Подвижность носителей зарядов

Таблица 20 Подвижность носителей зарядов в растворе

Рис. 30. График зависимости подвижности носителей заряда в полупроводнике от температуры.

В общем случае температурная зависимость подвижности носителей заряда в полупроводниках определяется тремя механизмами рассеяния носителей рассеянием на тепловых колебаниях атомов решетки, на ионизованных примесях и на дефектах. [c.130]

Зависимость подвижности носителей заряда от температуры [c.130]

Введем понятие подвижности носителей заряда и как среднюю скорость направленного движения, которую приобретают носи- [c.120]

Таким образом, измеряя величину Ли и зная ее полярность, можно определить концентрацию и знак носителей заряда. В свою очередь, по концентрации носителей и удельной проводимости материала можно из выражения (88) подсчитать величину подвижности носителей заряда. Измерения, проведенные с помощью эффекта Холла, показали, что концентрация носителей заряда [c.123]

ЭЛЕКТРОХИМИЯ ПОЛУПРОВОДНИКОВ, изучает строение границы раздела полупроводник электролит и ( жз.-хнм. процессы на этой границе. Особенности этих процессов обусловлены наличием двух видов подвижных носителей заряда — электронов зоны проводимости и положительно заряж. дырок валентной зоны. Электроны и дырки участвуют в электродных процессах независимо друг от друга. Объемная конц. носителей заряда в полупроводниках мала по сравнению с металлами (менее 10 см ), поэтому полупроводниковая обкладка двойного электрич. слоя диффузна, значит, часть межфазного скачка потенциала локализована в полупроводнике. Токи обмена в электродных процессах малы, электродные р-ции обычно необратимы в р-циях возможно участие связанных состояний электронов н дырок (экситонов). Для электрохим. кинетики существенны диффуз. ограничения, связанные с доставкой электронов или дырок к границе раздела электрод электро-лит. Для полупроводниковых электродов характерна высокая фоточувствительность, причем поглощенный свет ускоряет преим. анодную р-цию на электронном полупроводнике и катодную — на дырочном. Генерация неравновесных электронов и дырок, возможная при электрохим. р-циях, может привести к хемилюминесценции. [c.706]

Для того чтобы связать удельную проводимость с подвижностью носителей заряда, выведем выражение закона Ома для плотности тока. Пусть через стержень круглого сечения (рис. 26) течет ток /. Носители заряда в нем двигаются перпендикулярно к нормальным сечениям. Рассмотрим два сечения 5 = 5" = 5, которые находятся друг от друга на расстоянии А/. Пусть разность потенциалов между этими сечениями будет Л1У = / — Сопротивление этого участка стержня [c.121]

Сказанное означает, что при одновременном введении донорных и акцепторных примесей происходит взаимная компенсация и их ионизация резко уменьшается. Таким образом, одни и тот же тип электропроводности и концентрация носителей могут быть получены как прн малом содержании примеси одного сорта, так и при большом содержании двух частично компенсируюш,их друг друга примесей. Следует однако отметить, что несмотря на одинаковый тип электропроводности и концентрацию носителей суш,ествуют заметные различия во многих других свойствах компенсированных и некомпенсированных полупроводников. В качестве примера укажем, что подвижность носителей заряда в компенсированных полупроводниках ниже, а скорость рекомбинации выше, чем в некомпенсированных. [c.129]

Иногда при условии активации практически всех донорных или акцепторных центров, когда собственная проводимость еще почти не имеет значения, иа кривой а — /(Т) может появиться область понижения проводимости за счет преобладающего влияния падающей подвижности носителей заряда. При дальнейшем повышении Т и усилении генерации подвижных носителей заряда собственно полупроводника опять повышается проводимость. [c.245]

Рассмотрим, как будет вести себя запирающий слой во внешнем переменном поле. Когда внешнее поле направлено от электронного полупроводника к дырочному, то оно усиливает существующее контактное поле. Основные подвижные носители заряда разойдутся в противоположные стороны от р—л-перехода. Из-за этого увеличится ширина запорного слоя, а следовательно, возрастет его сопротивление. Когда знак приложенной разности потенциалов изменится на обратный, то внешнее поле ослабит контактное поле и может даже его перекрыть, вследствие чего ширина запорного слоя станет меньше равновесной и сопротивление его уменьшится. В пропускном направлении тока дырки из р-области и электроны из п-области движутся навстречу [c.247]

