Поверхность критическая

Величину можно представить в виде (S ) , где Se — поверхность критического зародыша q — частота присоединения молекул к единице поверхности новой фазы. [c.130]

При конденсации из паров с давлением р" частота присоединения молекул к единице поверхности критического зародыша может считаться равной частоте соударения молекул с поверхностью. Эта последняя, в соответствии с молекулярно-кинетической теорией, определяется выражением [c.130]

Здесь 8е — поверхность критического зародыша. Заменяя здесь величину г на А находим также [c.145]

Увеличение массы на единицу поверхности Средняя скорость изменения массы образца на единицу поверхности Критические температура, давление, объем [c.12]

Если обрыв цепи на стенке протекает достаточно эффективно (е 1), то вблизи нижнего предела по давлению обрыв цепей лимитируется диффузией активных центров к поверхности. Критическое условие зависит в (таких случаях от конкуренции двух процессов эффективного столкновения активного центра с реагентом с последующим разветвлением цепи и столкновения активного центра со стенкой с обрывом цепи. При этом возникает градиент концентрации активных центров по сечению реактора чем ближе к поверхности, тем меньше концентрация активных центров. Строгое решение этой задачи можно получить в рамках диффузионного уравнения. Для случая цилиндрического реактора решение такого уравнения приводит к выражению р = 23Ш 2, где <1 - диаметр сосуда. Поскольку в газе коэффициент диффузии В = то критическое условие [c.422]

Сложнее обстоит дело с достижением на горящей поверхности критической температуры Гкр. У летучих ВВ температура поверхности ограничена температурой кипения, которая растет при увеличении давления, и не исключена возможность достижения Т = Ткр как при р < Ркр, так и при р ркр- Одновременно нужно учесть, что максимальная температура поверхности ограничена температурой разложения вещества, а поскольку обычные ВВ разлагаются при температурах ниже расчетных Тнр = = 250—350° С, то Гд оказывается ниже Ткр- В целом вопрос остается открытым, поскольку неясны условия на разлагающейся поверхности жидкости. Можно полагать, что именно трудность достижения Ткр делает горение устойчивым и при давлениях [c.207]

Природа поверхности Критическое поверхностное натяжение смачивания (при 20° С) >с- дин/см Природа поверхности Критическое поверхностное натяжение смачивания (при 20° С) Ус. дин/см [c.279]

В течение более длительного периода времени при катодном образовании поверхностных зародышей будут возникать самые различные комбинации (число W) ад-атомов на поверхности. Критическому поверхностному зародышу соответствует относительно меньшее число атомов (число W ). Тогда величина = = WJW представляет собой вероятность образования поверхностного зародыша, описываемую уравнением (2. 438). При анодном образовании пустотных зародышей нужно рассматривать комбинации пустых мест в компактной плоскости решетки поверхности. [c.346]

Характеристика поверхностей, критические значения числа Рейнольдса Ке р и значения показателя степени п в уравнении (11.67) для определения толщины пленки приведены в табл. 11.1. [c.60]

Значения параметров тока ЭВВ на некоторых металлах первой группы и их амальгамах приведены в [36, 37]. Ориентировочные значения разности АОр для данного металла и ртути могут быть найдены из (16) в предположении о постоянстве К для разных металлов. Другой метод определения АОр (М)—ДGp(Hg) основан на соотношении (8). Результаты измерений температурных зависимостей тока ЭВВ на различных металлах, однако, малочисленны и часто противоречивы, что связано с трудностями получения и контроля чистоты поверхности. Критический анализ этих данных не входит в задачу настоящего обзора. Оба метода, несмотря на отмеченную неопределенность результатов, позволяют расположить металлы в ряд по мере увеличения энергии связи М-Н [5] [c.211]

В последнем методе моделируются реальные условия трения по скорости относительного скольжения поверхностей, периодичности их контакта и темнературе. Трущуюся пару (стальную проволоку на вращающемся диске и ролик) помещают непосредственно в нагреваемое топливо и нагружают по определенной программе. Критерием оценки противоизносных свойств топлива служит величина нагрузки, при которой происходит заедание трущихся поверхностей (критическая нагрузка заедания). Но и этот метод не оценивает в достаточной мере явления износа, резкого ухудшения взаимодействия и заклинивания трущихся деталей плунжеров топливных насосов, наблюдающихся при использовании отдельных образцов топлива. [c.272]

Поверхность Критическое поверхностное натяжение (в эрг/см ) при относительной влажности воздуха Поверхность Критическое поверхностное натяжение (в эрг/см ) при относительной влажности воздуха [c.172]

Скорость зародышеобразования в гомогенной среде. В модели гомогенного каплеобразования в среде пересыщенного пара скорость зародышеобразования определяется как произведение концентрации зародышей критического размера и частоты столкновений дополнительных молекул (или атомов) с поверхностью критического зародыша. [c.182]

Согласно теории абсолютных скоростей реакций [11], частота ударов о поверхность критического зародыша может быть представлена в виде [c.182]

