Сфера дебаевская

Рис. 1.8. Дебаевская модель межионных взаимодействий. Из сферы радиуса а вокруг центрального иона (ограниченной пунктирной линией) исключаются все другие ионы.

Гораздо больше энергии требуется для переноса электрона на расстояния, превышающие дебаевский радиус [29, 30], т. е. в область, где растворитель характеризуется своей нормальной макроскопической диэлектрической проницаемостью. Критический радиус сферы, внутри которой вода уже не обладает своими нормальными диэлектрическими свойствами, по величине гораздо больше радиуса первой координационной сферы иона, состоящей из дипольных молекул воды. [c.95]

Величина энергии Аг1), которая необходима для переноса электрона из виртуальной координационной сферы во внешнюю область, размеры которой превышают дебаевский радиус, в случае иона с зарядом Хе описывается выражением [c.96]

Теперь сфера распространения радиусом 1Д (метод поликристалла) пересечет узел HKL ОР не по окружности, а только в двух точках (рис. 13.3 ). Следовательно, дифрагировавшие лучи пересекут плоскую пленку 2 не по окружности, а лишь в двух точках 7, а рентгенограмма материала с аксиальной текстурой, полученная методом прямой съемки, будет иметь вид, показанный на рис. 13.4. На месте дебаевского кольца 3 остаются только дужки, длина которых тем меньше, чем меньше рассеяние текстуры. Эти дужки называют текстурными максимумами. [c.321]

До настоящего времени все эти методы применяли к дебаевской модели раствора твердые заряженные сферы, движущиеся в диэлектрическом континууме. Некоторые авторы пытаются учесть короткодействующие силы между ионами. Обсуждение этих расчетов и ссылки на них можно найти в работах [41, р. 1 42]. [c.13]

Пространственное распределение лучей, дифрагированных образцом с аксиальной текстурой, легко представить с помощью обратной решетки. Если NS — ось текстуры, то нормали к плоскостям (hkl) в пространстве обратной решетки будут расположены вдоль конусов со следующими параметрами вершины всех конусов лежат в начале обратной решетки, конусы коаксиальны относительно оси текстуры, а углы их полурас-твора р равны углам между нормалями к плоскостям (hkl) и осью текстуры. Дифрагированные лучи будут распространяться вдоль направлений из центра сферы отражений С к узлам обратной решетки Р и Q, лежащим на этой сфере. Для случая, приведенного на рис. 83, а, дифрагированные лучи будут распространяться вдоль 0R и на пленке, перпендикулярной направлению распространения первичного луча, дифракционная картина, соответствующая плоскостям hkl), будет состоять из четырех рефлексов, расположенных вдоль интерференционного дебаевского кольца. Положение максимумов можно характеризовать углом б — углом между проекцией оси текстуры на пленку и направлением из центра пленки к максимуму. Если текстура несовершенная и существует разориентировка нормалей к плоскостям hkl) относительно оси, то hkl) — узлы обратной решетки будут лежать па шаровых поясах, а рефлексы на рентгенограммах будут иметь протяженность в азимутальном направлении, определяемую шириной этих поясов (см. с. 181). [c.171]

I — пленка 2 — дебаевское кольцо 3 — сфера проекции 4 — конус нормалей [c.174]

Мы не будем касаться вопросов, связанных с рассмотрением равновесных свойств плазмы. Они довольно хорошо рассчитываются на основе равновесной статистической механики (см. например, [1]). В настоящее время предпринимаются усиленные попытки получить уравнение состояния плазмы в области сильной неидеальности, т. е. в условиях, когда число частиц в дебаевской сфере невелико (по этому поводу см., например, [2—5]). Для двумерной модели плазмы в [6] получено точное урав- [c.113]

Реальная зона Бриллюэна, в пределах которой находятся разрещенные значения волнового вектора К, заменяется сферой того же объема в обратном пространстве с радиусом, равным волновому вектору максимальной длины — дебаевскому волновому вектору Кр. [c.101]

Дебаевское экранирование. В плазме вследствие кулоновского взаимодействия и теплового расталкивания частиц происходит разделение зарядов. Заряд одного знака окружен сферой, состоящей из чередующихся слоев зарядов противоположного знака. Эта сфера называется сферой Дебая, а ее радиус - дебаевским радиусом [1,2] На расстоянии от [c.222]

Г = 1 эВ в сфере с дебаевским радиусом содержится 40 частиц, такая плазма является идеальной. [c.223]

Здесь следует заметить, что величину 1/х, получившую в теории сильных электролитов название радиуса ионной атмосферы (или дебаевского радиуса),, нельзя понимать геометрически, как радиус сферы, за которой действие поля рассматриваемого иона становится равным нулю. Физическая величина радиуса ионной атмосферы, строго говоря, неограничена. Однако потенциал поля убывает с удалением от рассматриваемого иона экспоненциально и на расстоянии, много большем 1/х, влиянием этого потенциала можно пренебречь, [c.183]

