Температура кристаллизации при постоянном перепаде Температур

Весьма интересным является замечание Эндрюса о том, что при больших значениях перепада температур между охлаждающей оболочкой и ячейкой с веществом кривая температура — время является практически кривой температура — количество отведенного тепла и метод обратного экстраполирования в этом случае будет давать точные результаты. Однако ему не удалось решить проблему уменьшения скорости кристаллизации при переходе к большим значениям перепада температур. Эта проблема была решена Россини [123] и Сталлом [179], что и позволило использовать значительные перепады температур для обеспечения постоянной скорости кристаллизации. [c.36]

Рис. 9. Общий вид кривой кристаллизации, полученной при обеспечении постоянного значения перепада температур между веществом и оболочкой.

Второй способ. Этот способ представляет собой дальнейшее развитие предложения Бэлла [57] и заключается в экстраполяции участка ЕР кривой кристаллизации, полученной в условиях практически постоянного перепада температур. В качестве иско мой температуры кристаллизации можно принять, в первом приближении, температуру, соответствующую точке пересечения экстраполируемой кривой с линией АС, представляющей охлаждение жидкого анализируемого вещества. Расхождение между определенным при экстраполяции значением температуры кристаллизации и истинным ее значением вызывается переохлаждением, которое, особенно при значительной его глубине, при- [c.37]

Б. Кривая кристаллизации получена при поддержании постоянной температуры охлаждающей оболочки и значительном перепаде температур между оболочкой и веществом. [c.46]

Была изучена зависимость концентрации натрия в пирамидах <г> и <с> от скорости роста и температуры кристаллизации. Анализ этих данных позволяет сделать следующее заключение снижение температуры выращивания и увеличение концентрации раствора при постоянной скорости роста способствуют повышению содержания примеси натрия в кристалле. При прочих равных условиях концентрация натрия в пирамиде <с> несколько выше, чем в пирамиде <г>. Для пирамиды <с> верхний предел концентрации примеси составляет 2-3- 10 %, что соответствует значениям скорости роста грани с порядка 2,0 мм/сут. Получение более высоких скоростей роста связано с трудностями принципиального характера. В высокотемпературной области происходит вырождение базисной плоскости. При умеренных и относительно низких температурах для достижения скоростей более 1 мм/сут необходимо создавать высокие температурные перепады, что ведет 118 [c.118]

Температура кристаллизации при постоянной температуре охлаждающей оболочки и большом перепаде температур [c.36]

Если измерения кривой кристаллизации производятся при постоянном перепаде температур, то увеличение энергии перемешивания, которое трудно предотвратить, приведет к уменьшению скорости кристаллизации и к погрешности при определении поправки на перемешивание, [c.56]

Рис. 18. Блок для измерения кривых кристаллизации в условиях поддержания постоянным перепада температур между веществом и охлаждающей оболочкой [26] ,

Установки с поддержанием постоянного перепада температур имеют преимущество при анализе веществ средней и низкой степени чистоты (менее 99 мол.%), так как изменение температуры кристаллизации для соединений такой степени чистоты приводит к заметным изменениям перепада температур в установках второго типа. Зато последние предпочтительнее при анализе высокочистых соединений. Изменение перепада температур вследствие изменения температуры кристаллизации в этих случаях незначительно. Кроме того, влияние изменения объема и образования характерного для высокочистых веществ кристаллического слоя на стенках ячейки для установок второго типа сказывается в меньшей степени, чем в установках первого типа. [c.63]

Ответственной стадией процесса является охлаждение мыльно-масляного расплава. Изменяя скорость охлаждения, можно значительно воздействовать на структуру, а следовательно, и на свойства смазок. Кристаллизация мыла, протекающая при охлаждении расплава, сопровождается образованием центров кристаллизации, ростом кристаллов и связыванием их друг с другом с образованием структурного каркаса смазки. В зависимости от типа и требуемого качества смазки охлаждение можно проводить с постоянным понижением температуры (медленно) или при резком перепаде температур (быстро) как в динамических, так и в статических условиях. При медленном охлаждении смазки в покое или перемешивании образуются крупные мыльные волокна, быстрое охлаждение способствует образованию мелких волокон. [c.255]

Если коммуникации, связывающие прослойки и Ад (см. рис. Х.24, в), перекрыты, то в каждой из прослоек в результате плавления или кристаллизации воды быстро установятся равновесные значения толщины (ро, Т ). Эти значения практически постоянны вдоль прослоек, если можно пренебречь гидродинамическим сопротивлением прослоек по сравнению с сопротивлением коммуникаций. В этом случае установится стационарный массообмен между прослойками под действием наложенного перепада температуры А Г и возникающей в соответствии с уравнениями (Х.112) и (Х.114) разности давлений, которую в уравнениях (Х.116), (Х.117) и (Х.121) можно в силу (Х.114) заменить равной ей разностью расклинивающих давлений [c.343]

Усилению напряжений способствуют различия в коэффициентах термического расширения молибденового контейнера и кристалла, а также неравномерность его охлаждения за счет теплоотвода через контейнер и сквозь массу прозрачного для инфракрасных лучей кристалла. Неравномерность распределения температур по кристаллу вызывает неодинаковое тепловое расширение различных его участков, их упругое взаимодействие и, как следствие, возникновение в кристалле напряжений. Неравномерность температурного поля при выращивании кристаллов методом ГНК исследовалась при синтезе рубина и лейкосапфира [5]. Оказалось, что вблизи фронта кристаллизации температурный градиент в кристалле составляет 6—7 К/см, В пяти сантиметрах от фронта кристаллизации температурный градиент возрастает до 19—21 К/см и остается постоянным на протяжении 10 см. Общий перепад температур достигает 250 К. Вероятно, эта цифра действительна и для монокристаллов граната, выращиваемых методом ГНК. [c.184]

