Справочник химика 21

Химия и химическая технология

Статьи Рисунки Таблицы О сайте English

Кристаллы факторы, влияющие на процесс образования зародышей

    Скорости роста кристаллов и образования зародышей зависят от значительного количества внешних факторов. Так, перемешивание раствора влияет на относительную скорость перемещения раствора и кристалла, увеличение которой уменьшает внешнее диффузионное сопротивление. Перемешивание суспензии эффективно до тех пор, пока общая кинетика роста существенно зависит от диффузионного подвода вещества. Повышение температуры увеличивает общую скорость процесса кристаллизации. Действительно, когда скорость процесса определяется сопротивлением внешней диффузии, то повышение температуры уменьшает вязкость раствора и увеличивает коэффициент диффузии кристаллизующегося вещества. Рост температуры уменьшает также сопротивление процессу собственно кристаллизации, поскольку работа образования кристаллических зародышей уменьшается. [c.153]


    Одним из основных вопросов, решаемых при расчете кристаллизаторов, является описание кинетики кристаллизации, состоящей из стадий создания пересыщения, -образований зародышей и роста кристаллов. Она также зависит от перекристаллизации осадка, коалесценции и дробления кристаллов в результате столкновения между собой и со стенками аппарата. На кинетику массовой кристаллизации существенно влияют температура, степень пересыщения раствора, перемешивание, наличие примесей, физикохимические свойства раствора, конструкция аппарата и т. д. Детальное описание явлений и факторов, сопровождающих процессы массовой кристаллизации из растворов и газовых смесей, дано в монографии [17]. Важное значение имеет также описание условий равновесия между сосуществующими фазами (твердое вещество—жидкость, твердое вещество—газ (пар)). На основании условий фазового равновесия в первом приближении возможен выбор необходимого растворителя для процессов кристаллизации, а также перекристаллизации. [c.90]

    Скорость роста кристалла будет определяться следующими факторами 1) скоростью образования зародышей кристаллизации и 2) скоростью отвода тепла от фронта кристаллизации так, чтобы температура в нем не превышала температуры плавления растущего центра кристаллизации. Практически в любом расплаве присутствуют примеси, которые влияют на скорость роста и чистоту кристалла. Реальные процессы кристаллизации всегда связаны с относительно большими скоростями роста так, что равновесие между расплавом и растущим кристаллом не успевает устанавливаться, т. е. оттесняемая от фронта кристаллизации в расплав примесь (при < 1) не успевает равномерно распределяться по всему объему жидкости, и концентрация примеси у границы раздела возрастает (рис. 47). Таким образом, кристалл растет из слоя расплава, обогащенного примесью, причем это обогаще- [c.84]

    Растворение атомов водорода к металле протекает одновременно-с образованием гидрида на поверхности кристалла, а при определенных условиях первый процесс является доминирующим. На кинетику этих процессов влияют многие факторы, в том числе присутствие других газов в структуре металла, наличие нарушений в решетке, благоприятных для образования зародышей, а также величины энергий активации и энтропий всех этих процессов. Процесс растворения водорода сводится к диффузии между узлами решетки металла, диффузии вдоль границ зерен и вдоль нарушений в решетке металла. [c.210]


    Скорость кристаллизации зависит от ряда факторов степени пересыщения раствора , интенсивности перемешивания, наличия примесей и других причин. Кристаллизация начинается с возникновения зародышей, или центров кристаллизации, вокруг которых происходит рост кристаллов. Скорость образования зародышей зависит от температуры, механических воздействий (перемешивание, встряхивание), степени шероховатости стенок и др. Скорость кристаллизации не является постоянной величиной вначале она увеличивается, а затем падает. С повышением температуры скорость роста кристаллов увеличивается, поскольку при этом ускоряется диффузия, облегчается подход из раствора новых молекул вещества, из которых складывается структура кристалла. На свойства получаемых кристаллов влияют условия, при которых происходит процесс кристаллизации (скорость охлаждения, перемешивание и др.). [c.147]

