Справочник химика 21

Химия и химическая технология

Статьи Рисунки Таблицы О сайте English

Построение шкалы электроотрицательное

    Для построения шкалы электроотрицательностей Сандерсон ввел определение величины, названной им относительной устойчивостью элемента. Эта величина представляет собой отношение средних электронных плотностей атома рассматриваемого элемента и атома эквивалентного благородного газа. Средняя электронная плотность атома вычисляется путем деления порядкового номера элемента (равного числу электронов в его атоме) на его атомный объем, вычисляемый по атомному радиусу. Средняя электронная плотность эквивалентного благородного газа определяется путем линейной интерполяции соответствующих данных для двух ближайших по периодической таблице благородных газов. Например, для того чтобы определить электронную плотность эквивалентного благородного газа для зЬ1, следует прибавить к электронной плотности гНе одну восьмую часть разности между электронными плотностями гНе и при определении электронной плотности эквивалентного благородного газа для 4Ве нужно прибавить к электронной плотности Не две восьмых части этой же разности и т. д. Относительные устойчивости элементов зависят от их электроотрицательности, которая характеризует относительную способность атомного ядра притягивать электроны. Поэтому по данным об относительных устойчивостях элементов можно построить шкалу их электроотрицательностей. [c.103]


    Каковы принципы построения шкалы электроотрицательностей элементов Как изменяется эта характеристика по периодам и группам периодической системы  [c.83]

    Попытки построения шкалы электроотрицательностей атомов делались неоднократно [18], но и до настояш,его времени наибольшим признанием пользуется шкала Полинга [19]. [c.76]

    Наиболее наглядный. способ построения шкалы электроотрицательностей, который непосредственно учитывает электронную структуру и размеры частиц, известен под названием метода отношения стабильностей Сандерсона. Применение этого метода основано на сравнении средних электронных плотностей атомов. Средняя электронная плотность О определяется как отношение числа всех электронов в атоме к эффективному объему атома, определяемого через ковалентный радиус  [c.30]

    Больщинство аминов являются достаточно сильными основаниями, чтобы их можно было изучать в области кислотности pH. Имеется несколько обзоров по данным основности этих соединений [50, 161, 166]. Делокализация неподеленной пары электронов может уменьшить основность настолько, что ее уже нельзя больше будет изучать в области pH и она перейдет в разряд основностей, рассматриваемых данным обзором. Анилины, содержащие электроотрицательные заместители, наиболее часто употребляются для построения шкалы Яо, и поэтому они могут рассматриваться как прототипы слабых оснований. Поскольку шкала Яо претерпела с течением времени несколько незначительных изменений, в табл. 15 приводятся такие [c.228]

    Если расположить элементы в ряд по электроотрицательности, то этот ряд начнется с наиболее электроположительных элементов, т. е. наиболее склонных к образованию положительных ионов (щелочные металлы, обладающие малыми энергиями ионизации и малыми энергиями сродства к электрону). На другом конце этого ряда будут наиболее электроотрицательные элементы, т. е. наиболее легко образующие отрицательно заряженные ионы (галогены, обладающие большими потенциалами ионизации и значительным сродством к электрону). Следует отметить, что, в то время как потенциалы ионизации могут быть определены с большой точностью по спектроскопическим данным, надежных методов определения энергии сродства к электрону пока нет. Поэтому для построения практической шкалы электроотрицательностей атомов применяют условные единицы, значение которых выводят следующим образом. [c.33]

    Выше мы показали, что проблема построения единой универсальной шкалы индукционных постоянных для электроотрицательных заместителей (функциональных групп) не может [c.183]


    Построенная Б. В. Некрасовым шкала электросродства для наиболее обычных валентностей элементов в общем хорошо совпадает со шкалой электроотрнцательности. Это особенно наглядно выступает, если сравнивать значения электросродства и электроотрицательности, выраженные по отношению к водороду, принятому за единицу. [c.303]

    Существует несколько шкал электросродства ( электроотрицательности — ср. IV 1 доп. 16), построенных на основе различных соображений и более или менее широких по охвату материала, но ориентированных, как правило, на одно — наиболее обычное — валентное состояние того или иного элемента . Ни одну из этих шкал [c.479]

    Существует несколько шкал электросродства ( электроотрицательности — ср. IV 1 доп. 15), построенных на основе различных соображений и более или менее широких по охвату материала, но ориентированных, как правило, на одно — наиболее обычное— валентное состояние того или иного элемента. Ни одну из этих шкал нельзя считать ни надежно теоретически обоснованной, ни имеющей под собой бесспорную экспериментальную базу, но само их появление обусловлено назревшей потребностью к переводу химических соображений на язык чисел. Предлагаемый метод числовой оценки электросродства страдает такими же недостатками, но лучше других тем, что исходит из фундаментальных атомных параметров и на основе единообразного подхода охватывает все валентные состояния атомов. Получаемые результаты имеют правильную размерность (энергии), хорошо согласуются друг с другом и по относительным числовым значениям в сопоставимых случаях обычно близки к данным предлагавшихся ранее шкал (Полинга и др.). [c.267]

