Тантал испарение в вакууме

Робертс показал, что очень чистые поверхности тугоплавких металлов можно получить, нагревая в вакууме электрическим током проволоку из данного металла для испарения поверхностных слоев и всех загрязнений, за исключением наиболее прочно удерживаемых. Так, например, в случае вольфрама окисел ШОз испаряется при температурах выше 1200°, а поверхностный слой атомов кислорода — выше 2000° ири температурах иа несколько сот градусов выше легко удаляется кислород, растворенный внутри. Можно удалить даже кремний. Такая обработка методом вспышек приводит к образованию поликристаллической поверхности, экспонирующей множество кристаллических плоскостей, среди которых могут преобладать плоскости (100), (110) и (111). Было проведено много исследований но хемосорбции на поверхностях вольфрама, тантала и родственных металлов, приготовленных этим методом, причем последний используется также для очистки вольфрамового острия в опытах с электронным проектором. [c.183]

Подобная конструкция испарителя применяется для получения пленок окислов. При этом лента из металла высокой чистоты закрепляется в зажимах испарителя и предварительно нагревается в вакууме с целью удаления поверхностных загрязнений. После напуска очищенного воздуха или смеси кислорода с инертным газом ленту снова прогревают до образования на ее поверхности слоя окисла достаточной толщины. Затем производят испарение окисла на подложку. Окисление поверхности и последующее испарение окисла желательно производить, не вынимая ленту из зажимов. В этом случае обеспечивается одинаковое распределение градиентов температуры для процессов окисления и испарения и сводится к минимуму испарение металла. При помощи описанного способа относительно легко получаются прочно связанные с подложкой слои окислов вольфрама и тантала. [c.225]

Для получения атомного пара тугоплавких металлов может быть использован прием, предложенный в [225]. Между двумя проволоками из тугоплавкого металла, расположенны-.ми в вакууме под острым углом друг к другу, создается пружинный точечный контакт. При пропускании тока достаточной величины в месте контакта создается перемычка расплавленного металла. Дальнейшее увеличение силы тока приводит к испарению металла в месте перемычки, тогда как другие участки остаются ниже температуры плавления. Автор отмечает, что в целях предотвращения разбрызгивания металла скорость нагрева должна тщательно регулироваться. Предложенный прием был применен для вакуумного напыления пленок вольфрама, молибдена и тантала. [c.89]

Следовательно, при возможности выполнения условий конгруэнтного испарения бинарных сплавов переходных металлов с углеродом вида (1), всегда выполняется и условие устойчивости этого процесса, и КИС может быть достигнут прямым испарением в вакууме любого исходного гомогенного состава этого сплава. Это находится в полном согласии с экспериментально наблюдаемым превращением исходных составов карбидов ниобия, тантала, циркония и гафния в конгруэнтно испаряющиеся при свободном испарении в режиме Ленгмюра при заданной постоянной температуре [3—6]. [c.56]

Проведены три работы по измерению давления пара тантала. Все они выполнены методом Лэнгмюра. Первая работа [466] сделана классическим вариантом метода — испарением в вакууме с нити из тантала. Полученные результаты представлены в табл. 256. [c.270]

Все они, окисляясь кислородом, образуют пятиокись Э2О5. Эти оксиды имеют кислотный характер, сильнее всего выраженный у У Ов-Ванадий, сгорая в кислороде при нагревании, образует У2О5. Тантал при 600° С и выше покрывается прочным тугоплавким, плохо проводящим ток оксидом ТэгОб, неспособным восстанавливаться в водороде. Из-за высокой температуры испарения ТваО (даже в вакууме) [c.333]

Температура атода зависит от температуры плавления материала и испарения его в вакууме. Так, катод из тантала ( t a = = 3000°) может работать при 2500° катод из молибдена (/ л = = 2625°) —при 2000° и т. д. [c.257]

