Висмут поликристаллический

Измерения, проведенные с монокристаллами различных металлов (меди, висмута, хрома, кадмия, никеля, олова и свинца), показали, что водородное перенапряжение в значительной степени зависит от символа грани монокристалла, на которой катодно выделяется водород. Поэтому величины водородного перенапряжения, найденные для твердых катодов с поликристаллической структурой, представляют собой некоторые усредненные значения. Они могут [c.398]

Модифицированным методом эпитаксиального напыления изготовлены тонкие пленки висмута и сурьмы на (111 )-поверхности кремниевой подложки. Пленки были поликристаллическими и имели преимущественную ориентацию оси (111) в направлении, перпендикулярном плоскости пленки [69]. [c.246]

При действии на галогениды висмута (III) света в области собственного поглощения в качестве одного из основных твердых продуктов фотолиза образуется коллоидный металл. Галогениды висмута легко гидролизуются, и поэтому в [317] фотолиз поликристаллических образцов был изучен в вакууме и сухом атмосферном воздухе. Рентгенографическим анализом было установлено выделение коллоидного висмута в хлориде висмута после длительного его облучения при комнатной температуре. В тех же условиях в йодиде висмута образуется оксийодид висмута вследствие взаимодействия продукта фотолиза с кислородом воздуха. Светочувствительность галогенидов висмута заметно возрастает при повыщении температуры. Слои йодида висмута темно-красного цвета становятся прозрачными после облучения светом при 50—120 °С вследствие образования оксийодида [318]. Под воздействием паров слабого водного раствора щелочи фотолиз интенсивно протекает уже при комнатной температуре [319]. Установлено наличие электронной фотопроводимости в йодиде висмута [320], однако механизм фотолиза практически не исследован. [c.291]

А.А. Аверкин, Б.М. Гольцман и сотрудники исследовали возможности повышения 2 путем воздействия на зонную структуру материала упругой деформацией [17]. При этом подвергались гидростатическому сжатию поликристаллические образцы термоэлектрических материалов на основе теллурида висмута стандартных составов, а также термоэлемент, приготовленный из них, в котором непосредственно под давлением измеряли максимальный перепад температуры. Оказалось, что при давлении 15 кбар происходит сильный рост электропроводности и, как следствие этого, увеличение 2 до (4-4,5)10 К . Этот результат подтверждался и измерениями на термоэлементе. Причина этого эффекта до конца не выяснена. По-видимому, давление изменяет величины компонент тензора эффективной массы, анизотропной в материалах на основе теллурида висмута. [c.49]

Емкостные измерения в растворах с добавкой некоторых органических соединений, а также электронографические измерения показали, что поверхность оплавленных висмутовых электродов имеет своеобразную поликристаллическую структуру [8]. При адсорбции на висмуте пиридина [9], некоторых алифатических кетонов [10], сложных эфиров [11] и камфоры [c.101]

Электронографическим анализом установлено, что проявлению расщепления адсорбционных максимумов благоприятствует макроскопическая природа кристаллографической гетерогенности поверхности висмутового электрода, характеризуемая наличием на поверхности относительно больших монокристалличе- ских участков [8]. Высокоразвитое поликристаллическое строение и связанная с ним заметная энергетическая неоднородность поверхности способствуют проявлению широкого спектра взаимодействий в адсорбционном слое, что приводит к размыванию максимумов, а не к их расщеплению [17]. Математический анализ электронограмм показал [8], что на совершенно гладкой (характеризуется сильно растянутыми рефлексами) оплавленной поверхности висмута имеются относительно большие моно-кристаллические области с миллеровскими индексами (100), (101), (111) и (211). Наряду с макроскопическими монокри-сталлическими плоскостями иногда встречаются агрегаты монокристаллов из 2—4 кристаллитов с индексами (100), (111), (101), (552), (321) и др. Статистической обработкой полученных электронограмм удалось показать, что в основном на поверхность оплавленной капли висмута выходят 2—3 вида четко выраженных граней монокристалла (их доля от общей поверхности капли 80—90%) [8]. Кристаллографическая структура оплавленной поверхности статистически воспроизводится в различных опытах благодаря постоянству режима изготовления висмутовых электродов по описанной выше методике. [c.103]

