Кривая распределения потенциала

Рис. 7.12. Кривые распределения потенциала вдоль стенки скважины и поверхности водяного конуса

Кривая распределения потенциала в адсорбционном пространстве, т. е. зависимость е=/( ), называется характеристической (рис. Х1-3). Согласно потенциальной теории физической адсорбции, адсорбционный потенциал, а следовательно н характеристическая кривая не зависят от температуры. Характеристическая кривая зависит лишь от рода поглощаемого вещества. Отношение ординат (или адсорбционных потенциалов) для двух различ- [c.718]

На рис. 7.12 приведены кривые распределения потенциала вдоль оси скважины и вдоль цилиндрической поверхности радиусом Лд. Вдоль поверхности Кд потенциал будем считать постоянным Ф = Фд (прямая ОМ). [c.224]

I -кривая распределения потенциала парного взаимодействия между молекулами в радиальном направлении к периферии [c.70]

Кривая распределения потенциала в адсорб- [c.718]

Специфическая адсорбция и.меет место на внутренней плоскости Гельмгольца. В зависимости от знака заряда специфически адсорбирующегося иона и от силы адсорбции возможны разные виды кривых распределения потенциала в д. э.с. (рис. 12.11). При адсорбции ионов с зарядом, противополож- [c.241]

Катодное падение можно измерить, помещая анод в отрицательное свечение и отмечая наименьшую разность потенциалов между анодом и катодом, а также путем нахождения (л ) и интегрированием в пределах х = 0 и х = й. й находится как точка, в которой экстраполированная кривая поля пересекает ось абсцисс. Можно также снять полную кривую распределения потенциала с помощью зонда. Различия в значениях катодного падения могут быть объяснены тем, что все они получены в разных опытах, в которых как-то различались условия или аппаратура. [c.243]

Положение тех зарядов, которые создают обратную электродвижущую силу, можно обнаружить, установив распределение потенциала внутри пластинки во время прохождения сквозь нее тока и в том случае, когда обкладки ее замкнуты накоротко или изолированы. Для этих опытов применялись пластинки, вырезанные параллельно оптической оси ток пропускался вдоль оси, а в пяти местах в сечениях, перпендикулярных к току, были нанесены графитовые полоски, к которым присоединялось 5 электрометров весьма малой емкости, измерявших потенциалы в этих сечениях кроме того, известны потенциалы на электродах. По этим 7 точкам можно построить кривую распределения потенциала в пластинке по мере образования поляризации кривая изменяется в тех местах, где имеется объемный заряд (преобладание ионов одного знака над ионами другого), появляется кривизна кроме того, градиент в данном месте будет обратно пропорционален электропроводности, т. е. общему числу ионов в кубическом сантиметре. [c.114]

На следующих рисунках представлены некоторые из кривых распределения потенциала горизонтальный отрезок, совпадающий с осью абсцисс, изображает длину пластинки (около 32 мм) черточками отмечено положение электродов. Рис. 11 дает распределение потенциала через 5 сек. (наблюдения отмечены точками) и через 10 мин. (крестиками) при температуре 180° С верхние кривые относятся к зарядному току, нижние — к току поляризации. [c.115]

Пользуясь кривыми распределения потенциала, аналогичными тем, которые изображены на рис. 13 (стр. 116), получаем для [c.216]

Рис. 5. Кривые распределения потенциала и плотности коррозионного тока на гетерогенной поверхности металла (участки I к II электрически соединены I — катод II — анод)

На рис. 45 схематически представлен ход кривой распределения потенциала между плоскими катодом и анодом, соответствующий а) отсутствию пространственных зарядов—прямая I, б) формуле (39,10), выведенной без учёта начальных скоростей электронов,—кривая II, касающаяся оси абсцисс в начале координат, [c.141]

Ход кривых распределения потенциала и плотности беспорядочного электронного тока показывает, что на протяжении, при- [c.274]

