Кадмий антимонид

ВИСМУТА, СВИНЦА, ОЛОВА И КАДМИЯ В АНТИМОНИДЕ ИНДИЯ i [c.201]

Теллурид кадмия Арсенид галлия Фосфид индия Антимонид индия [c.210]

Антимонид индия. Синтез антимонидов не представляет таких трудностей, как синтез арсенидов и фосфидов. Так как компоненты антимонидов малолетучи и температура плавления относительно невысока, эти соединения могут быть получены простым сплавлением компонентов. В качестве материала тигля (лодочки) обычно применяют графит, графитизированный кварц или корунд. Сплавление проводится в защитной нейтральной атмосфере аргона или водорода. Иногда ведут синтез в вакууме. При этом теряется часть сурьмы из-за ее большой летучести. Но с этим мирятся ради удаления некоторых летучих примесей, таких, как цинк и кадмий. Нарушение стехиометрии не опасно, так как избыточный компонент удаляется при кристаллофизической очистке [ 137, 138]. [c.206]

АНТИМОНИДЫ (стибниды), соединения ЗЬ с металлами. Крист, многие обладают полупроводниковыми св-вами, А. щел. металлов разлаг. водой, щел.-зем.—разбавл. к-тами, все остальные разлаг.концентриров.к-тами и царской водкой, Получ. сплавлением элементов в вакууме или инертной атмосфере. См., напр.. Алюминия антимонид, Индия антимо-нид, Кадмия антимонид, Динка антимонид, [c.50]

Интересным и практически важным результатом, полученным при исследовании серого олова, явилось установление возможности заражения белого олова не только серым оловом, как это было известно раньше, но и теллуристым кадмием и антимонидом индия — веществами, в то время совершенно неизвестными в качестве полупроводников. [c.80]

Выращивание из расплава явилось, например, основным путем для производства монокристаллов германия и кремния. Выращивание из раствора в А1, Оа или 1п — для получения фосфидов, арсенидов и антимонидов этих металлов наряду с выращиванием из пара и т. п. Синтез из пара — для производства монокристаллов сульфида или селенида кадмия и др. [c.442]

КАДМИЯ АНТИМОНИД dSb, серые крист. л 456 °С в воде и орг. р-рителях не раств. Получ. сплавлением элементов. Полупроводниковый материал для термоэлектрич. приборов и фотометров. [c.230]

В настоящее время резко возрос интерес химиков к определению малых количеств примесей в чистых веществах. Это связано с организацией и развитием атомной промышленности, которой необходимы сверхчистые уран, торий, бериллий, цирконий, ниобий и др. металлы. Еще более чистые вещества потребовались в электронике и электротехнике (германий и кремний, селен и селени-ды, арсенид галлия, антимонид сурьмы, фосфиды индия и галлия). Для изготовления лазеров нужны чистый рубидий и редкоземельные элементы. Новая техника нуждается также в высокочистых хлориде и бромиде кадмия, фторидах лития и кальция, иодиде калия, бромиде и иодиде индия, цезии высокой чистоты, гидриде цезия и др. Стали существенно более чистыми материалы, с которыми работают в промышленности химических реактивов, в черной и цветной металлургии при производстве жаропрочных и химически стойких сплавов и т. д. [c.9]

КАДМИЯ АНТИМОНИД dSb, серые кристаллы с металлич. блеском, решетка ромбическая а = 0,6471 им, Ь = = 0,8253 нм, с = 0,8526 нм, z = 8, пространств, группа Пса), т. пл. 456 °С плотн. 6,78 г м С° 45,75 Дж/(моль-К) [c.281]

Селениды и теллуриды кадмия и ртути — важнейшие полупроводниковые соединения группы С азотом элементы подгруппы цинка непосредственно не взаимодействуют. Нитриды ЭзЫа неустойчивы и разлагаются водой. Остальные пниктогениды получают синтезом из элементов. Кроме Э Ра известны дифосфиды цинка и кадмия 2пР2 и СбРг, а также С(1Р4. Все пниктогениды цинка и кадмия, вплоть до антимонидов, являются интересными полупроводниковыми соединениями группы А В . [c.136]

Антимонид галлия. Компоненты антимонида галлия не обладают высоким давлением пара, поэтому его получают, сплавляя Оа и 5Ь в атмосфере водорода или аргона. Для очистки от летучих примесей (цинка, кадмия и т. п.) антимонид после синтеза подвергают вакуумной термообработке при 800° и остаточном давлении 10 мм рт. ст. в течение 2 ч. При этом теряется некоторое количество сурьмы за счет испарения для компенсации при синтезе берут избыток сурьмы примерно 5% против стехиометрии. [c.276]

Коэффициенты распределения примесей в антимониде индия приведены в табл. 39. У антимонида индия, ка и у аналогичного галлиевого соединения, сильно выражен эффект грани. Для большинства примесей фасеточное отношение больше единицы. Особенно велико оно у теллура ( 7,4), селена (- 5,8), олов (3,85), кадмия (3,3). [c.323]