В заключение рассмотрим работы по исследованию границы серебро/электролит. Емкость двойного электрического слоя на серебре измерялась в ряде работ [7, 10—15, 68, 69], однако количественных данных об удельной емкости двойного слоя и зависимости ее от потенциала в различных электролитах в настоящее время нет. Серебро, как показали измерения, является весьма сложным объектом способность серебра адсорбировать водород в большей степени, чем это свойственно свинцу, кадмию, висмуту, олову и другим описанным выше металлам, трудности полировки серебра в растворах, не содержащих поверхностно-активных веществ, осложняют исследование двойного слоя. Даже относительно величины потенциала нулевого заряда серебра в литературе имеются противоречивые данные. В разбавленных растворах электролитов минимум на кривых дифференциальной емкости на поликристаллическом серебре наблюдался при потенциалах +0,05 е [68] —0,15 б [13], О в [15],—0,3 в [77]и—0,7б [7,10]. Имеющиеся различия послужили причиной того, что в работах [7 ] была проанализирована зависимость глубины минимума на С—ф-кривых от концентрации электролита и получены доказательства того, что минимум емкости, наблюдающийся при потенциале —0,7 в, связан с изменением диффузности двойного слоя. [c.13]

Влияние замещения висмутом на структурные, магнитные и транспортные свойства поликристаллических образцов и тонких пленок La- a-Mn-O рассмотрено в [109]. Пленки состава Lao,62Bio,05 ao,33Mn03, напыленные на поверхность (111) Si, были поликристаллическими, тогда как на поверхности (100) Si они были текстури-рованными с ориентацией (ПО). В объеме поликристаллических образцов замещение висмутом приводит к очень незначительному уменьшению постоянной решетки и к [c.253]

Глубокий фотолиз оксигалогенов висмута в фотослоях сопровождается интенсивным зародышеобразованием и ростом частиц поликристаллического висмута, кристаллическая структура которого постоянно упорядочивается [310]. [c.290]

Полный изоморфизм между силикатами и германатами висмута отмечен в [360]. Изоструктурность этих соединений обеспечивает близость сцинтилляционных параметров и их расплавов. Поэтому представляет интерес синтез сложных соединений типа В140ез х811012, которые сочетали бы преимущества обоих типов кристаллов относительно интенсивности свечения и времени высвечивания. С этой целью в [361] синтезированы поликристаллические соединения указанного типа при х = 0,25, 0,75, 1,25, 2,25, 2,75, 3. Полосы люминесценции всех составов по форме и спектральному положению оказались идентичными друг другу и не отличались от спектра свечения германата висмута. Интенсивность их свечения немонотонно уменьшалась с увеличением X. Для области 1 < х < 2,25 с максимумом при дг = 1,75 наблюдалось аномальное увеличение интенсивности свечения и более быстрые времена высвечивания в сравнении с германатом висмута. Авторы [361] указывают на перспективность использования соединений подобного типа в качестве сцинтилляционных материалов. [c.299]

На основе импедансных измерений было установлено, что область потенциалов идеальной поляризуемости монокристалли-ческой грани (111) висмута практически не отличается от по-ликристаллического висмута, а значение фе=о на грани (111) монокристалла на 30 мв отрицательнее, чем на оплавленной поверхности висмута [15]. В отличие от поликристалла, угловой коэффициент зависимости 1/С от 1/Сд на грани (111) монокристалла составляет 1,25. Как показано в работе [15], это не связано с шероховатостью поверхности изучаемой грани и обусловлено, по-видимому, сильнее выраженной хемосорбцией молекул воды на грани (111) по сравнению с поликристаллической поверхностью оплавленной висмутовой капли. В частности, на это указывает снижение адсорбируемости галогенидов на грани (111) монокристалла Bi [15, 28]. [c.105]

Характер влияния других элементов, которые в значительно меньшем количестве могут быть введены в состав стеклообразного селенида мышьяка, зависит от химической стойкости образующихся селенидов введенного элемента. Так, при введении бора, вследствие повышенной гигроскопичности селенидов бора, химическая стойкость стеклообразных сплавов резко понижается. При введении галлия, олова, висмута химическая стойкость стеклообразных селенидов мышьяка повышается. Однако влияние этих элементов на химическую стойкость стеклообразных селенидов мышьяка проявляется значительно меньше, чем влияние таллия и меди. Влияние различных элементов на химическую стойкость исследованных стеклокристаллических сплавов зависит от степени дисперсности образующихся кристаллических микрофаз. Образование в стеклофазе микровключений высокой степени дисперсности приводит к такому же значительному повышению химической стойкости сплавов, как это наблюдается при образовании кислородных ситаллов. При возникновении в стеклообразных сплавах микровключенцй больших размеров образуются разрывы сплошности стеклофазы, и химическая стойкость сплавов понижается. Химическая стойкость поликристаллических сплавов также зависит от степени дисперсности образующихся кристаллических фаз. [c.235]