Справочник химика 21

Химия и химическая технология

Статьи Рисунки Таблицы О сайте English

Решетки меш, определение

    Для определения скорости звука в жидкостях широко применяются различные оптические методы. Ча1це всего для этой цели используется явление диффракции света на ультразвуковой решётке. В жидкости, в которой распространяется акустическая волна, возникают чередующиеся уплотнения и разрежения. Благодаря зависимости коэффициента преломления жидкости от её плотности периодическим изменениям плотности жидкости будет соответствовать периодическое изменение коэффициента преломления. Сказанное справедливо как для стоячей, так и для проходящей волны. Таким образом, если получить акустическую волну в жидкости, налитой в прозрачную кювету с плоскопараллельными стенками, то по отношению к световому лучу подобное устройство будет являться квазидиффракционной решёткой. Роль постоянной этой решётки играет длина волны ультразвука X. Ультразвуковая решётка является объёмной решёткой слоистого типа. То обстоятельство, что в случае проходящей ультразвуковой волны диффракционная решётка движется, не имеет значения, поскольку скорость звука ничтожно мала по сравнению со скоростью света. Теория диффракции света на ультразвуковой решётке подробно развита в работах Рытова [300, 301,311]. [c.73]


    Недостаток экспериментальных данных не позволяет делать какие-либо выводы о механизме положительного и отрицательного влияния температуры на яркость. Описанные выше опыты имели своей целью чисто качественную проверку поведения технических катодолюминофоров и определение границ оптимальных условий их практического применения. Увеличение яркости с повышением температуры принято рассматривать как результат более быстрой рекомбинации электрона активатора с дыркой верхней заполненной полосы. Такая упрощённая точка зрения вряд ли, однако, объясняет всю сумму наблюдаемых фактов. Гасящее действие приписывается обычно рассеянию энергии возбуждённых электронов за счёт столкновений с узлами решётки. Такая трактовка вполне состоятельна для области высоких температур, близких к верхней температурной границе. Случаи гашения при более низких температурах предполагают белее сложный механизм явления, требующий учёта характера связей в кристалле. Перенос выводов, полученных при возбуждении люминесценции светом, на катодный процесс в данном вопросе вряд ли может быть сделан безоговорочно. [c.102]

    К числу элементов железной группы относится также марганец, который как активатор играет исключительно большую роль в люминесценции. Некоторые соединения его люминесцируют в чистом состоянии с полосой излучения в красной части спектра [222, 220]. Спектр излучения марганца, даваемый им в различных трегерах, принадлежит к числу непрерывных и не разрешается в линейчатый даже при низких температурах. Виной этому служит недостаточная экранировка частично заполненных электронных оболочек, которые расположены непосредственно на поверхности иона Мп +. (Именно в данной форме марганец чаще всего фигурирует как активатор в различных решётках.) Несмотря на непрерывный характер излучения, полоса испускания активированных марганцем люминофоров приписывается электронным переходам внутри самого иона марганца. Из-за сложной электронной конфигурации точное определение наиболее вероятных переходов затруднительно [138, стр. 87—90 220, 222, 116]. Сравнительно малая зависимость их от окружающей обстановки качественно вытекает из близости спектрального состава излучения всех активированных марганцем люминофоров [138, стр. 12, табл. 1]. [c.109]

    С целью упрощения задачи определения межплоскостных расстояний и ряда других выводов пользуются представлениями об обратной решётке. [c.122]

    Подобное сравнение было проведено первоначально для скоростей звука в жидких азоте, водороде и гелии [148]. При подобном расчёте большое значение имеет величина среднего расстояния между ближайшими соседними молекулами, для определения которой необходимо сделать некоторые предположения о структуре жидкости. В упомянутом расчёте принималось, что частицы простых жидкостей образуют кубическую гранецентрированную решётку. В таблице 13 сопоставлены вычисленные по уравнению (4.10) и наблюдаемые на опыте скорости звука в жидком азоте. Наличие во второй графе двух вычисленных значений скорости звука объясняется расхождением приведённых в литературе данных о плотности жидкого азота. [c.163]


