Диаграммы от монокристаллов

Финч и его коллеги [160, 163] опубликовали ряд диаграмм монокристаллов железа, полированных в уксусно-хлорнокислой ванне Жаке — Роке с указанием, что поверхность чиста. [c.79]

Важную информацию о связи в кристаллах можно получить с помощью так называемого фурье-преобразования рассеяния рентгеновских лучей на электронах кристаллической решетки монокристалла. Так как в кристалле электронная плотность периодически изменяется, снимают диаграммы электронной плотности, на которых проводят линии одинаковой электронной плотности. [c.111]

Области применения металлографических методов. Металлографический анализ —один из важнейших методов физико-химического исследования. Основные области его применения 1) определение количества фаз и последовательности их кристаллизации при построении диаграмм состояния 2) контроль качества полученного слитка (наличие двойников, поверхностных включений второй фазы и т. д.) при выращивании монокристаллов 3) определение платности дислокаций, дефектов упаковки и т. п. на монокристаллических материалах. [c.47]

Металлы особо высокой чистоты получают из монокристаллов, прошедших зонную плавку. Зонная плавка применяется также при получении полупроводниковых материалов (германий и кремний) и основана на том, что примеси обладают большей растворимостью в жидком металле, как это видно из диаграмм плавкости (см. рис. 154, 155, 156,6). Создавая в твердом материале узкую прослойку жидкой фазы, медленно двигающуюся по нему от одного конца к другому, можно, последовательно проведя 4—6 таких операций, извлечь примеси из него и собрать их в один конец, который потом отрезается и идет в отход. [c.288]

При дифракции на порошках (разд, 11,2,2) микрокристаллические образцы, содержащие примерно 10 случайно ориентированных индивидуальных кристаллитов (размером 5 10 — 5 10 " см), обеспечивают одномерные распределительные диаграммы интенсивность — угол дифракции , которые могут быть использованы для идентификации веществ, определения их физических свойств, измерения размеров кристаллитов и в какой-то степени для выяснения кристаллической структуры. При дифракции на монокристаллах обычно требуются монокристаллы с размерами 0,1-0,6 мм этот метод является стандартным вариантом рентгеноструктурного анализа (разд, 11,2,3), [c.401]

Диаграмма состояния и условия выращивания монокристаллов [c.8]

Диаграмма состояния позволяет установить основные условия кристаллизации состав выращиваемого монокристалла, атмосферу кристаллизации. [c.8]

В качестве примера можно привести диаграммы состояния кремния и углерода. Согласно диаграмме состояния кремния (рис. 2) [7] выращивание монокристаллов возможно при нормальном давлении (на рисунке эта область заштрихована). А монокристаллы алмаза, например, могут быть синтезированы при температуре 1500 1600 °С [c.9]

Из рис. 18 видно, что диаграмма растяжения монокристалла цинка в инактивной среде характеризует его как типично пластический материал (кривая /). Однако покрытие образца тончайшей [c.39]

Совершенно неожиданно гипотеза [189, 190] была подтверждена 13 результате последних электронномикроскопических и рентгеновских исследований [191—196]. Образование мелких (по-видимому, упорядоченных) частиц, имеющих состав, отличный от состава матрицы, было установлено в однофазной области сплавов Си - А1 [191], Си - гп [192], Ре - Л1 [193, 194, 197] и N1 - Мо [195, 196], обнаруживающих аномальное увеличение электросопротивления при отжиге ( -эффект). Основная особенность, которая отличает поведение этих частиц от поведения обычных выделений второй фазы в двухфазной области диаграммы равновесия, заключается в том, что частицы в сплавах Си — А1, Си — Хп, Ре — А1 и N1 — Мо не растут в течение времени выдержки. Недавние рентгеновские исследования кинетики ближнего порядка, проведенные на совершенных монокристаллах Ре — 16 ат.% А1 [101], по-видимому, подтверждают результаты электронномикроскопических наблюдений. [c.248]

К числу важнейших методов получения монокристаллов относится также кристаллизация из растворов. Принцип метода иллюстрируется обобщенной фазовой диаграммой, приведенной на рис. 99. Вещество В может кристаллизироваться из раствора при температурах [c.210]