Уравнение для электрического потенциала системы ион — ионная атмосфера позволяет поставить и решить следующую задачу какая часть заряда ионной атмосферы заключена в шаре, имеющем центром центральный ион, если радиус шара выражать числом дебаевских длин Ниже приведены доли заряда ионной атмосферы, заключенного в объеме, охватываемом сферами перечисленных радиусов, рассчитанных при услови что 1/и > а [c.457]

Построение Эвальда для метода порошка показано на рис. 9.5. Сфера Эвальда сечет сферы узлов ОР по окружности, а дифрагированные лучи образуют систему коаксиальных дебаевских конусов (ось — направление падающего пучка к ) с углом раствора 40. Линии их пересечения с пленкой, нормальной ко, называются деба-евскими кольцами. [c.223]

Наиболее часто изучение дефектов проводят по уширению линий на рентгенограмме поликристалла. В то же время выражение (14.18) показывает интенсивность в точке обратного пространства на конце вектора g. Для получения интенсивности рассеяния от поликристалла надо I (g) проинтегрировать по сфере радиусом g. Тогда интенсивность, приходяшаяся на единицу длины дебаевского кольца, т. е. на единицу площади сферы узла ОР, будет в 4я раз меньше. Так как квазили- [c.351]

Сейчас уместно сделать одно замечание относительно кинетических уравнений и столкновений при дальнодействии. В гл. П1 мы пришли к заключению, что уравнение Власова пригодно для газа, частицы которого испытывают дальнодействуюш ие столкновения, которые в свою очередь, были определены через радиус взаимодействия. Соответствуюндим параметром для кулоновского газа является плазменный параметр п(Р, где й — радиус Дебая. Для п(Р 1 (в дебаевской сфере много частиц) мы получили уравнение Власова. В настояш,ей главе (исходя из импульса, сооб-п1,аемого при столкновении пробной частице) была введена концепция дальнодействуюп1,их столкновений и получено уравнение Фоккера — Плапка. [c.254]

Логарифмический декремент затухания был определен для кристаллов Na l — чистых и допированных Мп +, РЬ +, Mg +, Sr +, Са +, К+ [15—18]. Интересный и достаточно сложный релаксационный спектр был наблюден для случая Na l Са + [15]. Как видно из рис. 78, в случае ориентации кристалла в направлении < 111 > мы имеем дело с обычным дебаевским максимумом, однако для направления <100> пик заметно расширен и явно представляет собой суперпозицию нескольких кривых нормальной формы. Авторы разложили кривую а на три пика дебаевской формы со значениями hd 0,76 0,63 0,68 эВ. Первая составляющая, по их мнению, соответствует прыжкам вакансий из положения, ближайшего к иону Са +, в другое ближайшее соседнее положение с частотой oi. Вторая частота соответствует прыжкам из положения, следующего за ближайшим , так сказать, из второй координационной сферы в ближайшее к иону Са + с частотой (04, и, наконец, третья составляющая соответствует обратному переходу с частотой (03. Отсюда, в частности, следует, что энтальпия ассоциации в ближайшем положении [c.256]

При 6 = формулы (32.8) и (33.14) совпадают. Поэтому правую часть (33.14) можно трактовать как энергию сфер 1че-ского конденсатора, вторичная обкладка которого отнесена от первичной на расстояние дебаевского радиуса Ьо- Если учесть малость КК- тнпичны.х ионных П.ЛВ и, следовательно, большую величину дебаевского радиута, то такое расположение вторичной обкладки означает большую относительную роль первого слагаемого в правой части (3.3.14). Так, для. .ииеллы додецилсульфата натрия в водном растворе при КК.М 8,3- 10 моль/л, бо = 3,33 нм и /=1,97 нм первое слагаемое в правой части [c.175]

Д0ЛЖНО вьшолняться неравенство п(Р , т. е. число частиц в дебаевской сфере должно быть достаточно большим. Далее, циклотронный радиус Гс должен быть значительно больше и, наконец, длина электромагнитной волны — больше Физически такой режим реализуется при давлениях, примерно равных атмосферному, и при температурах порядка 103—10 К. С обычной технической точки зрения—это газы низких давлений и высоких температур. С другой стороны, физики, привыкшие работать с установками для термоядерного синтеза, сказали бы, что эти низкотемпературная плазма при высоком давлении. Плазма при том режиме, который мы рассматриваем, встречается в таких технических установках, как магнитогндродинамические генераторы, в определенных лабораторных условиях газоразрядной плазмы и, например, внутри звезд. [c.415]

Справочник химика 21

Химия и химическая технология