На рис. 5 приведена кривая распределения потенциала по толщине образца резины на основе каучука СКН-26. Видно, что кривая и—X качественно близка к соответствующей кривой рис. 5, полученной при рассмотрении процессов движения ионов в диэлектрике [18]. Аналогичное распределение потенциалов в образцах наблюдалось для ряда веществ с ионной проводимостью [1, с. 49]. [c.19]

Строение двойного слоя определяется составом раствора и потенциалом электрода (или зарядом его поверхности). При некотором определенном потенциале электрода (по сравнению с каким-либо электродом сравнения) заряд его поверхности равен нулю. В этом случае г )1=0. Если в растворе отсутствуют поверхностно-активные вещества, то потенциал нулевого заряда является характерной величиной для данного материала электрода и носит название нулевой точки металла Е з- Можно, однако, показать [2], что в присутствии поверхностно-активных веществ, особенно ионов, потенциал нулевого заряда электрода заметно отличается от точки нулевого заряда металла электрода. Некоторое изменение потенциала электрода по сравнению с Е, обусловлено необходимостью снять с поверхности электрода заряд, возникающий при адсорбции на ней ионов или молекул, имеющих диполь-ный момент. Нетрудно убедиться, что в случае такой адсорбции сдвиг потенциала нулевого заряда электрода равен по величине и противоположен по знаку скачку потенциала в плотной части двойного слоя. Точка перегиба кривой распределения потенциала в этом случае (см. кривую 3 на рис. 17) расположена на оси абсцисс. [c.58]

Рис. 255. Кривые распределения потенциала в зависимости от расстояния до заземлителя

Этой формулой не учитываются объемный заряд ионов и электронов, а также искажения кривой распределения потенциала у сетки манометрического преобразователя. [c.92]

Вследствие контакта рельсов с землей наблюдается утечка тока вдоль рельсов. В результате этого кривая распределения потенциала рельсов и трубы имеет вид, показанный на рис. 33. Электрический ток, идущий из рельсов, распространя- [c.45]

I — протектор 2 — трубопровод 3 — кривая распределения потенциала. [c.625]

Зависимость разности энергий — Я 6 от числа избыточных атомов п должна отразиться на кривых распределения потенциала, изображённых на рис. 123, в виде приближения пунктирной кривой распределения потенциалов ДЛЯ связи нейтрального атома примеси, при увеличении числа этих атомов, к соответ-ств щей сплошной кривой для иона. -Поэтому в той же сте [c.290]

Наглядное представление об эволюции разряда в различных режимах дают кривые распределения потенциала в полости анода (рис. 5.5). Областям А Mi Б соответствуют стационарный и переходный режимы остальные области соответствуют различным формам второго режима разряда. [c.181]

Имея кривые распределения потенциалов по поверхности (АБГ), можно в принципе построить и кривую распределения тока. Однако для анодного процесса в рассматриваемом нами случае это сделать невозможно, поскольку мы не располагаем анодной поляризационной кривой. Для того чтобы обойти эту трудность, можно воспользоваться следующим приемом логично допустить, что на основной части поверхности электрода, остающейся в пассивном состоянии, протекает катодная реакция восстановления деполяризатора. Поэтому, изучив зависимость скорости этой реакции от потенциала, можно, используя катодную поляризационную кривую и кривую распределения потенциала, получить картину распределения катодного тока (рис. 183, кривая 3 . Катодная плотность тока непосредственно вблизи питтинга оказалась равной 0,6 ма/см , а на расстоянии 6 мм 0,4 ма1см . [c.345]