При относительно невысоком температурном коэффициенте растворимости (0,01-0,1 г/(л-град)) независимо от абсолютной величины растворимости предпочтительнее методы кристаллизации за счет перепада температуры. Эти методы обеспечивают длительный непрерывный рост кристаллов в одной части кристаллизатора за счет постоянного растворения вещества в другой его части. Методы единовременного охлаждения здесь мало пригодны, поскольку для выделения из раствора заметных количеств вещества требуется охлаждение в большом температурном интервале. [c.31]

Процесс кристаллизации продолжается 3-4 ч с постоянным понижением температуры в трех кристаллизаторах от 40-50 до 30 °С (перепад температуры в каждом аппарате не более 5-7 °С). Пульпа поступает на центрифугу типа АГ-1800-ЗН. Общее время цикла составляет 12 мин (загрузка 6, отжим 5, выгрузка 1 мин). Сушку пиросульфита во избежание его окисления и разложения ведут очень быстро, в течение секунд. Для этой цели применяют трубу-сушилку. Успешная сушка пиросульфита, содержащего 8-10% влаги, протекает при температуре теплоносителя 350-400 °С, концентрация продукта [c.93]

Чтобы свести к минимуму влияние изменения температуры кристаллизующегося вещества на перепад температур между веществом и охлаждающей оболочкой, можно установить температуру оболочки постоянной, но такой, что перепад температур значительно превышает возможное изменение температуры вещества при кристаллизации. Однако при этом возникает другая проблема значительное увеличение скорости кристаллизации, которое приведет к нарушению одного из условий криометрического метода — обеспечение термодинамического равновесия в процессе кристаллизации. Установление небольшого перепада температур будет способствовать лучшему приближению к термодинамическому равновесию, но, в свою очередь, в этих условиях скорость кристаллизации будет изменяться вследствие изменения перепада температур по мере кристаллизации вещества. Выходом из создавшейся ситуации может быть [c.32]

Температура кристаллизации при постоянном перепаде температур [c.40]

Практически для поддержания постоянной скорости кристаллизации эксперимент осуществляют при неизменном перепаде температур между охлаждающей оболочкой и веществом. Если условия теплообмена не изменяются, то тепловой поток от вещества к оболочке будет постоянным. При анализе высокочистых веществ, когда изменение температуры кристаллизации от начального момента кристаллизации и до момента времени, которому соответствует доля жидкой фазы 0,3, составляет не более сотой градуса, изменением перепада температур (- -бОХ) можно пренебречь. [c.57]

Если образец имеет чистоту всего 99 мол.%, то изменение перепада температур в процессе кристаллизации может составить уже более 1%. Поэтому для веществ средней и тем более низкой степени чистоты использование ячеек с постоянной температурой охлаждающей оболочки приводит к значительным изменениям перепада температур, а, следовательно, и теплового Потока. Анализ таких соединений лучше проводить с использованием аппаратуры, в которой температурный перепад поддерживается постоянным в течение всего опыта [205, 206]. [c.57]

В установках второго типа, где создается большой перепад температур (не менее 50 °С), изменением температуры в течение кристаллизации можно пренебречь. При этом, как и в клас сическом методе Бекмана, температура охлаждающей оболочки поддерживается постоянной. Однако для обеспечения в этих [c.63]

Перепад температуры в печи во время опыта поддерживался постоянным, выдержка составляла от 1 до 6 часов. Визуальный осмотр показал, что почти для всех стекол характерен плавный переход от прозрачного состояния к белому, фарфоровидному. Промежуточными стадиями были — появление опалесценции и, у ряда стекол в области сравнительно невысоких температур (600—700° С), наличие поверхностного, сильно растрескавшегося слоя толщиной около 1 мм, более мутного, чем основное стекло. В зависимости от состава интенсивность кристаллизации, а также температура ее начала резко менялись. Изменение температуры начала кристаллизации лежало в интервале 500—800° С. [c.168]

Если в методе кривых кристаллизации приближение к термодинамическому равновесию осуществляется интенсивным пере-мещиванием, то в методах кривых плавления эта проблема решается одним из следующих способов 1) вещество распределяется в виде тонкого слоя вокруг термоприемника 2) используется очень небольшой объем вещества, так что перепадом температур в этом объеме можно пренебречь. При этом, как правило, в первом случае кривую плавления получают в условиях поддержания постоянного теплового потока в течение всего опыта, во втором — в условиях линейного возрастания температуры нагревательного блока. [c.86]

Обеспечение непрерывного роста кристаллов с постоянной скоростью и увеличения размеров монокристаллов при кристаллизации из раствора в расплаве ВаО — В2О3 может быть достигнуто вытягиванием затравочного кристалла, т. е. применением комбинированного способа, включающего методы Чохральского и раствор-расплавпый. При использовании такого метода выращивание происходит примерно при 1100°С. Перепад температуры по глубине раствора-расплава составляет около 50°С. В таких условиях при частоте вращения кристаллодержателя приблизительно 200 об/мин непрерывный рост кристаллов [c.158]

Вариант 2. Первоначально перепад температуры создается не по всей высоте тигля, а только в нижней его части высотой h. Выще этой части температура поддерживается постоянной, а в дальнейшем при перемещении холодильника вверх и уменьшении мощностей нагревателей зона с постоянным градиентом температуры передвигается вверх (см. рис. 11, б). В этом случае при тех же значениях скорости движения фронта кристаллизации скорость охлаждения печи может быть увеличена в Hjh раз. Например, при h = 30 см dtldx--=, 2—2,5 °С/сут. [c.34]