Маделунга потенциал

Осаждение на поверхности ионов различной концентрации и с разными валентными характеристиками может повысить или понизить кислотность и основность центров. Введение на поверхность алюмосиликата ионов Ы" ", Ыа" " (и, возможно, Mg) приводит к обмену с протоном из ОН -группы (кислотность уменьшается). Далее, связанный с ионом решетки ион натрия (или магния) индуцирует на кислороде отрицательный заряд, уменьшает потенциал Маделунга в соседнем центре, где находится связанная с катионом ОН -группа, и тем самым облегчает уход иона ОН с данного участка поверхности. Видимо, это особенно будет проявляться при обработке наполнителя ЫаР. [c.46]

Возможны, однако, отступления даже от симбатности хода изменения значений д и Д св, так как существенное влияние на химический сдвиг оказывает величина АУ (VII.2), поэтому правильнее последовательно проводить корреляцию заряда с величиной Д св—Д . Разделение суммарного химического сдвига на вклады от эффективного заряда и от потенциала Маделунга имеет смысл прежде всего для ионных соединений. В молекулах сдвиги коррелируют с молекулярным электростатическим потенциалом, который в отличие от эффективного заряда является не условной, а измеряемой физической величиной. [c.158]

Величина электрона внутр. оболочки атома А в хим. соединениях зависит от эффективного заряда на этом атоме и электростатич. потенциала I/, создаваемого всеми др. атомами соединения (т. наз. потенциала Маделунга) = /сд д + /, где Л-коэф. пропорциональности. [c.245]

Кислотно-основные свойства поверхности можно прогнозировать по модели Маделунга, учитывающей преимущественно ионную составляющую связи, или по значению парциального заряда. Качественно оба эти подхода согласуются. По модели Маделунга в ряду веществ с общим анионом поверхность с более кислотными свойствами будет формироваться для катионов с большим значением потенциала ионизации /. [c.46]

Из табл. 25 видно, что константа Маделунга увеличивает потенциал сил притяжения в 1,5 и более раз. Уменьшение координационного числа сопровождается (при данной стехиометриче-ской формуле) уменьшением константы Маделунга, так как уменьшается число партнеров в первой координационной, сфере, влияние числа которых очень важно. [c.114]

Ион N3+ из МаОН обменивается с протоном — кислотность уменьшается. Ион натрия, связанный с решеткой индуцирует избыточный заряд на кислороде, уменьшает потенциал Маделунга на соседнем центре, на котором находится ион ОН", которому становится легче покинуть поверхность [72]. [c.47]

Конкуренция ионной и атомной структур решается в пользу той или иной не только в зависимости от заряда ионов, ионизационных потенциалов и сродства к электрону, размеров ионов, но и потенциала сил отталкивания, от константы Маделунга, которая определяется структурой кристалла и координационным числом. [c.116]

Предельные ситуации этого уравнения [157], определяемые главным образом относительными величинами а —аь и кулоновским членом, и являются теоретическим выражением концепции ЖМКО. Если а у а ft, т. е. когда орбиталь акцептора имеет низкий ионизационный потенциал и, таким образом, лежит около континуума, последний член уравнения становится очень малым и энергия взаимодействия АЕр определяется в основном первым членом, т. е. кулоновской энергией (энергия Маделунга) при этом имеет место лишь очень небольшой перенос заряда. Такой случай взаимодействия сильно электроотрицательного и сильно электроположительного элементов обозначают как реакцию, контролируемую зарядом. Это соответствует взаимодействию жесткий — жесткий в теории ЖМКО. [c.231]

I, Г, II и III на расстоянии от кислорода каркаса, равном сумме ионных радиусов. Для построенной таким образом модели он рассчитал зависимость потенциала Маделунга от радиуса одно-, двух- и трехзарядных катионов в каркасах с соотношением 81/А1, равным 1 и 2, для которых [c.68]

Здесь А — константа Маделунга Хо — межатомное расстояние п — постоянная Борна, характеризующая потенциал сил отталкивания Л о — число атомов в кристалле. Оценка постоянной п дается соотношением [c.14]

Для однозарядных катионов с небольшим радиусом места III имеют самый высокий потенциал Маделунга, места II — самый низкий и места [c.69]

Здесь приняты следующие обозначения ос — постоянная Маделунга, Гц — минимальное расстояние между анионом и катионом в кристалле, Е — сродство электрона к атому галогена и / — потенциал ионизации атома металла. [c.86]