Рис. 2. Краевые углы для ряда жидких н-алканов на фторированных твердых поверхностях. Критическое поверхностное натяжение смачивания Ус определяется точкой пересечения линий os 0 = 1 и = f [у 1у°У-

Предел огнестойкости несущих конструкций определяется временем от начала температурного воздействия пожара до момента, когда несущая способность конструкции понизится до-критической. Предел огнестойкости ограждающих конструкций (исключая наружные) определяется временем достижения на их необогреваемой поверхности критической температуры (опасной в отношении возникновения пожара в смежном помещении). Практически в расчетах эта температура принимается равной 180 °С. Предел огнестойкости конструкций, совмещающих несущие и ограждающие функции, определяется временем появление одного из двух названных признаков. [c.86]

Из рис. 54 видно, что поведение уплотняющего соединения меняется в зависимости от способа обработки уплотняющих поверхностей. Только после предварительного обжатия поверхностей их первоначальное качество уже не имеет значения, так как при этом микронеровности сглаживаются. При давлениях, больших, чем в точках А —А,., повышение давления среды вызывает пропорциональное повышение необходимых давлений. После предварительного обжатия уплотняющих поверхностей критическим давлением (в точках А —А ) обеспечение плотности соединения достигается при более низком давлении, соответствующем прямой д. Такое критическое давление для плоских уплотняющих поверхностей составляет примерно 2а . [c.123]

Конец периода постоянной скорости сушки характеризуется средней (в объеме) критической влажностью (wKp). Ее значение зависит от интенсивности сушки (скорости и температуры потока воздуха), размера тела и его начальной влажности. С увеличением скорости потока воздуха критическая влажность возрастает так же она зависит и от температуры среды при конвективной сушке. С увеличением влажности воздуха критическая влажность снижается, поскольку в этом случае интенсивность испарения уменьшается, а коэффициент диффузии влаги значительно возрастает из-за повышения температуры тела в период постоянной скорости сушки. Для материалов с малой удельной поверхностью критическая влажность может быть выше начальной. В этом случае процесс сушки с самого начала протекает в периоде падающей скорости. [c.64]

Как легко убедиться, она составляет одну треть от энергии образования поверхности критического зародыша [c.247]

Заметим, что она составляет одну треть от работы образования поверхности критического зародыша [c.379]

Большие тепловые потоки не вызывают значительных изменений, кроме как изменения числа и размеров капелек жидкости в полости и количества жидкости у поверхности нагрева. Уменьшение количества жидкости в области, связанной со стенками полости и нагревателя, приводит к снижению избытка жидкости. Увеличение теплового потока вызывает уменьшение количества жидкости, вносимой в полость, так как пузырьки находятся в более плотной упаковке и при этом требуется больше жидкости для охлаждения тепловой стороны цилиндра. Поток увеличивается до тех пор, пока вносимая жидкость уже не обеспечивает охлаждения верхней части цилиндра. Поэтому кризис кипения возникает на верхней половине цилиндра, и поскольку поверхность обогревается электрически, она быстро перегревается. Образуется полость, так что жидкость может входить в нее только вдоль обогреваемой поверхности. Критические условия четко определяются, поскольку для получения необходимого охлаждения верхней части требуется больше жидкости, а приток ее меньше из-за более плотной упаковки пузырей. Поэтому при малом не-188 [c.188]

Из формулы (3-2-13) видно, что относительное критическое влагосодержание WJWq зависит от критерия Kim и, стало быть, от характерного размера тела. Для тел с малой удельной поверхностью критическое влагосодержание может быть больше начального влагосодержания WJW ) > 1). В этом случае на кривой сушки участок, соответствующий периоду постоянной скорости, отсутствует, а скорос1ь уменьшается с самого начала процесса. [c.140]

В растворах хлористого натрия при температуре б0-90°С критическая плотность анодного тока, вше которой наступает пробой, составляет I А/н, В щелевых участках, по сравнению с открытой поверхностью, критическая плотность тока нине на порядок. При эксплуатации диафрагменных электролизеров с токоьой нагрузкой [c.23]

Диаграмма состояния в этом случае имеет вид трехгранной призмы, где на горизонтальных осях отложен состав смеси, а на вертикальной —температура. Поверхности критической температуры имеют довольно сложный профиль, а изотермы растворимости могут быть предстаалены на треугольных диаграммах. [c.45]

В нших экспериментах на активированной поверхности критическая концентрация ионов Т1(1У), при которой титан переходит в пассивное состояние, не достигалась. Так, при концентрации ионов Т1(1У), равной 9,9 г/л, скорость растворения актив1фованного титана даже несколько вше, чем в чистой Ю%-ной НзЗО . [c.51]

Смотреть страницы где упоминается термин Поверхность критическая: [c.120] [c.237] [c.6] [c.23] [c.23] [c.44] [c.282] [c.123] [c.20] [c.226] [c.237] [c.130] [c.23] [c.44] [c.23] [c.23] [c.23] [c.182] [c.134] [c.158] [c.162]

Справочник химика 21

Химия и химическая технология