Свойства. Порошкообразный UO2 стехиометрического состава имеет коричневый цвет. При увеличении содержания кислорода в оксиде цвет изменяется от темно-коричневого до черного. Наилучший способ определения чистоты продукта — рентгенографический. Кристаллическая структура типа aFs (0 = 5,470 А АЗТМ-карточка № 5-550) d 10,96. /пл 2875 °С. ДЯ°2эа —1084,5+2,5 кДж/моль. В тиглях из тантала или вольфрама в вакууме или в атмосфере защитного газа может плавиться без разложения, при пл происходит заметное испарение. Давление пара Igp (мм рт. ст.) =33,115/Г— —4,026 lg Т +25,686. [c.1320]

Особый интерес в этом отношении представляют карбиды, нитриды, бориды и силициды металлов. Составы этих соединений могут изменяться в значительном интервале, что позволяет рассматривать их как твердые растворы. При испарении их при низком давлении состав образующейся газовой фазы, как правило, отличается от состава твердой фазы и соотношение компонентов в последней в процессе испарения изменяется. Было отмечено, однако, что в ряде случаев состав твердой фазы стремится к некоторому постоянному значению. Такое положение было обнаружено, в частности, при изучении испарения монокарбидов ниобия, тантила и вольфрама [100—102]. Состав твердой фазы, испаряющейся без изменения состава и названной конгруэнтно испаряющимся раствором, является только функцией температуры, с повышением которой возрастает содержание металла. Р. Г. Аварбэ и С. С. Никольский предложили использовать явление образования конгруэнтно испаряющегося раствора для расчета условий фазового равновесия в бинарной системе тина твердое тело — газ [103]. Как известно, скорость испарения вещества с открытой поверхности в вакуум выражается уравнением Лэнгмюра [c.263]

Пленки бора получают различными методами, из которых следует отметить метод термического разложения трихлорида бора в присутствии водорода с осаждением на нагретую до 997—1017 °С грань <111> р-кремния, метод вакуумного испарения и конденсации на нагретую до различных (20—797°С) температур подложку из плавленого кварца, слюды, каменной соли, сапфира или стекла, метод электронно-лучевого испарения и конденсации в вакууме 1,33-10- Па иа подложки из тантала илн ниобия (с подслоем йз вольфрама, хлористого бария или без подслоя), разогретые до 297—1197°С, и т. п. Ультрачистые пленки бора получают расплавлением и испарением капли на вертикальном стержне бора. Варьируя температуру капли от 697 до 2497 °С, можио изменить скорость испарения в широких пределах, управляя таким образом скоростью осаждения бора на подложке и совершенством образующихся пленок. Известен также способ получения пленок путем мгновенного охлаждения из жидкости. Применяют следующие схемы закалки прокатка жидкой капли, центрифугирование и захлопывание летящей капли двумя медными шайбами и т. д. Кристаллическое строение пленок бора определяется условиями кристаллизации. Так, пленкк, получаемые методом термического разложения трихлорида, имеют главным образом моно- и поликристалличсское строение, методом вакуумного испарения —в основном аморфное при применении в качестве подложек кремния и сапфира строение пленок зависит от температуры подложки — до 797 °С аморфное, при температуре до 897 "С кристаллическое и т. д. При получении пленок путем закалки из жидкой фазы скорости охлаждения составляют Ю —10 с-, а толщина пленок 40—120 мкм. В этом случае пленки имеют преимущественно кристаллическое строение для получения аморфного бора необходимы более высокие скорости. Метод осаждения бора из газовой фазы на подложку используют также для получениях борных нитей. В этом случае осаждение производят иа сердечник из вольфрама диаметром 15—16 мкм, толщина получаемого при этом борного слоя составляет до 50 мкм. В процессе осаждения происходит борирование вольфрама подложки и образуются бориды различного состава. В борном слое обнаружены аморфная и а- и Р-модификации, имеющие монокрнсталли-ческое строение с размерами кристаллитов 2—3 нм. Заметное влияние иа структуру бора оказывают примеси, попадающие в слой из газовой фазы или подложки. Так, присутствие углерода способствует образованию тетрагонального бора вместо Р-ро.мбоэдрического. [c.149]

