы растворителя. Наиболее высокоорганизованные кристаллы образуются при проведении кристаллизации в вакууме. При кристаллизации в естественных условиях (при 20 С) уровень надмолекулярной организации снижается в том случае, когда применяется растворитель лучшего качества. Методом ПМР установлено, что при проведении кристаллизации из бензольных растворов, в отличие от тех же олигомеров, полученных из водно-бензольных смесей, на диаграммах повышается интенсивность узкой компоненты спектра, что свидетельствует об увеличении содержания аморфной фазы и дефектности кристаллов, сформированных из хороших растворителей. Эти результаты подтверждаются также электронно-микроскопическими исследованиями (см. рис. 2.8). [c.65]

Рис. 81. Типы дефектов в крист 1лле, образованном складчатыми цепями. А — петля складки Б — дефектное складывание В — концы цепей Г -- разветвления Д — дефект упаковки Е — поворот цепей Ж — изгиб 3 — переходный участок.