Возможность существования поверхностных состояний была впервые рассмотрена Таммом [1], который пришел к выводу, что соответствующие им уровни лежат в запрещенной зоне. Можно предположить, что эти поверхностные состояния возникают различными путями. Они могут включать в себя уровни, получающиеся из сложных атомных уровней [2], уровни, образующиеся вследствие изменения потенциала Маделунга в поверхностной области [3] и вследствие присутствия адсорбированных веществ [4], и уровни, связанные с такими обычными поверхностными нарушениями, как трещины Смекала, спиральные дислокации и другие дефекты. Особенности уровней Тамма были теоретически рассмотрены многими авторами [5]. Предполагается, что число локализованных поверхностных состояний может соответствовать числу поверхностных атомов. Энергетические уровни, соответствующие этим поверхностным состояниям, могут быть или дискретными, или равномерно распределенными по всему промежутку между заполненной зоной и зоной проводимости. Последнего можно ожидать при высоких концентрациях примеси. Бардин [5] утверждает, что, если плотность поверхностных состояний достаточно велика (больше 10 ш ), на свободной поверхности может образоваться двойной электрический слой, возникающий вследствие поверхностного заряда, вызванного электронами, находящимися в этих состояниях. Этот заряд будет индуцировать объемный заряд противоположного знака, распространяющийся примерно на 10 см внутрь кристалла. Согласно Бардину, это приводит к независимости работы выхода электрона для таких веществ от высоты уровня Ферми внутри материала и, следовательно, к независимости ее от содержания примесей в объеме. Этот постулат распространяется и на поверхности раздела металл — полупроводник. В данном случае металл стремится расширить поверхностные состояния полупроводника. Однако, когда это расширение мало по сравнению с шириной запрещенной зоны, пространственный заряд полупро-водника не зависит от металла. В тех случаях, когда расширение значительно по сравнению с запрещенной полосой, не может быть сделано никаких выводов. [c.168]

Рассмотрим теперь зависимость св атомов анионов от поло)-жения катиона в Периодической системе. Как видно из табл. 2.8 [132] и 2.9, [80, 81], величины FIs и Ois систематически уменьшаются для соединений с высшей степенью окисления непереходного элемента при переходе сверху вниз и справа налево в Периодической системе элементов. Это уменьшение отчасти связано с ростом ионности связи и увеличением отрицательного заряда на атомах F и О. Существенную роль в уменьшении значений Fis и Ois играет также и потенциал Маделунга (см. разд. 2.2.2). [c.40]

Влияние потенциала Маделунга и потенциала вблизи ядра атома [c.51]

Разделение химического сдвига на вклады от эффективного заряда и от потенциала Маделунга, по-видимому, имеет смысл преимущественно для ионных соединений типа NaF, КСЧ и т. п. Действительно, в ряду MF (где M = Li, Na, К, Rb, s) заряд F во всех солях не отличается существенно от —1, а различия в потенциале Маделунга достигают нескольких электрон-вольт. [c.52]

Описание конкретных структур заменяется в кристаллохимий описанием структурных типов, поскольку конкретные структуры, принадлежащие одному типу, отличаются друг от друга лишь линейными размерами осевых трансляций решетки и величинами тех осевых углов, которые заданы в определении кристаллической системы как скользящие. В основу описания структурного типа положены координационное число и координационный полиэдр как основные характеристики пространственной организации структуры, а также типичная плоская сетка с наивысшей ретикулярной плотностью заполнения Lhhi как основная энергетическая характеристика структуры. Потенциал взаимодействия такой сетки составляет более 90 % потенциала взаимодействия решетки, описываемого константой Маделунга. Размерный фактор привлекается к этому описанию как определяющий характер замещения пор в укладках основных (больших) частиц структуры. В кристаллах металлической связи при описании структурного типа указывают электронную концентрацию в качестве характеристики взаимодействия электронного газа с остовами атомов решетки. В стандартном описании структурного типа указывают также пространственную группу, число занятых в элементарной ячейке узлов и базис. Каждому структурному типу присваивается символ. [c.109]

Внешняя оболочка иона хлора имеет электронную конфигурацию сродство к электрону атома хлора равно 3,8 эв. Внешняя заполненная оболочка иона калия также имеет конфигурацию Зз р , а наиболее близкой к ядру незанятой оболочкой является Аз. Потенциал ионизации атома калия равен 4,32 эв, а потенциал ионизации иона калия составляет около 30 эв. Исходя из этих данных и принимая, что энергия кристаллической решетки по Маделунгу равна 8 эв, можно составить таблицу энергетических уровней (табл. 4.1). [c.132]

Рис. 1-31. Зависимость потенциала Маделунга (в условных единицах) от радиуса двухзарядных катионов [I29j.