Интересен факт, отмеченный еще Берналем, что в диаграмме монокристалла наблюдается усиление некоторых индивидуальных рефлексов, соответствующих расстоя- [c.327]

Таким образом, изучение поликристаллических объектов позволяет получить данные о фазовом составе препаратов, что необходимо при исследовании диаграмм состояния или их разрезов. Прецизионное определение параметров элементарных ячеек обычно является одним из способов уточнения границ областей гомогенности. При всей ограниченности возможностей порошковой рентгенографии для решения задач структурного анализа роль этого метода неоценима в тех случаях, когда синтез монокристаллов по тем или иным причинам невозможен. Большую помощь в решении таких задач оказывает применение принципа гомологии, т.е. установление закономеоностей изменения структур при измене- [c.4]

Физические свойства вещества зависят от атомного состава, структуры, характера движения и взаимодействия частиц. Для определения этих параметров используются разнообразные физические методы исследования. К ним относятся методы, основанные на явлении дифракции рентгеновского излучения, электронов п нейтронов. Явление дифракции рентгеновских лучей на монокристаллах было открыто М. Лауз в 1912 г. Оно явилось началом рентгеноструктурного анализа твердых тел, жидкостей и газов. Советские ученые А. Ф. Иоффе, С. Т. Конобеевский, Н. Е. Успенский, Н. Я. Селяков одними из первых применили рентгеноструктурный метод для определения геометрических размеров кристаллических решеток и их пространственной симметрии, нахождения координат атомов кристалла, обнаружения преимущественных ориентировок (текстур), возникающих при деформации твердых тел, исследования внутренних напряжений, построения диаграмм состояния. Их основополагающие работы в этой области получили дальнейшее развитие в трудах Г. В. Курдюмова, Г. С. Жданова, Н. В. Белова, В. И. Данилова, В. И. Ивероновой, А. И. Китайгородского, Б. К. Вайнштейна и др. [c.4]

В настоящее время круг объектов, при изучении которых применяется построение диаграмм состав — свойство, расширился и распространился на все отделы неорганической химии, химической технологии (включая силикаты, удобрения), петрографию, на ряд объектов органической химии. В последние десятилетия метод физико-химического анализа широко используется в сравнительно новых областях химии полупроводников, теории и технике выращивания монокристаллов, радиохимии, синтезе сег-нетоэлектриков. Диаграммы состояния используются преимущественно в современном материаловедении при создании новых материалов с заранее заданными свойствами (таких как композиционные материалы различных типов, материалы, полученные методом сверхбыстрой закалки и т. д.), отличающихся тем, что они включают в свой состав, как правило, большое число компонентов. Системы с числом компонентов четыре и выше называются многокомпонентными. Их изучение и построение затруднено, во-первых, сложностями графического изображения и, во-вторых, большим объемом экспериментальной работы. Здесь на помощь физико-химическому анализу могут быть привлечены методы ма-чйтического планирования эксперимента позволяющие строить [c.279]

В практикуме описаны лабораторные работы по химии и технологии полупроводни ков. Пособие предназначено для изучения основных методов физико-химического ис следования конденсированных систем (ДТА, тензиметрические методы, построенИ Р—7— -диаграмм, методы микроструктурного анализа и микротвердости), различны. методов синтеза, кристаллизационной очистки и выращивания монокристаллов полу проводниковых соединений, а также зтгакомит с основными технологическими опера днями в производстве полупроводниковых приборов (окисление, диффузия, эпитаксия травление). [c.2]

Лит. Диаграммы состоя гня силикатных систем Справочник. 2 изд, в 1. Л, 1969, Бойкова А И, Твердые растворы u M Fmiux минералов, Л, 1974, Гидросиликаты кальция Синтез монокристаллов и кристаллохимия М, 1979, Горшков В С, Тимашев В В. Савельев В Г. Методы физикохимического аиализа вяжущих веществ, М, 1981 НС Никонова [c.298]

На рис. 4 приведена схема двухкомпонентной диаграммы состояния, согласно которой условия выращивания монокристаллов составов А или В сопряжены с возможным их нарушением и попаданием в область существования либо А, либо В и соответствующей жидкости состава А+В. То есть [c.9]

