Изменение валентности примесных ионов

Изменение валентности примесных ионов 521 [c.521]

ХУП.З. ИЗМЕНЕНИЕ ВАЛЕНТНОСТИ ПРИМЕСНЫХ ИОНОВ [c.521]

Изменение строения границы раздела фаз при агрегации примесей воды. При этом может происходить поверхностная диссоциация примесного вещества за счет изменения pH и ЕЬ ионный обмен на поверхности раздела за счет изменения концентрации ионов Н+ и ОН в растворе изменение валентного состояния ионов на поверхности раздела образование нерастворимых соединений с ионами, входящими во внутреннюю и внешнюю обкладки ДЭС по схеме, описанной в вышеприведенных пунктах. [c.88]

В разделе XVI.3 уже говорилось о том, что если примесный ион создает уровни внутри запрещенной зоны, то степень занятости этих уровней электронами может изменяться в результате повышения или понижения уровня Ферми. Последнее в свою очередь можно достичь изменением условий приготовления, в частности изменяя давление одного из компонентов основного кристалла. Это означает, что возможно изменение валентности атомов (ионов) примеси. [c.521]

Мы видели, что вакансии могут образовываться при введении в кристалл примесных атомов. Такие добавки могут также вызывать изменения валентности контролируемого числа ионов в решетке самого кристалла, если химическая природа этого кристалла такова, [c.58]

Соляризация, т. е. появление или изменение окраски стекла под влиянием солнечной радиации, обусловлена переносом электронов между ионами переменной валентности. Например, стекло, обесцвеченное окисью марганца,, после длительного облучения солнечным светом приобретает красноватую окраску. В данном случае световой квант отрывает от иона марганца электрон, который захватывается примесным ионом железа. [c.208]

Было бы интересно провести дальнейшее изучение явлений этого типа. Как нетрудно показать с помощью расчетов, аналогичных тем, на основании которых построен рис. XVI.34, давление кислорода, при котором происходит изменение валентности (или, другими словами, окислительно-восстановительный потенциал ), зависит как от энергии образования собственных дефектов, так и от положения энергетических уровней атомов примеси. Последнее определяется такими характеристиками, как энергия ионизации свободного иона, потенциал Маделунга в месте решетки, занятом примесным атомом, и способом встраивания ионов разной валентности в решетку. Это в свою очередь зависит от размера и формы ионов или, более точно, от волновых функций внешних электронов и характера их изменений под влиянием окружающего кристалла (теория кристаллического поля) [1781. [c.511]

Степень изменения валентности ионов примеси зависит от относительного расположения энергетических уровней примесных атомов и собственных доноров и акцепторов. Более подробно этот вопрос рассмотрен в разделе XVI. 13. [c.522]

Реальная структура М. отличается от идеальной наличием де4)ектов (вакансии в отдельных узлах кристаллич. решетки, примесные атомы или ионы в узлах или между узлами, изменение валентности у части ионов) и дислокаций. Упорядочение вакансий можег приводить к увеличению одного из параметров элементарной ячейки. Для слоистых М, (слюды, графит, молибденит и др.) характерна политипия, при к-рой пронсходит небольшой сдвиг слоев (пакетов) относительно друг друга с изменением периодичности в их чередовании. В результате разл. политипы одного М, отличаются друг от др>га параметрами вдоль одной из осей (причем эти параметры кратны одной и той же величине). При этом может происходить изменение вида симметрии элементарной ячейки вплоть до изменения сингонии. Однако существ, перестройки структуры, как при поли.морфизме, не происходит. [c.86]

В гл. 1 (см. раздел 1.6) было показано, что изменение зарядовых состояний примесных центров может быть описано при использовании эффективных зарядов с помощью уравнений квазихимических реакций, одинаковых для кристаллов как с валентной связью (полупроводников), так и с ионной. Поэтому в данном разделе мы исследуем роль примесей в общем случае нестехиометрического бинарного соединения МХ г б С произвольным (но не металлическим) типом связи, включающем в себя как частные случаи полупроводники и ионные кристаллы. Как и в разделах 4.2 и 5.2, будем считать, что примесные ионы размещаются в узлах катионной подрещетки с образованием дефектов замещения донорного или акцепторного типа. [c.159]