Применение. Из рассеянных редких металлов меньше всего используется галлий. Вследствие низкой температуры плавления (29,8 °С)-и высокой температуры кипения (2230 °С) металл предложено использовать для изготовления высокотемпературных термометров. Легкоплавкие (<60°С) сплавы галлия с рядом металлов (висмутом, кадмием, свинцом, цинком, индием, таллием) могут быть использованьг в сигнальных устройствах. В последнее время галлий находит применение для получения полупроводниковых соединений — арсенида, фосфида, антимонида галлия. Галлиевые оптические стекла характеризуются высокой отражательной способностью. Сплавы, содержащие галлий, предложено применять в зубоврачебной практике. [c.212]

Соли кадмия также широко применяют в медицине, в стеклоделии, в фотографии, в производстве люминофоров и силиконовых каучуков, в качестве катализаторов в органическом синтезе, а также красок различных цветов (от цвета слоновой кости до малинового). Антимониды, арсениды, селениды, сульфиды и теллуриды кадмия (для синтеза используют 99,99999%-ный d) обладают полупроводниковыми свойствами и применяются в фотоэлектрических и электронно-оптических приборах, — в качестве материала для фототранзисторов и фотоэлементов [456, стр. 76]. [c.13]

Развитие полупроводниковой техники привело к созданию малогабаритных терморезисторов, которые в сочетании с глубоким охлаждением позволяют получить высокую чувствительность, быстродействие и увеличить К- К таким преобразователям относятся фоторезисторы на основе антимонида индия и германия, легированного различными металлами (см. табл. 5.6), и полупроводники типа кадмий — ртуть — теллур . Постоянная времени для этих фоторезисторов уменьшается при более глубоком охлаждении от 1 МКС (77 К) до 0,01 МКС (4,2 К). [c.183]

Поступление, распределение и выведение из организма. Поступление И. в организм может иметь место при процессах получения концентрированных растворов И., его цементации, переплавки, рафинирования и электролиза возможно воздействие на организм работающих паров солей И. в производствах, где И. используется в технологии получения металлокерамических изделий (Походзей). Возможно и воздействие растворов сульфата, хлорида и других соединений И. Например, при цементации индиевой губки из растворов солей, извлечении катода из электролита, очистке катода и анода и др., соединения И. могут загрязнять одежду, кожные покровы и слизистые. Загрязнение кожи рук, курение и прием пищи на рабочем месте могут приводить к попаданию этих веществ в пищеварительный тракт. Возможность ингаляционного воздействия соединений И. в условиях производства встречается реже, в основном при операциях получения и обработки солей (хлоридов, сульфатов, нитратов И.) и полупроводниковых сплавов металла (антимонид, арсенид, фосфид И.). Опасность ингаляционного воздействия незначительных примесей И. в составе смешанной пыли, образующейся при процессах пирометаллургического извлечения металла, относительно невелика, в этих случаях большее гигиеническое значение имеют основные компоненты этой пылевой смеси (цинк, свинец, кадмий). Возможность ингаляционного воздействия паров расплавленных металлов не очень значительна благодаря низкому давлению паров И. даже при температурах выше 1000 °С (а плавка его производится при более низких температурах и под слоем флюса). Частой формой возможного [c.234]

Особое положение среди сплавов с сурьмой занимают антимониды индия, галлия, алюминия, кобальта, цинка, теллура, кадмия, кальция, ртути, хрома, железа, цезия, калия и натрия, обладающие полупровод-никовымп свойствами. Наибольший интерес представляет антимонид индия, имеющий наибольшую величину подвижности носителей среди всех известных полупроводниковых материалов. [c.291]

Для очистки антимонидов широко используется метод зонной плавки [105]. Применяется обычно горизонтальная зонная плавка в лодочке, так как вертикальная бестигельная зонная плавка затруднена из-за большой плотности соединений и недостаточного поверхностного натяжения. Коэффициенты распределения примесей в антимониде индия приведены в табл. 11 (стр. 173). К числу трудно-удаляемых примесей в антимониде индия относятся теллур, галлий, мышьяк, а также цинк и кадмий. Удаление цинка и кадмия при зонной плавке затрудняется их летучестью они могут конденсироваться на более холодных частях трубки и слитка и вновь испаряться при прохождении горячей зоны. Для их удаления предложен метод вакуумной плавки с длительной выдержкой — до 5 ч [199, 200]. При этом, кроме летучих примесей, возгоняется некоторое количество сурьмы. Последующая зонная плавка (20 проходов со скоростью 5 мм ч), проводимая в этом же аппарате в атмосфере чистого водорода, позволяет удалить избыточный индий вместе с другими примесями [199]. [c.206]