Рис. 61. Диаграммы составов монокристаллов двухкомпонентных систем полу-торпьпс оксидов редкоземельных элементов 1 — гексагональные кристаллы. 2 — моноклинные, 3 — кубические, 4 — поликристаллы [96]

Что касается характера образующихся при кристаллизации фаз, то кристаллическая фаза обычно полиди-сперсна и несовершенна, т. е. содержит значительное количество макромолекул или их участков, обладающих свойствами аморфного состояния. Для объяснения особенностей другой фазы — насыщенного раствора полимера над кристаллической фазой — необходимо сослаться на сдвиг точки эвтектики на диаграмме состояния в сторону растворителя (см. рис. 20). Резкий сдвиг эвтектической точки приводит к тому, что температура плавления (кристаллизации) относительно медленно снижается по ере увеличения количества растворителя в системе и лишь при малых концентрациях полимера начинает рез--со падать. Поэтому при температурах, лежащих несколько ниже температуры плавления чистого полимера, концентрация его в равновесной фазе над кристаллическим толимером оказывается незначительной. Многие полимеры при получении монокристаллов выкристаллизовывают из очень разбавленных растворов. [c.68]

Следует отметить, что хорошее согласие вычисленных и измеренных значений (рис. 35) оправдывает применение в расчетах [103, 107] приближенного учета магнитной энергии. Анализ, проведенный в работах [103, 107] на примере сплавов Ге — А1, по существу показывает, что использование метода диффузного рассеяния рентгеновских лучей монокристаллами неупорядоченных твердых растворов вместе с теорией неидеальных растворов, изложенной в 10, 16, может служить эффективным средством исследования термодинамических свойств сплавов. При этом для построения теоретической диаграммы равновесия не требуется использования подгоночшзхх параметров, привязывающих теоретическую диаграмму равновесия к известным из эксперимента температурам фазовых переходов. [c.176]

Настоящая работа посвящена изучению диаграммы состав — свойство солевой системы КС1 — КВг. Систематическое исследование таких диаграмм, как известно, начато академиком Николаем Семеновичем Курнаковым и его многочисленными учениками. Известно, что монокристаллы КС1 — КВг, выращенные из расплава, имеют повышеннук> дефектность, зависящую, по данным многих авторов, от их состава в способа выращивания [1, 2, 3, 4]. Для щелочногалоидных кристаллов превалирующее число точечных или физических дефектов относится к типу так называемых дефектов Шоттки. Число дефектов Шоттки зависит от устойчивости твердых растворов, определяющейся, в свою очередь, соотношением энергий решеток (AU) компонентов, образующих данный твердый раствор. В том случае, когда AU мала, система устойчива, дефектность смешанных кристаллов относительно невелика. При значительных AU твердые растворы характеризуются пониженными силами связи между составляющими их частицами, что и сказывается на дефектности и устойчивости кристалла [5]. [c.185]

Фиг. 13. Диаграмма зави- фиг. 14. Диаграмма зависимости напря-симости предела текучести жения от деформации монокристаллов

На фиг. 13 (по П. А. Ребиндеру [101]) показана зависимость основных структурных и механических характеристик монокристаллов олова от концентрации примеси олеиновой кислоты к поверхностнонеактивному вазелиновому маслу. Из диаграммы видно, что внешний адсорбционный эффект проявляется в снижении предела текучести, [c.49]

Некоторые формы надмолекулярной структуры полимеров глобулярная (а), фибриллярная (б) и дендритная (в) формы в аморфном полимере (сополимер диэтилового эфира винилфосфиновой кислоты с акриловой кислотой) фибриллярный сферолит полиамида (г) пластинчатый сферолит изотактического полистирола (9) отдельный сферолит (е) и сферолитная лепта ( к-) изотактического полистирола (в поляризованном свете) сферолиты и кристаллы изотактического полибутилепа (з) монокристалл полиэтилена (и) глобулярный монокристалл вируса некроза табака (к) различные формы надмолекулярной структуры изотактического кристаллического полипропилена (л, м, н) и соответствующие им диаграммы растяжения (о). [c.161]

Справочник химика 21

Химия и химическая технология