Затрудненный тлеющий разряд. Если приближать анод к неподвижному катоду (при / = onst), то анодное падение исчезает, когда анод достигает зоны отрицательного свечения. При дальнейшем уменьшении расстояния d потенциал начинает возрастать, прежде чем анод попадает в темное пространство. Это может означать только то, что, когда разряд ограничен пространством, длина которого недостаточна для появления темного пространства и части зоны свечения, ионизация становится затрудненной. Последнее, а также и ряд других фактов заставляют предполагать, что свечение участвует в механизме образования катодного паде11ия потенциала, играя роль интенсивного источника световых квантов. На рис. 119 представлены кривые распределения потенциала в таком затрудненном разряде для разных значений тока в Н . Если fif4=1,5 см, анодное падение потенциала исчезает. При этом напряжение на разряде падает приблизительно на 15 е. Однако при d[c.244]

Тёмное катодное пространство не представляет собой слоя газа, совершенно не излучающего света (как астоново пространство). Это пространство кажется тёмным лишь по контрасту с ярким тлеющим свечением. Длину катодного пространства определяют как расстояние от катода до такой точки в разряде, в которой кривая распределения потенциала имеет точку перегиба или максимум. [c.263]

Так как ионы в пределах в. п. Г. имеют дискретные заряды, тделенные друг от друга несколькими молекулярными расстоя-иями, то электрическое поле не ограничивается областью между. п. Г. и н. п. Г. и рассчитанная кривая распределения потенциала [c.253]

Главная роль пространственных зарядов в газовом разряде только в некоторых отдельных случаях заключается в ограничении тока (например, коронный разряд). В тех случаях и в тех областях разряда, в которых мы имеехм наличие свободных электронов и положительных ионо-в при сравнительно сильном поле, концентрация положительных ионов больше, чем концентрация электронов, так как электроны при прочих равных условиях движутся в поле быстрее положительных ионов и скорее покидают разрядный промежуток. Поэтому результируюший пространственный заряд в таких областях разряда оказывается положительным. Этот положительный пространственный заряд обусловливает распределение напряжённости поля в разрядном промежутке и те]и определяет характер и условия протекания разряда. Такова роль положительного пространственного заряда и катодных частях тлеющего разряда, в канале начальной стадии искрового разряда, в коронирующем слое коронного разряда. Вследствие положительного знака результирующей плотности пространственного заряда кривая распределения потенциала в этом случае направлена своей выпуклостью не вниз (к оси абсцисс), как на рисунке 130, а вверх (к оси ординат), как это следует из уравнения Пуассона и из известного положения дифференциальной геометрии. [c.298]

Вопрос об анодном падении потенциала и о его зависимости от формы анода был подвергнут за последние годы обстоятельному исследованию советским физиком Б. Н. Клярфельдом и его учениками (Полетаев, Неретина и др.). Оказалось, что указанная выше теория Ленгмюра не оправдывается на опыте. Согласно идее, положенной Клярфельдом в основу объяснения поведения анодного падения в различных случаях, роль анодных частей разряда заключается в том, что здесь происходит образование положительных ионов, обеспечивающее поступление этих ионов в область положительного столба со стороны анода, который сам ионов не эмиттирует. Ход распределения потенциала около анода оказался более сложным, чем это вытекает из представлений теории Ленгмюра. В некоторых случаях потенциал в конце положительного столба сперва падает, проходит через минимум и лишь затем повышается вплоть до анода. Поэтому самое определение, что понимать под анодным падением, оказалось неоднозначным и требует уточнения в связи с ходом кривой распределения потенциала в каждом отдельном случае [2490—2491]. [c.477]

Ход полученных Неретиной кривых распределения потенциала и плотности беспорядочного электронного тока показывает, что на протяжении, приблизительно равном диаметру разрядной трубки, около анода имеется область, существенным образом отличающаяся от положительного столба. Самый ход потенциала в области анодного падения Клярфельд и Неретина объясняют, не исходя из соотношения (585), как это делает Ленгмюр, а исходя из хода концентрации положительных ионов, зависящей от силы разрядного тока, от распределения электронов по скоростям и от плотности газа, непосредственно связанной с количеством выделяемого на аноде тепла. [c.477]

Справочник химика 21

Химия и химическая технология