Справочник химика 21

Химия и химическая технология

Статьи Рисунки Таблицы О сайте English

Диффузионно-рекомбинационные

    Атомы отдачи, охлажденные до тепловых скоростей, вступают в диффузионно-рекомбинационные (тепловые), радиационнохимические реакции и реакции изотопного обмена, что может быть легко показано опытами, иллюстрирующими влияние температуры и добавок акцепторов радикалов на выход реакций. [c.198]

    РАБОТА 7.2. ВЫСОКОЭНЕРГЕТИЧЕСКИЕ И ДИФФУЗИОННО-РЕКОМБИНАЦИОННЫЕ (ТЕПЛОВЫЕ) ПРОЦЕССЫ, [c.206]

    Реакции атомов отдачи включают высокоэнергетические процессы, не зависящие от температуры, добавок акцепторов радикалов и мало зависящие от фазового состояния среды, и диффузионно-рекомбинационные реакции, зависящие от перечисленных выше факторов. [c.206]


    Диффузионно-рекомбинационная кинетика ранних стадий радиолиза в конденсированной фазе 196 [c.4]

    ДИФФУЗИОННО-РЕКОМБИНАЦИОННАЯ КИНЕТИКА РАННИХ СТАДИЙ РАДИОЛИЗА В КОНДЕНСИРОВАННОЙ ФАЗЕ [c.196]

    В [9] отмечается, что в характерных для газодинамических установок условиях эксперимента, моделирующих полетные условия, происходит эффективное тушение возбужденных частиц в тонком нри-иоверхностном слое газа, которое обусловливает практически полную передачу рекомбинационной энергии потока поверхности тела. Для диффузионно-кинетических методов из-за низких плотностей газа у образца эффект уноса возбужденных частиц может быть весьма заметным. Например, в работе [29] коэффициенты 7 и /3 были измерены независимо при изучение рекомбинации N на поверхности металлов. Оказалось, что они имеют совершенно различные температурные зависимости. Этот факт может существенно влиять на температурные и концентрационные профили в потоке вдоль тела, и в результате на тепловой поток к поверхности. [c.34]

    Аналогичный анализ частотных зависимостей был проведен и для более высоких потенциалов (2,7—3,0 в) для различных кислот. Выяснилось, что характер эквивалентной схемы сильно меняется с потенциалом. С его ростом эквивалентная схема для всех случаев приближается к виду, изображенному на рис. 5. Такого рода схема была теоретически обоснована Грэмом [19] для случая, когда адсорбированные промежуточные частицы участвуют в образовании конечных продуктов реакции по рекомбинационному механизму, и диффузионным импедансом можно пренебречь. [c.136]

    Нужно упомянуть также о тех случаях, когда газокинетическая модель рекомбинационного процесса оказывается неприемлемой. Это может быть при слабом возбуждении и малой длине свободного пробега электрона, сравнимой с размерами сферы рекомбинации , как это имеет место в кристаллах с ионной связью при сильном электростатическом взаимодействии между ионами и носителями заряда [2]. В таких условиях электрон не всегда теряет связь с тем центром, которому он принадлежал ранее, и существенным оказывается учет диффузионного характера движения электрона. Подробное теоретическое рассмотрение этой проблемы читатель может найти в монографии В. В. Антонова-Романов-ского [2]. [c.25]

    Таким образом, неучет члена Waa приводит к противоречию, снять которое можно, лишь приняв во внимание неупругие взаимодействия тяжелых частиц. Кроме того, как будет показано ниже, учет скорости рекомбинационных процессов в холодных пристеночных слоях при наличии диффузионных потоков электронов и ионов может привести к тому, что концентрация электронов у стенки будет выше равновесной, вследствие чего разность температур Те и Та не будет принимать столь больших значений. [c.101]


    В радикальных процессах величина Е сравнительно велика лишь при обрыве по механизму диспропорционирования (до 5 ккал/моль), который существен только при достаточно высокой температуре. Для комнатной и более низкой температуры характерен рекомбинационный обрыв с Ез не более 1 ккал/моль. При обычной ионной полимеризации величина Е может быть весьма высокой (8—10 ккал/моль), что обусловлено спецификой соответствующих актов (см. гл. П, III). Данные об этих величинах для радиационной ионной полимеризации отсутствуют, но можно воспользоваться представлением, что реакции дезактивации ионных центров по обоим упомянутым выше механизмам регулируются только диффузионным фактором и характеризуются энергией активации 3 ккал/моль [8]. Отсюда можно сделать [c.235]

    Поскольку на ранних стадиях воздействия излучения существенную роль играют реакции рекомбинации зарядов и радикалов, то сама задача создания кинетической модели ранних стадий получила название задачи поиска рекомбинационно-диффузионной модели. Рассмотрим такую модель на примере процессов радиолиза жидкости. Для других процессов ХВЭ модели будут иметь свои особенности. [c.197]

    Основы рекомбинационно-диффузионной модели радиолиза рассмотрены в [229, 230]. Решение кинетической модели ищут на единичной трековой форме выбранного типа (например, шпора или трек), а затем распространяют на все трековые формы выбранного типа в единице объема. Концентрация частиц -го типа с (г, 1) — есть функция распределения данных промежуточных частиц в момент времени ( на расстоянии г от центра шпоры (сферическая симметрия) или от оси трека (цилиндрическая симметрия). Для каждой промежуточной частицы записывают нелинейное дифференциальное уравнение в частных производных (3.217), показывающее изменение концентрации этой частицы во времени. Уравнение включает диффузионный член для выбранной -й частицы, генерированной излучением, и члены, учитывающие появление /-й частицы по реакциям первого и второго порядков и гибель -й частицы по реакции первого порядка,, по реакциям рекомбинации между собой и с другими промежуточными частицами и при реакциях захвата акцепторами, при- [c.197]