    Рассмотрим конкретный пример. Поставлена задача определения изотопного состава молекулярных водорода и азота. Можно использовать атомные спектры этих веществ, и конкретно, линию с Л = 656,3 нм и АЛн-о = = 0,178 нм для водорода и линию с Л = 963,0 нм и АЛ14м 15] = 0,0052 нм для азота (см. табл. 4.3.2). Имеется дифракционный прибор со следующими параметрами плотность штрихов решётки — 1800 штр./мм, размер её рабочей части — 100 мм (ш = 180000), фокусное расстояние прибора 2 м, os< = sine = = 1. При этих параметрах линейная дисперсия прибора равна в 1-м порядке [c.101]

    Заключение. В настоящем обзоре мы попытались представить в систематизированном виде данные по влиянию изотопического состава на различные свойства твёрдых тел — на постоянные кристаллической решётки, упругие свойства, фононы и другие возбуждения кристаллической решётки, на электро- и теплопроводность, на электронную структуру металлов и полупроводников и на фазовые превращения. В большинстве случаев изотопические эффекты малы, но есть обратные примеры, когда, как правило в изотопических смесях, изотопы оказывают сильное влияние на свойства твёрдых тел. Замечательным примером такого изотопического эффекта служит значительное (иногда в десятки раз) подавление теплопроводности диэлектриков и полупроводников. Исключительно высокая теплопроводность изотопически чистых полупроводников имеет хорошие перспективы использования в технике в тех случаях, где имеются большие тепловые нагрузки, например, в алмазных монохроматорах для синхротронного излучения [244] и в микроэлектронике [189, 190]. С точки зрения приложений изотопы кремния и германия находят применение для нейтронного трансмутационного легирования полупроводников [10,245]. Исследуются возможности использования изотонически обогащённого монокристалла кремния для точного определения числа Авогадро [58,59] с целью замены эталона килограмма. [c.95]

    Зависимость яркости свечения от концентрации активатора ещё не поддаётся теоретическому расчёту. Наличие плоского максимума на концентрационной кривой сначала приписывалось поглощению излучения поверхностными слоями активатора, атомы которого по той или другой причине лишены способности излучать, но в полной мере сохраняют свою поглощательную способность. Основанное на этом принципе уравнение удовлетворяет катодолюминесценции марганца в фосфате кальция, но не оправдывается на других люминофорах [38, 40]. Позже предполагалось, что в случае близкого расположения двух атомов активатора поля их перекрывают друг друга и взаимно понижают излучательную способность [214]. На основе обеих идей было дано уравнение, удовлетворительное для люминесценции уранила во фторидах кальция и натрия [184]. Оба уравнения, однако, в равной мере не обладают универсальностью и не приложимы к любым концентрационным кривым. Взаимоотношение между активатором и трегером усложнено рядом привходящих, трудно контролируемых в эксперименте факторов. Для определения эффективного радиуса действия атома активатора в каждом частном случае необходимо учитывать форму внедрения чуждых атомов в решётку, равномерность их распределения и степень взаимодействия энергетического спектра включения с потенциальньш полем кристалла. [c.53]

    Приведённые схемы люминесцентного процесса для флуо- и фосфоресценции имеют, конечно, скорее качественный, чем количественный характер. Далеко не все параметры энергетической модели поддаются непосредственному определению. Ширина запрещённой области энергетического спектра между обеими полосами разрешённых энергий может быть грубо оценена из кривых поглощения и явлений фотопроводимости. Последняя позволяет судить о поведении электрона в полосе проводимости. Распределение уровней загрязнения относительно верхней границы полосы проводимости, откуда падает электрон, находит своё отражение в кривых спектрального состава люминесцентного излучения. Распределение уровней прилипания относительно той же границы может быть качественно прослежено по кривым температурного высвечивания фосфоресценции [94, 223, 224, 225, 226]. Самым крупным недостатком схемы является неконкрет-ность представлений о локализованных энергетических состояниях. Взаимоотношение их с основными элементами решётки и связь с физико-химическими особенностями строения пока не поддаются интерпретации. Тем не менее, большое число наблюдений удовлетворительно увязывается со схемой. Ниже приведена интерпретация ряда свойств люминесценции в свете рассматриваемой модели. [c.284]

    Se hse kzahl f число шестиугольника (для определения шага отверстий трубной решётки). [c.365]

    Количество Мп28]04 в решётке смешанного кристалла может быть весьма велико (до 50%) без нарупюиия изоморфизма, одиако наиболее сильное свечение получается при содержаиии Мп от 1 до 2%1. Введение Мп пе нарушает характера решётки, л1Ш1ь несколько увеличивая её постоянную. Эти данные были получепы путём точного рентгенографического определения постоянных решётки [192]. [c.412]