    Влияние концентрации желатины на кристаллизационный процесс. Изменение концентрации желатины должно оказывать влияние в двух направлениях с одной стороны, это должно влиять на начальную стадию кристаллизации как следствие действия на скорость образования зародышей новой фазы с другой — на процесс роста кристаллов в результате влияния вязкости и повышения растворимости галогенида серебра. Последние два фактора должны оказывать противоположное действие, но они, вероятно, в малой степени будут зависеть от индивидуальных особенностей желатины. [c.158]

    В процессе электрокристаллизации на микрорельеф и, следовательно, на блеск осадков будут влиять такие факторы, как структура основного металла, энергетическая неоднородность выходящих на поверхности граней кристаллов, вероятность образования трех- и двумерных зародышей, степень ингибирования примесями и т. д. Важную роль играет и форма роста электрохимических осадков. Слоистые осадки, образующиеся в присутствии ПАВ или в некоторых нестационарных режимах электролиза, обладают наибольшим блеском поверхности. [c.270]

    Повышение скорости циркуляции раствора до 0.5 и 1.0 м/сек. уменьшает разницу в размере кристаллов, полученных при различных режимах охлаждения. Этот факт объясняется тем, что с повышением интенсивности движения раствора возрастает и скорость образования кристаллических зародышей [ На этом фоне изменение второго фактора, определяющего скорость возникновения новых зародышей, а именно темпов охлаждения раствора, уже в меньшей степени влияет на процесс кристаллизации и на конечный размер кристаллов. [c.218]

    На кинетику процесса зарождения кристаллов влияют многие факторы, в особенности присутствие в расплаве различных механических примесей. Последние, как правило, снижают степень переохлаждения и увеличивают вероятность зарождения кристаллов. Процесс зарождения кристалла на поверхности постороннего твердого тела часто называют гетерогенным. Соответственно снижению требуемой степени переохлаждения изменение общей энергии, связанное с образованием критического зародыша, в гетерогенных условиях должно быть меньше, чем в гомогенных условиях, т. е. [c.53]

    Рост кристаллов, согласно литературным данным, может определяться различными процессами [15]. Он может лимитироваться диффузией, кинетикой зародышеобразова-ния на гранях, наличием дислокаций и дефектов в кристаллической решетке. При массовой кристаллизации рост кристаллов происходит, как правило, при значительных пересышениях. В реальных условиях, кроме пересыщения, на их рост влияет ряд других факторов. В частности, к ним относятся температура, интенсивность и характер перемешивания раствора, наличие различных примесей, конструкция кристаллизатора и т. п. Все это делает применение теории роста кристаллов Гиббса—Фольмера в реальных условиях затруднительным, поскольку она построена на предпосылках, относящихся в основном к идеальным системам. Так, например, кинетика роста кристаллов, согласно термодинамической теории Гиббса—Фольмера, определяется образованием двухмерных зародышей. Возникновение же последних связывается с величиной максимального изменения свободной энергии системы представляющей собой тот энергетический барьер, преодоление которого необходимо для образования зародыша. В реальных условиях величина определяется не [c.8]

    Тетрафторид урана осаждается в виде осадка кристаллогидратов. На процесс образования и роста кристаллов тетрафтор1зда урана влияют многие факторы. По современным представлениям, вещество осаждается вследствие образования термодинамически неустойчивых пересыщенных растворов. При этом большинство осадков обладает аморфной или скрытокристаллической структурой. Это объясняется большой скоростью ионных реакций и высокой степенью пересыщения, возникающего в результате значительного превышения исходных концентраций по сравнению с равновесными. Степень пересыщения характеризуется избыточной свободной энергией системы, которая расходуется на создание границы раздела фаз. От степени пересыщения зависит размер зародышей с увеличением пересыщения размеры зародышей уменьшаются. В менее пересыщенных растворах кристаллизация возможна лишь на вносимых извне затравках . [c.283]


Смотреть страницы где упоминается термин Кристаллы факторы, влияющие на процесс образования зародышей: [c.55]   
Справочник инженера-химика Том 1 (1937) -- [ c.371 ]



ПОИСК





Смотрите так же термины и статьи:

Зародыш

Зародыш кристаллов

Образование зародышей

Образования пар процесс

Факторы процесса

влияющие фактор



© 2025 chem21.info Реклама на сайте