Полуширина линий

В пределе прекратившегося обмена, будут уширяться с увеличением скорости процесса, а затем сливаться с образованием одной средневзвешенной линии. Если исходить из типичной для органического радикала полуширины линии на ее полувысоте 0,1 Э, то значительное уширение линии будет происходить уже для процессов, константы скорости первого порядка которых составляют около 510 с Ч [c.48]

В случае РФС наблюдаемая полуширина линии (полная ширина на половине высоты) значительно вьппе, чем в случае УФС. Фотоионизация электронов оболочки приводит к возбужденным состояниям, время жизни которых значительно короче, чем в случае УФС, поскольку время жизни пропорционально —энергии фотоионизационного перехода. Данные по поглощению и испусканию рентгеновских лучей [33] показывают, что присущая внутренним атомным уровням щирина линий снижается с уменьшением атомного номера и может быть порядка [c.335]

Изучение дифрактограмм большого количества коксов разной структуры показало, что для характеристики структурирования кокса можно использовать величину отношения интенсивности отражения (002) к его полуширине. Интенсивность отражения (002) характеризует количественное содержание кристаллической фазы, а полуширина -величину и распределение кристаллитов по размерам, внутреннюю межслоевую упорядоченность. Использование интенсивности и полуширины линии внутреннего стандарта, подмешиваемого к коксу, способствует коррекции инструментальных и временных пофешностей. Найдено, что отношение интенсивности (002) к полуширине, названное нами степенью упорядоченности, зависит от структуры кокса и технологии его получения. В процессе термообработки характерным является монотонный рост величины степени упорядоченности с возрастанием [c.119]

С отклонением угла наклона съемки в сторону меньших углов полуширина линии увеличивается (рис. 9-52). [c.592]

Рис. 9-52. Изменение полуширины линии (002) в функции (р в меридианной дуге [9-97].

Средний угол наклона углеродных слоев сердцевины к оси волокна по значению полуширины линии (002) составляет примерно 22 , а оболочки 19 [9-98, 99]. [c.594]

После графитации при 2700 С полуширина линии (002) снижается до 5 . При этом на рентгенограмме возникают линии трехмерного порядка (hkl). По данным микродифракционных исследований, эти рефлексы имеют полосатую структуру, что [c.613]

Для неподвижного ядра, когда и (<) = О, распределение сводится к лоренцевскому (IX.7) с полушириной линии Г/2. [c.184]

Типичная ЛИНИЯ ЯМР-поглощения, которую можно получить при медленном прохождении резонансной частоты Vq, имеет форму лоренцовой кривой (рис. 5). Для характеристики линии принято измерять ее ширину на половине высоты от нулевой линии спектра (полуширина линии Avi/J. Экспериментально наблюдаемая полуширина линии складывается из естественной ширины линии, зависящей от строения и подвижности молекул, и уширения, обусловленного аппаратурными причинами, главным образом неоднородностью магнитного поля Н . [c.33]

При одной и той же силе осциллятора тах может быть различным при разной ширине полосы 6, которая определяется, во-пер-вых, естественной шириной (Дv 10- v) во-вторых, уширением спектральных линий, обусловленным тепловым движением и взаимодействием частиц в-третьих, наложением близко расположенных спектральных линий, если расстояние между ними меньше полуширины линии. [c.239]

Если В и Ь — полуширина линий отражения (110) и (220)а а-Ре деформированного металла, а Во и бо — то же для эталона, то физическое уширение для первой ( 1) и второй ( 2) линий будет соответственно [c.160]

Закон Брэгга можно легко получить с помощью схемы, представленной на рис. 5.2. Пусть когерентный пучок рентгеновских лучей зеркально отражается от параллельных кристаллических плоскостей, расположенных на расстоянии друг от друга. Из двух лучей, ход которых показан на рис. 5.2, нижний на пути выхода из образца проходит дополнительное расстояние AB =2d sin в. Если это расстояние равно целому числу длин волн пк, то отраженные лучи будут совпадать, по фазе и пропорциональный счетчик зарегистрирует максимум интенсивности. Если используется. высококачественный кристалл-анализатор, дифрагированный пучок получается довольно узким. Например, измеренная полуширина линии составляет при близительно 10 эВ при собственной полуширине 2 эВ. Рентгеновское излучение, длины волн которого не удовлетворяют закону Брэгга, поглощается в кристалле илп проходит сквозь него в его держатель. [c.191]

