Теории фотоэлектронной эмиссии

ТЕОРИИ фотоэлектронной эмиссии 69 [c.69]

ТЕОРИИ ФОТОЭЛЕКТРОННОЙ ЭМИССИИ [c.71]

Указанная связь функции /(р) с функцией Иоста позволяет перенести ряд результатов из теории потенциального рассеяния неносредственно в пороговую теорию фотоэлектронной эмиссии. В частности, если потенциал (х) достаточно быстро убывает с ростом X, то основная искомая величина /(р) может быть в окрестности р = О разложена в ряд [c.42]

Ниже излагаются, в основном, результаты измерений фотоэмиссионного тока в простейших системах (ртутный электрод в достаточно концентрированных растворах фторидов, хлоридов или сульфатов щелочных металлов с добавкой закиси азота или ионов водорода в качестве акцепторов), которые позволили количественно проверить изложенную выше теорию фотоэлектронной эмиссии и измерить параметры, характеризующие процесс эмиссии в водные и неводные растворы. [c.67]

Однако экситоны, часто описываемые в случае неорганических соединений, являются экситонами Мотта [103] возбужденный электрон и дырка одновременно не относятся только к одному центру, но находятся на расстоянии друг от друга, которое в среднем составляет величину от одного до нескольких параметров решетки. У молекулярных кристаллов уровни экситонов занимают широкую область энергетического спектра, которая в значительной степени расширяется колебаниями, особенно когда уровни находятся вблизи границы интенсивного поглощения. Этот вопрос будет рассматриваться в следующей книге этой серии. У антрацена наблюдалось размытие уровней экситонов приблизительно от 3 до 8 эб в зависимости от расположения плоскости поляризации света в направлении а или Ь [88]. В большинстве случаев поглощение, без сомнения, было обусловлено образованием экситонов, соответствующих возбужденным состояниям индивидуальных молекул, что доказывается сравнением коэффициентов экстинкции в спектрах молекул и кристаллов [88]. Тем не менее подобное описание с точки зрения теории экситонов Френкеля является, конечно, неполным, так как при энергии поглощенного света даже меньше 8 эв возникают и фотопроводимость и фотоэмиссия электронов, не говоря уже о фотохимической диссоциации. Даже если наблюдаемая фотопроводимость не вызвана освобождением носителей внутри чистого вещества, что кажется вполне возможным [15], то существует фотоэлектронная эмиссия, показывающая (раздел 11,4), что внешний фотоэлектрический эффект связан с ионизацией молекул внутри кристалла. Поглощение, вызывающее эмиссию, по-видимому, непрерывно и может обусловливаться образованием экситонов. [c.662]

В монографии изложены основы теории, экспериментальной техники и результаты исследования фотоэлектронной эмиссии и сопровождающих ее явлений на границе металл—электролит. Рассмотрено прохождение эмиттируемых электронов сквозь двойной электрический слой, их замедление и сольватация, взаимодействие с растворенными веществами. [c.4]

Для описания процесса фотоэлектронной эмиссии в твердом теле, как правило, используется одноэлектронная теория в упрощенном варианте трехступенчатой модели, которая предполагает, что фотоэмиссия электрона может быть представлена последовательностью трех независимых событий [c.19]

Существующие методы теоретического описания фотоэлектронной эмиссии развивались, в основном, для случая эмиссии в вакуум и не могут быть неносредственно использованы для рассмотрения закономерностей фотоэмиссии на межфазной границе электрод—электролит. В настоящей главе теоретическое описание этого явления будет проведено в рамках общей пороговой теории фотоэлектронной эмиссии. Возможность единого порогового описания обусловливается тем, что при представляющих наибольший интерес частотах излучения (видимый свет и ближний ультрафиолет) кинетическая энергия эмиттированных электронов оказывается меньше энергетических параметров, характеризующих внутреннюю структуру электрода-эмиттера. Ниже будут )ассмотрены основы пороговой теории, развитой впервые в работах 71, 72]. Более детальный анализ теории, требующий привлечения сравнительно сложного математического аппарата, содержится в [73]. [c.30]

Первую количественную теорию термоэлектронной эмиссии дал Ричардсон. Введение в катодную лампу третьего электрода— сотки привело к появлению усилительной лампы. С этого времени дальнейшее развитие радиотехники стало усиленно стимулировать научное исследование в области электроники, и эта молодая (/грасль физики начала бурно развиваться, охватывая всё большее и большее число новых явлений. Появились генераторные лампы, электроннолучевые трубки, приборы телевидения, приборы для 1еперации ультракоротких волн и многое другое. В пустотных приборах стали использовать кроме термоэлектронной эмиссии также фотоэлектронную эмиссию и так называемую вторичную [c.17]

И тот и другой результаты абсурдны, так как противоречат закон Эйнштейна и данным опыта. Поэтому необходимо предположить, что в элементарном акте фотоэлектронной эмиссии доллсны участвовать, кроме фотона и электрона, ещё другие тела, или по крайней мере одно тело, принимающее на себя часть импульса фотона. Это может иметь место только в том случае, если электроны но абсолютно свободны, а связаны силовым полем с ионими металла. Таким образом, при построении теории фотоэффекта в металлах нельзя пользоваться приближением, допускающим, что электроны проводимости в металле совершенно свободны. [c.68]

Теории фотоэффекта со сложных катодов. Слои окиси цезия с избыточным содернганием цезия и с наличием атомов серебра в кислородно-цезиевых фотоэлементах, равно как и слой Sb s j в сурьмяно-цезиевых, являются примесными полупроводниками. Избыточные атомы цезия вызывают появление местных энергетических уровней, увеличивающих электропроводность и эмиссионную способность катодов, а также образуют на поверхности катода облегчающий эмиссию одноатомный слой. Поэтому в настоящее время вполне естественно искать объяснения специфических свойств сложных фотокатодов, и в частности их большой чувствительности, исходя пз зональной теории полупроводников. Как уже было подчёркнуто в предыдущей главе при объяснении явлений, имеющих место в оксидных катодах, в настоящее время ещё не создано впо.чне разработанной теории термоэ.чектронной эмиссии из полупроводников. В ещё большей мере это справедливо для фотоэлектронной эмиссии. Однако некоторые положения здесь [c.76]

Для иллюстрации как выделения отдельных частот дробового эффекта при помощи селективно работающего усилителя, так и всего явления дробового эффекта в целом приводим на рисунке 57 осциллографические записи дробового эффекта фотоэлектронной эмиссии [258]. Рядом с каждой серией кривых приведена графически частотная характеристика усилетеля. Кривые масштаб времени представляют собой снятые для сравнения осциллограммы простых синусоидальных колебаний. Мы обрисовали методику этих измерений лишь схематически. Теория описанного метода устанавливает зависимость колебаний напряжения на входном сопротивлении усилителя от флюктуаций эмиссионного тока при том или другом характере нагрузки, а также зависимость амплитуды на выходе выпрямителя от этих флюктуаций и от свойств усилителя, в частности от хода его частотной характеристики [242]. Результаты теории позволяют определить величину элементарного заряда в из измерений различных компонент дробового эффекта с неменьшей точностью, чем другие современные методы определения е. Метод определения амплитуды ка- [c.122]