Случаи изменения валентности не ограничиваются только примесными атомами — изменять свою валентность могут и нормальные компоненты кристалла. В чистом соединении такие изменения связаны с отклонением от стехиометрии (см. разд.1.2.2.). Как и ранее, указанные изменения можно усилить или уменьшить, вводя подходящие легирующие добавки. Например, в результате выращивания кристаллов СоРег04 из расплава при нормальных условиях (нагревание на воздухе или в атмосфере кислорода) получаются частично восстановленные кристаллы, содержащие некоторое количество ионов двухвалентного железа. Введение Ni значительно уменьшает концентрацию этих ионов [c.510]

Полупроводниковые кристаллы-активные среды полупроводниковых лазеров. Излучение в них генерируется в результате переходов между энергетич. уровнями зоны проводимости и валентной зоны. Иссюльзуют [юлу-проводники типа А В , А "В , А В . Активные элементы изготовляют из монокристаллов (напр., dS, GaAs, InAs, PbS), содержащих в своем объеме области, для к-рых характерен электронно-дырочный переход (р - и-переход), и из кристаллич. гетероструктур, образованных чередованием кристаллич. слоев, различающихся по хим. составу, но имеющих одинаковый период кристаллич. решетки. Наиб, распространены гетероструктуры, образованные слоями полупроводников типа А "В на основе арсенидов, фосфидов, антимонидов Ga и А1 и их твердых р-ров. Гетероструктуры получают также на основе многокомпонентных (тройных и более) твердых р-ров замещения (напр., Al,Ga, As), в к-рых при изменении состава в широких пределах период решетки не меняется. Полупроводниковые монокристаллы [юлучают из особо чистых исходных в-в кристаллизацией из расплавов (метод Чохральского, горизонтально направленная или зонная кристаллизация в контейнере, бестигельная зонная плавка) и эпитаксиальным выращиванием тонких кристаллич. слоев при кристаллизации из газовой фазы или расплавов твердых р-ров. Необходимые характеристики достигаются введением примесей в расплав или методом ионного внедрения примесных атомов. В качестве легирующих примесей используют, напр., элементы П (Zn, d, Mg акцепторы электронов), IV, VI (Sn, Те, Se, S доноры) групп. Благодаря разнообразию полупроводниковых кристаллов созданы лазеры, излучающие в диапазоне длин волн 0,3-30 мкм, обладающие малой инерционностью ( 10 с) и высоким кпд (до 50%), работающие как в импульсном, так и в непрерывном режиме (мощности 10 Вт при длительности импульса 3 НС и 10 Вт соответственно). Лучевая прочность полупроводниковых Л. м. ограничивает выходную мощность лазеров. [c.566]

Используя общую ЗС (ОЗС) кластера, была установлена 25] корреляция зависимости изменения ОЗС и растворимости п в а-сиалоне от ионного радиуса Л(Ьп), рис. 5.5. Анализ отдельных межатомных связей показал, что введение в меж-дуузлие сопровождается двумя противоположными эффектами 1) ростом ЗС 81—N и 2) возникновением антисвязывающих состояний примеси с ближним окружением. Первый эффект относят за счет донорного действия примеси, когда внешние электроны лантанида, внедряющегося в матрицу в виде трехзарядного катиона, распределяются между связями 81—М, усиливая последние. Возникновение антисвязывающих состояний Ьп —81, N объясняют [25] репульсивным характером взаимодействия остовных (55,5р)- и (б5,6р)-оболочек примесного катиона с валентными электронами 81 и N. Примечательно, что величина антисвязывающих состояний в направлении связи Ьп—81 (длина связи -2,88 А) заметно меньше, чем для более коротких связей Ьп—N (-2,56 А), рис. 5.5. [c.99]

В ИК-спектрах, но не в спектрах комбинационного рассеяния появляются новые валентные колебания, отвечающие связям между катионом и молекулой растворителя (см. предыдущие ссылки, а также [128а, 256, 372а, 406, 586, 690а, 843]), В одном случае было показано, что изменение поляризуемости для этого колебания должно составлять не более 10% от изменения поляризуемости, характерного для типичной ковалентной связи С—С1, так что связь между металлом и растворителем предполагается в основном электростатической. Существенная зависимость частоты этого колебания от давления сближает его с колебаниями решетки, а не с внутренними колебательными модами в спектрах кристаллов. Движение можно описать как колебание М+ в клетке растворителя (и, может быть, анионов) по типу примесных центров в ионных кристаллах при фононных возбуждениях [256]. [c.304]

Справочник химика 21

Химия и химическая технология