Антимонид. Так как антимонид обладает ничтожно малым давлением диссоциации и плавится при сравнительно низкой температуре, его синтезируют, сплавляя компоненты в атмосфере аргона или водорода. Контейнеры (тигли, лодочки) для антимонида индия делают из кварца. Чтобы антимонид меньше прилипал, кварц иногда подвергают пескоструйной обработке или графитизации. Прилипание вызывается присутствием в расплаве окислов индия или сурьмы, образующих с кварцем легкоплавкие соединения. Удаляют окислы, выливая расплав антимонида после синтеза через маленькое отверстие в стенке ампулы. После синтеза антимонид иногда подвергают вакуумной обработке для очистки от летучих примесей (цинка, кадмия и др.), плохо удаляющихся при зонной плавке. Процесс ведут при 700—800° и давлении 10 мм рт. ст. 5—6 ч, перемешивая расплав магнитным полем. [c.323]

В работах В. Н. Вигдоровича с сотр. были исследованы периодические зависимости коэффициентов распределения примесей в металлах 1медь, серебро и золото [20], цинк и кадмий [21], алюминий [22], индий [23], таллий [24], сурьма [25], висмут [26], олово [27] и свинец [28]) (рис. 7—10), а также в элементарных полупроводниках (кремний и германий [29]) и полупроводниковых соединениях (антимонид индия [29], арсениды индия и галлия [30] и теллурид кадмия [31] (рис. 11—13). [c.21]

В качестве материала полупроводниковой пленки чаще всего используются поликристаллические пленки сульфида и селенида кадмия, применяются также поликристаллические пленки окиси цинка, антимонида индия, теллурида кадмия, окиси олова, окиси индия, сульфида свинца и теллура. В последнее время появились сообщения о создании триодов подобного типа на монокристаллических пленках кремния, выращенных на кристаллографической плоскости сапфира или на подложках из окиси алюминия, покрытых составом окислов. [c.70]

На основании этих наблюдений, свидетельствующих не только о структурной аналогии, ко и о близости типа связи между серым оловом и упомянутыми бинарными соединениями, было высказано предположение о полупроводниковых свойствах антимонида индия и теллурида кадмия, подтвержденное опытами [96, 108]. [c.80]

В последнее время предпринимаются весьма интересные исследования свойств веществ изоэлектронных рядов. Так, например, в работе [56] при исследовании физико-механических свойств алмазоподобных веществ было сделано наблюдение, что с увеличением ионной компоненты связи уменьшаются микропрочность на отрыв, поверхностная энергия, критерий хрупкости и микротвердость. По данным автора работы [56], германий, арсениды и антимониды индия и галлия отличаются высоким значением критерия хрупкости, в то время как у селенида цинка, селенида и теллурида кадмия отчетливо проявляется пластичность. [c.196]

Важнейшая задач химии полупроводников заключается в создании новых полупроводниковых материалов. Еще в 60-х годах в радиоэлектронике применялись только германий и кремний. А в настоящее время в промышленной электронике и радиотехнике помимо кремния и германия нашли широкое применение полупроводниковые соединения антимонид индия, арсенид галлия, фосфиды индия и галлия, халькогениды цинка, кадмия, ртути, свинца, висмута, сурьмы, а также карбид кремния и др. Число сложных полупроводниковых фаз (соединений и твердых растворов), перспектавных для их практического применения, неуклонно растет из года в год. [c.6]

Велькер в первых работах, посвященных фосфиду индия, описал возможность приготовления диодов и триодов на его основе. Поверхностно-диффузионный транзистор, впервые изготовленный из фосфида индия, дойазал возможность создания на его основе прибора, усиливающего электрическую мощность. Эффективность InP как материала для солнечных батарей выше э4х )ективности кремния, антимонида алюминия и сульфида кадмия. Предпринимались попытки измерения интенсивности нейтронных потоков при помощи фосфида индия. Кроме того, InP перспективен как материал для квантовых генераторов. [c.149]

Здесь применимы методы получения чистого германия и кремния, но в усложненном виде. Чистейшие исходные компоненты должны сочетаться в таком соотношении, чтобы не было избытка одного из них. Особые трудности возникают в тех случаях, когда соединения в условиях синтеза нестабильны или один из компонентов обладает высоким давлением пара. Эти трудности обусловили появление новых приемов очистки и синтеза. Поступающие на синтез индий и сурьму предварительно очищают от летучих примесей — цинка, кадмия и других, чтобы при зонной очистке они не оседали на холодных частях слитка. Индий и сурьму подвергают фракционной дистилляции, а индий, кроме того, очищают электролитически. Пройдя затем зонную очистку, они приобретают чистоту в пять девяток. Точно рассчитанные количества этих препаратов сплавляют в кварцевой запаянной ампуле или лодочке при 525°. Для удаления остатков летучих примесей расплав прогревают в вакууме несколько часов, а затем, снизив нагрев, приступают к зонной очистке антимонида ин- [c.188]

Справочник химика 21

Химия и химическая технология