Если в правом конце лодочки поместить монокристаллическую затравку и образовать одну зону плавления непосредственно рядом с затравкой, то, перемещая зону плавления влево, можно получить весь слиток германия в виде монокристалла с ориентацией кристаллографических плоскостей, какие имела затравка. Если в расплавленную зону ввести легирующую примесь с К <. 1, например 1п, то при прохождении зоны расплава вдоль всего слитка можно достигнуть равномерного распределения примеси и получить образцы с определенным типом проводимости и с определенной концентрацией подвижных носителей заряда в примесном полупроводнике. [c.262]

Малая проводимость полупроводников по сравнению с металлами вызвана не тем, что подвижность носителей заряда сильно отличается в металлах и полупроводниках, а главным образом тем, что ток в последних переносится небольшой частью электронов, например стомиллионной долей от общего числа валентных электронов . Уменьшение а при охлаждении полупроводников может быть объяснено только быстрым уменьшением концентрации электронов проводимости п, так как известно, что подвижность электронов возрастает при охлаждении. Стремление а и п к нулю при Т О указывает на то, что электроны проводимости в полупроводниках создаются тепловым движением (или другими видами энергии, сообщенной извне). Это основное отличие полупроводников от металлов. [c.289]

На рис. 72 изображены схемы появления дырки в атомной решетке элементарного полупроводника и возникновение электрона проводимости. Электрон, появившийся в междоузлии, является подвижным носителем заряда. Такие электроны, как и дырки, могут свободно [c.294]

Электропроводность алмаза при 25° С равна 5,1 Ом- -М . Предположив, что подвижность носителей заряда не зависит от температуры, вычислить его электропроводность при 35° С энергия запрещенной зоны равна 6 В. [c.598]

Так как электропроводность определяется двумя факторами, а именно подвижностью носителей зарядов и их числом, то следующий этап исследования состоял в разделении этих переменных. Реакция диссоциации молекулы воды на ионы и подвижности водных ионов во льду и воде были изучены в работе Эйгена и Майер (1964). К тонкому кристаллическому образцу прилагалось электрическое поле такой величины, чтобы все заряды, которые образуются в образце, достигали электродов (измерялся ток насыщения). Величина тока насыщения в первом приближении пропорциональна константе скорости диссоциации молекулы Н2О на ионы и объему образца. Константу скорости рекомбинации они определили методом нарушения равновесия процесса диссоциации мощным электрическим импульсом, имеющим амплитуду 50—150 кв см [c.60]

Большая величина подвижности носителя заряда во льду и отрицательная энергия активации этого процесса свидетельствуют в пользу того, что во льду имеет место какой-то особый механизм движения водных ионов. Все подходы к решению проблемы подвижности водных ионов во льду основывались до сих пор на данных старой работы Эйгена и Майер и в связи с этим представляют скорее исторический интерес. [c.62]

Толщина алмазных стенок, разделяющих поры, — порядка диаметра пор, т. е. она составляет немногие сотни или даже десятки нанометров. Следует отметить, что у подобных тонкостенных структур из полупроводниковых материалов есть особенности в пропускании электрического тока из электрода в раствор [132]. Именно, если при поляризации тонкослойного электрода область обедненного слоя у границы раздела полупроводник/раствор расширяется [ср. формулу (1)] настолько, что обедненные слои, прилегающие к обеим сторонам электрода, смыкаются, то протекание тока прекращается, поскольку теперь весь объем электрода представляет собой обедненный слой, т. е. не содержит подвижных носителей заряда, которые мог- [c.38]

Электропроводность тела зависит от числа и подвижности носителей зарядов 2 [c.210]

Прямым доказательством электронно-дырочного характера проводимости является эффект Холла. Однако для большинства полимеров обнаружить эффект Холла не удалось из-за малой подвижности носителей заряда. Тем не менее имеющиеся данные по эффекту Холла для некоторых полимеров и результаты обширных исследований термо-э. д. с., фотопроводимости и спектров ЭПР убедительно показывают, что проводимость полимерных полупроводников обусловлена движением электронов и ды- [c.40]