Существенную проблему метода ППВ составляет выбор радиуса ППВ-сфер и нахождение потенциала V в этих сферах. В большинстве случаев за этот потенциал принимают атомный потенциал, к которому (обычно для ионных кристаллов) добавляется потенциал окружающих атомов, например, в виде маделун-говского потенциала решетки MZ R [64], где Ж — константа Маделунга, Z — эффективный заряд, R — кратчайшее межатомное расстояние. При этом чаще всего атомный потенциал рассчитываетс.ч пз хартри-фоковских атомных функций по Герману — Скиллману [9], а обменная часть потенциала берется в впде слейтеровского р / -потенциала д.тя электронного газа [8]. [c.70]

Потенциал Маделунга, рассчитанный в ионном приближении, может достигать нескольких десятков электроц-вольт [166]. Даже с учетом эффективных зарядов расчеты дают значение около десяти электрон-вольт, причем различие значений мад в химических соединениях составляет несколько электрон-вольт. Все это указывает на необходимость учета этой величины при количественных расчетах АЕс . Следует подчеркнуть, что разделение энергии связи на две составляющие кд и Емад является несколько формальным, поскольку эквивалентно разделению электронной плотности между атомами в молекуле. В зависимости от того, где проведена граница между атомами, замет но изменяются величины д и Емад. При расчете Есв нет необходимости проводить такое разделение, и в самосогласованных неэмпирических расчетах величины д и мад отсутствуют (если их специально не рассчитывают в рамках какого-нибудь определения). В связи с этим часто оказывается полезным рассматривать члены кд+Ем.ая совместно. Как ясно из предыдущего анализа, эта величина представляет собой потенциал Уа, создаваемый всеми ядрами и электронами молекулы вблизи ядра изучаемого атома А. Такой подход к интерпретации величин Есв был развит в работах [167, 168]- Обычно значения ДУд хорошо согласуются со значениями АЕсв [c.51]

Сдвиг линии лиганда в зависимости от М должен симбатно изменяться с обратной величиной среднего межатомного расстояния металл — лиганд 1/гм-лиг. Сравнительно большой размер ионов или атомов В1, Hg, Pb способствует уменьшению ве с личины 1/г, а тем самым и уменьшению энергий связи лигандов. Физически это связано, в частности, с влиянием потенциала Маделунга на сдв1иг рентгеноэлектронной линии. [c.92]

Поскольку потенциал Маделунга и отчасти энергия релаксации изменяются различным образом для атомов в молекуле при переходе газ — твердое тело, разность энергий линий разных атомов в твердом теле и газе также могут быть различными, хотя начало отсчета при сравнении разностей не имеет зна -чения. Эти различия могут достигать существенных, значений. Например, в твердом СРзСССРз разность энергий С15(СРз) — С115(СС) равна 6,3 эВ, а в газе эта разность равна 7,23 эВ [640]. [c.129]

Энергии орбиталей, как теоретические, так и экспериментальные, для ионных твердых веществ получаются с большим трудом, чем для газообразных молекул, а расчеты по методу ССП изолированного иона rOj " дают положительные собственные значения для многих занятых орбиталей [51а]. Поэтому такие электроны не должны быть связаны. Это согласуется с наблюдением, что однозарядный анион не может экзоэнергетически связывать другой электрон. В твердом состоянии, например в КаСгО 4, электроны должны связываться из-за положительного потенциала, создаваемого катионами. Для получения абсолютной величины энергии связывания (энергии орбитали) необходим расчет потенциала Маделунга бесконечной последовательности катионов и анионов. [c.271]

С экспериментальной точки зрения фотоэлектронную спектроскопию нельзя использовать для изолированных твердых тел. Однако можно использовать рентгеновскую фотоэлектронную спектроскопию (ЭСХА). Разрешение здесь невелико, по можно измерять кинетическую энергию электронов, выбитых из валентной оболочки [153]. Однако энергии связей не являются абсолютными величинами, они относятся к уровню Ферми твердого тела. По-видимр-му, измерение функций работы выхода для твердого тела должно давать возможность для расчета абсолютных величин. При этом остается еще для рассмотрения проблема потенциала Маделунга. [c.271]

Справочник химика 21

Химия и химическая технология