Справочник химика 21

Химия и химическая технология

Статьи Рисунки Таблицы О сайте English

Протекание реакции на плоской поверхности

    Кинетика цепной химической реакции, ее скорость и средняя длина цепи, естественно, находятся в прямой связи с условиями протекания реакции. Здесь мы ограничимся случаем, когда цепи зарождаются в объеме, но обрыв цепей происходит как в объеме, так и на поверхности. При этом будем считать, что объемный об]1ыв цепей следует линейному закону и что реакция протекает в диффузионной области. В этом случае для плоского реакционного сосуда (одномерная задача) при справедливом для диффузионной области равенстве нулю коицептрации активных центров у поверхности реакционного сосуда средняя длина цепи [c.209]


    Скорость стационарной цепной реакции [232]. Кинетика цепной химической реакции, ее скорость и средняя длина цепи, естественно, находятся в прямой связи с условиями протекания реакции и в первую очередь с условиями зарождения и обрыва цепей. Здесь мы рассмотрим вопрос о скорости стационарной реакции, ограничившись случаем, когда цепи зарождаются в объеме, но допуская обрыв цепей как в объеме, так и на поверхности. При этом будем считать, что объемный обрыв цепей следует линейному закону и что реакция протекает в диффузионной области. В этом случае для плоского реакционного сосуда (одномерная задача) при установившемся режиме простой цепной реакции (стационарная реакция) выполняется следующее дифференциальное уравнение  [c.497]

    Восстановление проводили в горизонтальном кварцевом реакторе. Трихлорид в виде порошка с удельной поверхностью 0,5 0,1 м г помещали тонким слоем в плоскую лодочку из молибденовой фольги. Перед началом восстановления реактор продували аргоном, очищенным с помощью молекулярных сит и губчатого титана. Затем включали нагрев и лодочку с трихлоридом нагревали в токе аргона при 120— 150° С для удаления окклюдированного воздуха. После продувки и прогрева в токе инертного газа в реактор пускали водород процесс восстановления проводили при следующих температурах трихлорид самария — 620—650° С, трихлорид европия — 420—450° С и трихлорид иттербия — 600—620° С. За протеканием реакции восстановления следили по выделению хлористого водорода, который поглощали при перемешивании на выходе из реактора в ячейке автоматического прецизионного рН-метра. Прекращение выделения хлористого водорода свидетельствовало об окончании процесса восстановления. После этого полученный дихлорид выдерживали в токе [c.113]

    Напомним, что проведенное выше рассмотрение относится к приближению плоской неограниченной поверхности. Представляет интерес рассмотреть кинетику протекания реакций, лимитируемых транспортом реагентов, в реакционных зонах другой геометрии. [c.98]

    Однородной областью протекания реакции в данном случае является поверхность твердого реагента вне зависимости от ее формы. Именно формой реакционной поверхности определяется вид уравнения скорости. Если, например, образец состоит из кубических частиц, то закон сжимающейся сферы будет по-прежнему применим. Для плоских или игольчатых частиц соотношение между текущей поверхностью реагента и степенью превращения а сохраняется, однако форма выражений для скорости реакции отличается от закона сжимающейся сферы [32, 36, 37]. Но во всех случаях [c.221]


    П. Делахей и Т. Берзине [6] решили дифференциальные уравнения, учитывающие изменения концентрации реагентов у поверхности плоского электрода при протекании реакции (7.1), для случая включения постоянного тока. Если предшествующая химическая реакция протекает достаточно быстро, так что (р + р ) Ск > 2, то в случае линейной полубесконечной диффузии справедливо точное уравнение [6]  [c.174]

    ПРОТЕКАНИЕ РЕАКЦИИ НА ПЛОСКОЙ ПОВЕРХНОСТИ [c.379]

    Глубина протекания реакции в случае реагирования на одной из плоских поверхностей твердого реагента определяется по формуле (11.148) [c.543]

    Рассмотрим прежде всего реакцию, протекающую по схеме типа (II), при которой скорости диффузии компонентов к поверхности катализаторов X и У сравнимы со скоростями поверхностной реакции, а все остальные процессы идут с высокой скоростью. Допустим, что сопротивление диффузии газообразных веществ ограничивается тонкой газовой пленкой толщиной z, окружающей частицы катализатора. Для рассматриваемой здесь модели характерно то, что молекулы А, В и С диффундируют к непористым частицам катализаторов X и У и от них перед протеканием соответствующей химической реакции. Если в случае катализаторов, имеющих форму плоских пластинок, мы рассмотрим элемент бж газовой пленки, окружающей такую частицу, то уравнение диффузии при установившемся режиме, которое необходимо решить для каждого комнонента, будет иметь вид [c.304]

    Большое значение имеют исследования Бэнтона и Гватми [87], Ледхайзера и Гватми [88, 89], а также Родина [90] (см. стр. 45). Эти авторы получили приблизительно плоские по форме монокристаллы и определили адсорбционные характеристики и каталитическую активность этих образцов. Было показано, что у монокристалла меди плоскость (100) более легко окисляется кислородом по сравнению с другими плоскостями. В случае монокристалла никеля было найдено, что при протекании реакции каталитического разложения окиси углерода последний селективно отлагается на плоскости (111). Это убедительно доказывает, что на поверхности металлических катализаторов селективно отравляются определенные кристаллические грани. [c.355]