Разрещение обоих спектрометров кристалл-дифракционных и с дисперсией по энергии измеряется обычно полушириной линии (ширина на половине высоты). Как было уже описано в уравнении (5,6) и показано на рис, 5,20, а, разрешение спектрометра с дисперсией по энергии определенным образом зависит от энергии, причем его значения обычно определяются для Мпк -линии, измеренной источником Ре. Даже при разреше- [c.258]

Для измерений был использован модифицированный спектрофотометр, описанный Ростом [619]. Прибор состоял из источника света, интерференционного светофильтра на 510 ммк с полушириной линии 10 ммк, отделения для стакана с электролитом на 250 мл и сульфидно-кадмиевого фотоэлемента, связанного с амперметром на 100 мка. Калибровка амперметра пропорциональна пропусканию. [c.182]

При исследовании полимеров используются методы ЯМР как непрерывного воздействия (низкое и высокое разрешение), так и импульсные (спиновое эхо). Изучение полимеров основано на определении абсолютных значений и температурных зависимостей полуширины линии, второго момента, времен спин-спиновой и спин-решеточной релаксации. Метод ЯМР позволяет получить информацию о молекулярном движении в полимерах, о строении макромолекул, о степени кристалличности, о структуре полимеров. Возможно изучение процессов полимеризации в сложных системах с определением глубины превращения без предварительной калибровки, процес- [c.263]

Для того чтобы получить более точное значение полуширины линии, снимают рентгенограмму эталонного вещества, в качестве которого обычно используют монокристалл. На дифракционной кривой эталона ширина линии Вз уже не зависит от размеров кристаллитов, а определяется только условиями съемки и естественной шириной линии. Таким образом, определив экспериментально для исследуемого полимерного образца ширину линии В сп, находят значение В [c.365]

Расчеты с применением метода четвертых моментов очень трудоемки и требуют наличия ЭВМ. На основе большого числа данных, полученных на ЭШ с применением метода четвертых моментов для коксов разной степени термообработки, найдены корреляционные зависимости между интегрально полушириной линии (002), и/5 [c.76]

Однако в противоположность УФС естественная ширина линий обычных источников рентгеновских лучей РФС довольно значительна и играет большую роль в определении полуширины экспфиментально наблюдаемых спектральных линий [27]. В РФС обычно используют рентгеновский дублет 011 2, а это рентгеновское излучение образуется в том случае, когда электроны падают из оболочек Ьц и Ьщ (спин-орбитальное расщепление 2р-атомных уровней) в дырку оболочки К (1.5-атомный уровень). Естественная ширина линий, связанная либо с переходом Ь,1 -> К, либо с переходом Ьщ К, составляет 0,7 эВ для рентгеновского излучения А1 в этом случае дублеты перекрываются, приводя к эффективной ширине 1,0 эВ. Магниевое рентгеновское излучение Хо(1а2 состоит из дублета шириной 0,8 эВ. Источники рентгеновских лучей с большими энергиями (например, Сг, Си или Мо) характеризуются шириной дублетной компоненты, превьппающей 1,0 эВ. Таким образом, эффективный предел ширины линий РФС устанавливается естественной шириной источника рентгеновского излучения, несколько модифицированной естественной шириной, связанной с уровнем, с которого происходит фотоионизация. Некоторые вклады обусловлены также недостатками приборов. При изучении твердых веществ экспфиментально наблюдаемая полуширина спектральных линий РФС для пиков С15, N5 , Рзр, 82 и подобных им составляет 1,5 эВ. Эксперименты РФС с газообразными веществами дают значительно более узкие линии. Например, полуширина линии Ые для газообразного неона составляет 0,8 эВ [27]. Разница в полуширине линий для газообраз- [c.335]

По расширению интерфереициоБных полос 002 и 100 можно рассчитать размеры кристаллитов (межслоевое расстояние оо2, диаметр углеродных сеток La) и при низких температурах (500— 1000 °С) полуширину линии 002—Ьаог- Межслоевое расстояние doo2 было использовано в качестве показателя степени структурной упорядочеппостн для коксов, прокаленных выше 1000 °С. [c.175]

В настояшей работе рентгеновским методом на поликристаллических образцах исследовалось влияние примеси гелия на структуру, фазовые переходы и параметры решетки фуллерита Сбо, интеркалироваиного при комнатной температуре и давлении около 1 атм. Интеркаляция велась непрерывно в течение 4000 часов при этом периодически осушествлялась рентгеновская съемка образцов. Обнаружено заметное влияние интеркалянта на температуру ориентационного фазового перехода, параметры и объем решетки фуллерита. Анализ зависимости параметра решетки, интенсивностей и полуширин линий от времени (степени насыщения), как в режиме насыщения, так и дегазации, дает основание утверждать о существовании двух стадий интеркалирования с заметно различающимися константами времени. Эти результаты дают основания считать, что при длительной интеркаляции может играть существенную роль система тетраэдрических пустот. [c.126]