Применение гидридов переходных металлов облегчает синтез их силицидов. Реакции образований силицидов этих металлов обычно экзотермические. Для получения чистых силицидов не- обходимо синтезировать их в атмосфере нейтрального газа (обычно в аргоне) или в вакууме. С углеродом и окислами силициды реагируют медленно. Поэтому их синтез в ряде случаев может осуществляться в графитовых тиглях или сосудах из высокоогнеупорных окислов (AI2O3, ВеО и некоторые другие). Вальбаум [484] получал силициды ванадия, ниобия и тантала спеканием порошков этих металлов в смеси с кремнием в тиглях из глинозема в атмосфере аргона. Для получения силицидов может быть использована также реакция с газообразным кремнием, для испарения которого удобно использовать аппаратуру из вольфрама и двуокиси тория [291]. [c.14]

Металлический кюрий может быть получен восстановлением СтРз парами металлического бария [462—464]. Восстановление проводят в высоком вакууме в системе из двух тиглей, подробно описанной в работе [465]. Тигли изготовляют либо из окиси бериллия [462], либо КЗ тантала [464]. Хороший выход металлического кюрия наблюдается, если восстановление проводят в I течение 2 мин при 1315— 1375° С. Дополнительное нагревание в течение 3 мш при 1235°С способствует отделению шлака ВаРа и испарению избытка металлического бария. [c.358]

Бромид и иодид. Пентабромид тантала ТаВгз получается действием паров брома на металлический тантал при 300—500" либо действием брома на смесь пятиокиси тантала с сажей при 700—800°. Желто-оран севые кристаллы ТаВгз гидролизуются при растворении в воде. При испарении в вакууме ТаВГб не разлагается. [c.267]

Карбид гафния — самый тугоплавкий среди простых карбидов металлов (3900° С) [86, 100], поэтому его применяют в качестве высокоогнеупорного материала [67, 101]. Его предполагается использовать для изготовления дуговых калильных ламп или нитей накала [67, 102—106]. Обладая высокой твердостью (около 2900 kFImm по шкале микротвердости [86]), карбид гафния является весьма ценным компонентом сверхтвердых сплавов для режущих инструментов и точильных средств [67, 107]. Наряду с карбидами титана, циркония, ниобия, тантала, хрома и молибдена карбид гафния рекомендуется применять в нагревателях для испарения металлов в вакууме [108I. [c.15]

При испарении вольфрама, молибдена и тантала в высоком вакууме нами применялась ячейка Лэнгмюра, в которой образец в -виде диска закреплялся а трех вольфрамовых растяжках диаметром 0,1 мм и нагревался сканирующим электронным пучком для получения равномерной тбМ1пературы по образцу. [c.362]

Наиболее распространено катодное распыление металлов в вакууме. Так, в атмосфере аргона, получают металлические зеркальные покрытия. В окислительной среде, при возбуждении тлеющего разряда в кислороде, когда разрядное пространство становится высокоактивной средой, поверхность изделий, расположенных на некотором расстоянии от катода, покрывается пленкой окисла. Данный метод известен в литературе как метод получения пленок реактивным распылением. Так могут быть получены пленки окислов алюминия, кремния, тантала, ниобия, вольфрама, циркония, скандия и других металлов [11, 112—114]. Основное преимущество данного метода — возмол<ность получения пленок, состав которых отвечает термически и химически устойчивым соединениям. Кроме того, адгезия пленок из окислов к поверхности стекла и их твердость значительно выше, чем у пленок, состоящих из сульфидов или фторидов, получаемых методом термического испарения. Методом реактивного распыления целесообразно получать тонкие интерференционные светоделительные, просветляющие и защитные пленки на деталях оптических приборов, предназначаемых для работы в условиях повышенной влажности и температуре > 30° С. Однако метод катодного распыления не применим для стекол, содержащих в своем составе большое количество окислов свинца. Например, образование пленок Si02 на поверхности деталей из стекол типа тяжелых флинтов сопровождается отчетливым потемнением стекла [113]. Причинами этого считают электронную и ионную бомбардировку, облучение стекла ультрафиолетовой радиацией, в результате чего окислы свинца восстанавливаются до металлического свинца. При этом замечено большее петемнение стекол при распылении кремния по сравнению с [c.19]

Справочник химика 21

Химия и химическая технология