    Быстрое протекание реакции гемоглобина является достаточным указанием на то, что гем-группы располагаются плоско на поверхности протеиновой молекулы. В дальнейшем это было подтверждено наблюдениями Перутца, изучавшего поведение кристаллического кислого метгемоглобина [4]. Рентгенографические исследования показывают, что молекулы гемоглобина жестки и непроницаемы для жидкости, а кристаллический окси- или карбоксигемоглобин может быть превращен в метгемоглобин без всякого изменения кристаллической структуры. Кристаллы кислого метгемоглобина, взвешенные в растворе сернокислого аммония, можно без всякого изменения размеров элементарной ячейки превратить в щелочной метгемоглобин добавлением циаммоний-фосфата, а прибавлением азида натрия — в азид-метгемоглобин. Таким образом, эти реакции между геминовыми группами и ионами, диффундирующими через кристаллизационную жидкость, показывают, что геминовые группы расположены на поверхности, а постоянство размеров элементарной ячейки свидетельствует о том, что эти группы не участвуют в связи между соседними молекулами гемоглобина в кристаллической решетке. [c.196]

    С другой стороны, Рено и Бессон [12], изучавшие реакции на плоских поверхностях, обратили внимание на модификации, которым подвержена параболическая зависимость для потускнения, например, когда лимитирующей стадией процесса может быть не только диффузия. Так, если глубина протекания реакции и время связаны соотношением [c.451]

    Адсорбция — процесс изменения концентрации вещества на границе раздела фаз. Сорбируемое вещество располагается на поверх1ю-сти сорбента. Абсорбция — процесо поглощения сорбтива всем объемом сорбента, когда извлекаемое вещество проникает в поры сорбента, Если сорбция сопровождается протеканием химических реакций, то она носит название хемосорбция. Капиллярная конденсация — это сжижение паров в микропористых сорбентах. Происходит она вследствие того, что давление паров над вогнутым мениском жидкости в капиллярах меньше, чем давление насыщенного пара над плоской поверхностью жидкости при той же температуре. [c.141]

    Когда на границе раздела электрод — электролит не совершается электрохимической реакции, все количество подаваемого электричества идет на заряжение двойного слоя, вызывая соответствующее изменение потенциала. Электрическим аналогом такого электрода, определенного ранее как идеально поляризуемый, может служить плоский конденсатор. Протекание электрохимической реакции приводит к тому, что не все количество электричества расходуется на заряжение двойного слоя, а часть его проходит через границу раздела электрод —электролит. Здесь в качестве электрического аналога следует взять цепь, состояп1ую из емкости и параллельно включенного сопротивления. Емкость конденсатора отвечает при этом емкости двойного электрического слоя, а сопротивление (при известных условиях) можно рассматривать как величину, обратную скорости протекания электрохимической реак- ции. Изучение зависимости емкости двойного слоя и его электрического сопротивления от потенциала с помощью соответствующих схем на переменном токе является еще одним эффективным методом исследования кинетики электрохимических реакций. Он был разработан П. И. Долиным, А. Н. Фрумкиным и Б. В. Эршлером (1940). Данные емкости двойного слоя позволяют судить о состоянии поверхности электрода и о характере адсорбции на электроде различных веществ. [c.399]


    Вступление химии электродных процессов, или, как ее иначе называют, электродики , в современную стадию развития происходит во многих направлениях. В настоящее время кинетика электродных процессов трактуется с формальной полнотой в соответствии с кинетикой, разработанной в других областях для описания последовательных химических реакций, и ее место как части физической химии гетерогенных реакций достаточно выяснено. Старый эмпирический подход к решению прикладных коррозионных задач уступает в настоящее время место более глубокому пониманию процессов растворения, электрохимического окисления и пассивации металлов на основе электродной кинетики. Влияние потенциала на протекание электрохимических реакций рассматривается аналогично влиянию давления на кинетику гомогенных химических реакций в конденсированных фазах. Начинает учитываться связь между электрокатализом и свойствами материала электрода, рассматриваемого как гетерогенный катализатор, а также адсорбционное поведение промежуточных частиц и реагентов на поверхности, что обеспечивает научную основу для быстрого развития технологии прямого электрохимического превращения энергии. Двойной слой более не трактуется просто как аналог плоского конденсатора, а следовательно, становится более ясной роль адсорбции и ее связь с электродной кинетикой. Полупроводники перестали быть объектом изучения только физики твердого тела, поскольку стали рассматриваться свойства их поверхности, находящейся в контакте с раство- [c.8]


Смотреть страницы где упоминается термин Протекание реакции на плоской поверхности: [c.45]    [c.12]    [c.317]    [c.454]    [c.542]    [c.131]    [c.211]    [c.223]    [c.345]    [c.275]   
Смотреть главы в:

Кинетика гетерогенных реакций -> Протекание реакции на плоской поверхности




ПОИСК





Смотрите так же термины и статьи:

Плоские поверхности

Реакции на поверхности



© 2026 chem21.info Реклама на сайте