    ВИЛЬНО (точность определения значительно выше величины расхождения 0,65 кХ), то ионы К ", несомненно существующие в решётке, но-, видимо.му, не только долн ны быть вдавлены в кольца графита, ио и сплющены в нанранле-нии оси U, что само но себе нредставляется сом-ните.льным. Поэтому в данной модели структуры МС., и МС]6 остаются неясные узлы. [c.687]

    Новым в квантовой теории будет лишь определение длины свободного пути при помощи скорости электронных волн ( 4) р решётае кристалла, возможность распространения которых обусловлена в этой теории (см. работы Влоха [267] и Пейерлса [268]), В идеальной кристаллической решётке при Г =в О это распространение происходит совершенно без помех, аналогично распространению света в прозрачном -кристалле и, следовательно, длины свободного пробега и проводимость в этом случае бесконечно веляки. Лишь дефекты в решётке, в виде включений атомов примеси и тепловых колебаний, мешают распространению электронных волн, вызывая, таким образом, конечную длину свободного пути и конечную проводимость. В частности, таким образом, усиливающимися с температурой тепловыми колебаниями объясняется экспериментально наблю------,, .  [c.284]

    Как при определении энергии сил притяжения, так и при подсчёте результирующей потенциальной энергии спл отталкивания между адсорбированным атомом и решёткой кристалла следует провести суммирование по всем ионам в кристалле, приняв во внимание особенность хматематического выражения энергии сил отталкивания, [c.107]


Смотреть страницы где упоминается термин Решетки меш, определение: [c.10]    [c.36]    [c.187]    [c.264]    [c.307]    [c.365]    [c.307]    [c.307]    [c.273]    [c.531]    [c.576]    [c.604]    [c.211]    [c.273]    [c.531]    [c.576]    [c.604]    [c.41]    [c.219]    [c.370]    [c.543]   
Справочник инженера-химика Том 2 (1947) -- [ c.191 ]




ПОИСК





Смотрите так же термины и статьи:

Диффракционная решетка, определение

Задачи, решаемые без индицирования рентгенограмм (определение размеров ячейки, типа решетки и дифракционного класса кристалла) Определение размеров элементарной ячейки и типа решетки

Индицирование дебаеграмм и определение параметров решетки кристаллов кубической и средних сингоний

Индицирование рентгенограмм. Определение типа решетки и размеров элементарной ячейки

Константы решетки определение

Метод определения вклада дефектности компонентов в общую нестехиометрию растворов типа МО по изменению параметра их кристаллической решетки

Метод порошка . 6.9. Индицирование рентгенограмм монокристаллов . 6.10. Определение решеток Бравэ

Методика определения параметров и типа решетки

Определение концентрации дефектов упаковки в деформированных металлах с кубической гранецентрированной решеткой

Определение параметров кристаллической решетки

Определение периодов решетки мартенсита и содержания в нем углерода

Определение положения атомов в кристаллической решетке

Определение положения максимума концентрации света для дифракционной решетки или ее копии

Определение потерь напора в решетках

Определение размеров частиц и блоков в мозаичной структуре кристаллов, а также степени микроискажений кристаллической решетки

Определение размеров элементарной ячейки, типа решетки и пространственной группы симметрии при исследовании кристаллического порошка Систематические ошибки при оценке углов отражения

Определение разрешающей способности спектрального прибора с дифракционной решеткой

Определение типа твердого раствора на основе вещества с кубической решеткой

Определение углов обратной решетки

Определение числа Авогадро по параметрам кристаллической решетки

Первый этап анализа структуры. Определение параметров решетки и симметрии кристалла

Погрешности в определении параметра решетки кубического кристалла

Прецизионное определение параметров решетки

Прецизионное определение параметров решетки Источники ошибок в определении межплоскостных расстояний

Работа. Определение параметра и типа кубической кристаллической решетки

Расчет рентгенограмм вращения (определение периодов идентичности и типа решетки Бравэ)

Решетка Браве определение

Решетка кристаллическая определение

Решетка определение параметров

Решетки площадь живого сечения, определение

Системы восприятия цвета, определение рис решетка рис

Теоретическое определение срывных кавитационных режимов решеток пластин и шнеков

Энергия решетки, определение понятия

Энергия решетки, определение понятия также Цикл Борна-Габера Ионные кристаллы



© 2025 chem21.info Реклама на сайте