    Отсюда следует, что в молекуле L1F электронный заряд на связывающей орбитали будет сосредоточен в основном вокруг ядра фтора. Вместо того чтобы измерять ЭО в электрон-вольтах, можно принять 30(Li) за условную единицу и в ней выражать ЭО остальных элементов. Так можно получить условную шкалу электроотрицательностей. Она очень близка к шкале Полинга (табл. 11), построенной им на основе термохимических расчетов. С распространением метода МО в 60-годах появились работы, в которых уточняется шкала Малликена, вводятся электроотрицательности отдельных атомных орбиталей, образующих молекулярную орбиталь. Считают 5-орбиталь более электроотрицательной, чем / -орбиталь того же слоя, поскольку на i-орбитали электрон связан с ядром более прочно и МО с ее участием более устойчива. Очевидно, что, образуя связи в различных соединениях разными орбиталями, атом имеет в этих соединениях р 1зную электроотрицательность. Однако большинство химиков пользунэтся шкалой Полинга. [c.137]

    Другой вопрос, почему шкала электроотрицательиостей Полинга работает и почему шкалы электроотрицательностей, рассчитанные другими методами, приводящими, естественно, к другим размерностям, численно коррелируются друг с другом. Нами уже приводилось иредположенне, которое по этому поводу высказали Ицковский и Маргрейв (стр. 266). Хюккель придерживается аналогичного взгляда Самые различные свойства аналогично построенных соединений закономерно изменяются внутри групп периодической системы... Поэтому, когда [эти] свойства каким-либо образом используются в расчетах, то в конечном результате всегда должна обнаружиться качественно та же закономерность, если приемы расчета не слишком нелепы [42, стр. 26]. [c.269]

    С ПОМОЩЬЮ шкалы электроотрицательности (табл. 1) можно определить степень ионности связи (в процентах) и для тех случаев, когда у симметрично построенных соединений (например, у четыреххлористого углерода) дипольный момент, являющийся векторной суммой, не может дать никаких сведений о состоянии отдельных связей (для СС14 ц = 0). Полинг использует для вычисления следующую эмпирическую формулу  [c.32]

    На рис. 2.13 представлена зависимость ОС от атомного номера для элементов периодической системы. Отметим, что внутри группы ОС уменьшается сверху вниз, т. е. элементы становятся более электроположительными при увеличении размеров атома (табл. 2.2). В пределах одного периода ОС резко увеличивается. Таким образом, ш елочные металлы имеют низкие значения ОС (<1) и, следовательно, электроположительны. Другими словами, они слабо притягивают электроны. Это проявляется в способности щелочных металлов легко отдавать электрон с образованием положительного иона. Галогены, напротив, характеризуются большими значениями ОС (>1), и они электроотрицательны. У них имеется сильно выраженная тенденция притягивать электроны и образовывать отрицательные ионы, присоединяя один электрон. Построение других шкал электроотрицательности основано на использовании значений энергии ионизации и электронного сродства (Малликен) или энергии связи (Полинг) (см. гл. 8). Шкала электроотрицательности Полинга — одна из наиболее часто используемых, однако ее более трудно обосновать теоретически и неясна ее связь со средней электронной плотностью. Другие созданные в последнее время шкалы электроотрицательности основаны на электростатических силах (Оллред и Рочов) и коррелируют со спектрами ядерно-го магнитного резонанса (см. гл. 4). Сандерсоновское отношение стабильностей и электроотрицательность по Полингу можно вырк зить в одном масштабе с помощью соотношения [c.33]


    Ш8ле эяектроотрицателшости. Но если шкала не откалибрована, эти сведения имеют лишь качественный характер. Проблема калибровки очень трудна. В настоящее время наи-лучшее предположение заключается в том, чтобы считать достаточно достоверными значения ионного характера связен в HJ, НВг, НС1 и HF, приведенные в разделе 8, а именно 5, 11, 17 и 60%, и использовать эти величины для построения эмпирической кривой, связывающей процент ионного характера связи А — В с разностью электроотрицательностей [c.77]


Смотреть страницы где упоминается термин Построение шкалы электроотрицательное: [c.242]    [c.61]    [c.65]    [c.391]    [c.63]    [c.55]   
Смотреть главы в:

Природа химической связи -> Построение шкалы электроотрицательное




ПОИСК





Смотрите так же термины и статьи:

Тау-шкала

Электроотрицательность

Электроотрицательность шкала



© 2025 chem21.info Реклама на сайте