Использование отношения интенсивности линии к полуширине для оценки степени упорядоченности основано на том положении,что интенсивность отражения (002) характеризует количественное содержание углерода в кристаллитах, а полуширина характеризует величину и распределение кристаллитов по размерам, внутреннюю мехслое-вув упорядоченность. Использование интенсивности и полуширины линии внутреннего стандарта способствует коррекции инструментальных и временных погрешностей и позволяет сопоставлять коксы, дифрак-тограммы которых получены в различное время. [c.79]

При заряде, по данным рентгеноструктурного анализа, рефлекс (002) перемещается в сторону меньших углов (20) с увеличением значения полуширины линии, а при разряде он возвращается в исходное состояние. Межслоевое расстояние < 002 после 10-го разряда несколько снижается, что подтверждает приведенные выше данные о том, что при разложении МСС структура матрицы становится более трехмерноупорядоченной (рис. 6-30). Факт увеличения ооз при заряде подтверждает образование МСС. [c.336]

Микротекстура УВ описывается [9-97] отклонением в пачках лент углеродных гексагональных плоскостей от оси волокна (меридианная составляющая) и определяется из полуширины линии (002) по дифрактограммам, снятым перпендикулярно оси волокна (рис. 9-51). [c.592]

Здесь — коэффициент поглощения а центре линии (v = Vo) Avt лорентцевская полуширина линии. [c.140]

При комнатной температуре и нормальном давлении лорентцевская полуширина линий в области 500 нм составляет 2,5- [c.140]

Дув — допплеровская полуширина линии vo —частота, соответствующая центру лорентцевского контура линии V — то же для допплеровского коп> тура. [c.140]

МЫ могут быть охарактеризованы с помощью полуширины линии ДБ 1/2(ширина на половине высоты пика поглощения). При регистрации спектра в виде первой производной легко измеряется расстояние ДВмакс между максимумом и минимумом кривой (см. рис. 111.2,6) и полезны следующие соотношения лоренцева форма [c.67]

В приведенных формулах Hj = U tg y + M/tgQy + -теоре Тическая зависимость для вычисления полуширины линии у, ц, IV- параметры полуширины. [c.210]

Здесь 7д интегральная интенсивность, - высота пика, о(-параметр функции псевдо-ИоЙ1, И - полуширина линии. [c.214]

Элемент-излу- ч 1тель HM Ток дугового разряда, мА Напряжение зажигания тлеющего р 3ряда, В Полуширина линии, нм [c.207]

Собственная полуширина рентгеновской линии составляет около 2 эВ. Налример, для Ка-излучения марганца (5,898 кэВ) полуширина равна приблизительно 2,3 эВ, что составляет около 0,039% от энергии максимума. Полуширина линии Мпх , полученная в 51 (Ь1)-спектрометре, увеличивается обычно до 150 эВ или до 2,5% от энергии максимума. Такое увеличение ширины линии является следствием, во-лервых, статистического разброса числа носителей заряда, создаваемых захваченными моноэнергетическими фотонами из-за дискретной природы процесса во-вторых, неопределенности, вводимой термическими шумами в процессе усиления. Распределение числа носителей заряда для моноэнергетического фотона хорошо олисывается гауссовой кривой (рис. 5.19). Полуширину этого распределения можно рассчитать геометр ическим квадратурным сложением при учете двух источников шума (объяснение этого приводится в гл. 2 )по уравнению [c.216]

К сожалению, до настоящего времени этот вид спектроскопии при исследовании строения комплексонов и комплексонатов не применялся. По-видимому, первый спектр твердого комплексона, полученный по методике вращения под магическим углом представлен на рис. 4.7. Спектр ЯМР поликристаллической коммерческой НТФ демонстрирует хорошее разрешение линии основного продукта и обычных в этом случае примесей (см. рис 4.7). Относительное положение и соотношение интенсивностей линий удовлетворительно согласуются с соответствующими параметрами спектра ЯМР водного раствора НТФ. Однако степень разрешения в данном случае оказалась недостаточно высокой для выделения индивидуальных сигналов групп РОзН и РО3Н2 полуширина линии НТФ твердого образца оказалась примерно одного порядка со значением смешения сигнала ЯМР Ф при протонировании фосфоновой группы в водном растворе. [c.408]

Справочник химика 21

Химия и химическая технология