Если скорость измерять в см1сек, а напряженность поля в в см, то подвижность носителей заряда будет выражаться в см 1в-сек. [c.121]

На рис. 72 изображены схемы появления дырки в атомной решетке элементарного полупроводника и возникновение электрона проводимости. Электрон, появившийся в междоузлии, является подвижным носителем заряда. Такие электроны, как и дырки, могут свободно пе-ремеш,аться по кристаллу (диффундировать). Если поместить кристалл в электрическое поле с напряжением, падающим справа налево, то свободный электрон приобретает направленное движение против [c.237]

Таким образом, по обе стороны плоскости О/ появляется двойной слой зарядов, противоположных по знаку. По одну сторону — в л-области — он обеднен электронами проводимости, а по другую — в р-области — обеднен дырками, т. е. основными подвижными носителями заряда. Оэ-здающееся поле противодействует диффузии дырок в л-область и диффузии электронов в р-область, вследствие чего и устанавливается равновесное распределение электронов и дырок, как изображено на рис. 77. [c.247]

ЭЛАСТОМЕРЫ, полимеры и материалы ца их основе, обладающие высокоэластич. св-вами в широком диапазоне т-р их эксплуатации. Типичные Э.— каучуки и резины. ЭЛЕКТРЕТНО-ТЕРМИЧЕСКИЙ АНАЛИЗ, заключается в получ. электрета (обычно термо- или короноэлектрета) и послед, измерении токов термостимулироваиной деполяризации — ТСД (при наличии остаточной поляризации) или термостимулированных токов — ТСТ (при наличии инжектированных з у)Ядов) при программированном нагреваиии электрета. ТСД вызывается разориентацией диполей, релаксацией смещенных ионов, ТСТ — освобождением и переносом носителей зарядов, локализованных на центрах захвата. Записью токов во времени получают термограммы, на к-рых обычно наблюдаются один или неск. максимумов, т-ры к-рых соответствуют т-рам релаксац. переходов (ТСД) при эквивалентных частотах 10 —10 Гц. По термограммам ТСД рассчитывают поляризац. заряд, его время релаксации и энергию активации релаксации, инкремент диэлектрич. проницаемости, величину и кол-во диполей, по термограммам ТСТ — время релаксации и величину инжектированных зарядов, энергию активации релаксации, глубину ловушек и их кол-во, подвижность носителей зарядов. Э.-т. а. примен. для исследования релаксац. переходов в полимерах и др. твердых диэлектриках и полупроводниках, а также для определения параметров и - времени жизни электретов. [c.696]

Э. тесно связана с коллоидной химией проблемы строения двойного электрич. слоя, адсорбция на заряженных межфазных фаницах и электрокинетич. явления представляют собой пофаничную область между Э. и колловдиой химией. На фанице между Э. и биологией возникла новая научная область - биоэлектрохимия в отд. направление вьщеляют и фотоэлектрохимию. Электрохим. процессы в полупроводниках обусловлены наличием двух ввдов подвижных носителей заряда - электронов проводимости и дырок в валентной зоне [c.466]

Среди материалов, обладающих электрическими свойствами, обычно рассматр йвают проводники, полупроводники и диэлектрики. Различия между ними определяются характером химической связи и структурой энергетических зон, возникающих в результате взаимодействия атомов или ионов, составляющих кристаллическую решетку. Энергетическая диаграмма полупроводникового кристалла в отличие от диэлектрика характеризуется более узкой полосой запрещенных энергий. Некоторые важнейшие полупроводниковые материалы для электронной техники уже были рассмотрены (германий, кремний, арсенид галлия). В то же время существует много перспективных соединений типа А В (А —Оа, 1п В -8Ь, Аз, Р) и А В1 (А11-2п, Сс1, Hg В -5, 8е, Те). Первые из них обладают исключительно высокой подвижностью носителей заряда, а вторые позволяют в широком интервале изменять ширину запрещенной зоны. Среди диэлектриков со специальными свойствами в первую очередь следует выделить сегнето- и пьезоэлектрические материалы для квантовой электроники, включая активные среды лазеров и мазеров. Первые из них склонны к поляризации только пол влиянием внешних механических воз- [c.164]

Справочник химика 21

Химия и химическая технология