    При рекомбинации ион-электронных пар в присутствии акцептора теоретическое рассмотрение рекомбинационно-диффузионной модели с учетом влияния кулоновского поля зарядов приводит [234] к уравнению [c.200]

    Основные обозначения 220 Основные определения и критерии 222 Модели кинетики низкотемпературной плазмы 228 Р. 1 Модель локального баланса энергии электронов 230 Р.2 Модель релаксации температуры электронов 236 Р.З Модель рекомбинационного нагрева электронов 240 Р.4 Модель нагрева газа в плазме 243 Р.5 Модель неравновесной ионизации 249 Р.6 Модель неравновесной стационарной ионизации 255 Р.7 Модель рекомбинационно-диффузионного распада плазмы 259 Р.8 Модель кинетики электронов, положительных и отрицательных ионов 264 Р.9 Система уравнений баланса возбужденных атомов. Релаксация возбужденных состояний 268 Р. 10 Распределение атомов по возбужденным состояниям в стационарной и квазистационарной неравновесной плазме. Одноквантовое приближение 273 Р. 11 Распределение атомов по возбужденным состояниям в стационарной и квазистационарной неравновесной плазме. Диффузионное приближение 276 Р. 12 Рекомбинация и релаксация высоковозбужденных атомов, обусловленная столкновениями с электронами и резонансной дезактивацией нейтральными частицами 280 Р. 13 Модель функции распределения электронов по энергии в сла- [c.5]

    Р.7. МОДЕЛЬ РЕКОМБИНАЦИОННО-ДИФФУЗИОННОГО РАСПАДА ПЛАЗМЫ [c.259]

    Рекомбинационно-диффузионный распад в приближении времени диффузии представлен в уравнении [c.261]

    Рекомбинационно-диффузионный распад плазмы. Решение уравнения (5)  [c.262]

    Авторы работы [268] нашли, что диффузионно-рекомбинацион-ная модель [269], описывающая радиационно-химические превращения в водных растворах, может успешно применяться для объяснения механизма низкотемпературного радиолиза твердых полярных растворов. Это свидетельствует об общности происходящих в треках первичных процессов при низких и высоких температурах. [c.65]

    В последнее время появился ряд работ [85—87], где анализируется влияние неравновесности в плазме дугового разряда на его характеристики. Суть исследований сводится к тому, чтобы учесть конечную скорость рекомбинационных процессов, протекающих в холодных пристеночных зонах газового разряда при наличии диффузионных потоков электронов н ионов, направленных из центральной области в сторону периферии. Ири этом учитываются различные неупругие взаимодействия частиц, а также отражение электронов и ионов от стенок, ограничивающих дуговой разряд. Из-за недостатка точных сведений о константах, характеризующих неупругие взаимодействия, а также скорость рекомбинационных процессов, полученные в указанных работах данные егосят скорее качественный, чем количественный характер. Тем не менее они позволяют составить некоторое представление о влиянии неравновесности плазмы на характеристики дугового разряда. [c.105]


    Для каждого из этих условий доминирующими могут стать те или иные элементарные процессы. Известно, что при сравнительно низких давлениях (до иескольких мм рт. ст.) рекомбинационные процессы в объеме не существенны по сравие1шю с диффузией заряженных частиц поэтому последняя является определяющей причиной убыли электронов и иоиов из разряда (диффузионный режим). При высоких давлениях газа (порядка нескольких атмосфер), наоборот, объемная рекомбинация становится основным процессом (рекомбинационный режим). В электроотрицательных газах приходится учитывать еще и прилипание электронов. Может также меняться характер ио лощения электромагнитной энергии плазмой. При со л зфф в формуле (3.1.7) и согласно соотношению (3.1.12) аа<СОг. Следовательно, через плазму протекает в основном реактивный ток  [c.211]

    Это же уравнение было получено приближенным решением двухрадикальной рекомбинационно-диффузионной модели для случая малых концентраций акцептора [230] при этом эмпирический параметр / был выражен через параметры системы [c.199]

    Допустим, что в цезии при давлении р= 10 мм рт.ст., температуре газа Т = 300 К, температуре электронов = 2x10 К начальная концентрация электронов составляет п 0)= 0 см" . При этом коэффициент рекомбинации кр =6.5x10 " см с (см. модель 1-Р. 15), коэффициент амбиполярной диффузии Од =1.7x10 см /с, время диффузии в трубке радиусом Я = 2.4 см составляет = бхЮ " с. В результате рекомбинационно-диффузионного распада в соответствии с формулой (1) концентрация электронов уменьшается в 13 раз за время г = с. [c.263]

    Какую роль может играть при этом рекомбинация ионов При каждой рекомбинации образуется световой квант. Такой квант при атмосферном давлении имеет свободный пробег (обратное значение коэффициента поглощения) порядка 10" см сравнимый со свободным пробегом иона или электрона. Поглощаясь, квант ионизирует молекулу, В результате ионизированная молекула исчезнет в одном месте и появится в другом — произойдет своего рода диффузия обоих носителей заряда [3]. Коэффициент диффузии равен квадрату свободного пробега, деленному на время жизни атома в ионизированном состоянии, Но этот промежуток времени гораздо больше промежутка между двумя упругими соударениями. Следовательно, коэффициент рекомбинационной диффузии надо считать малым по сравнению с обычным газокинетическим. В дальнейшем мы будем рассма-тривать только обычную диффузию. Установим прежде всего уравнения, которым подчиняется диффузионный процесс в плазме, т. е. в сильно ионизированном газе Плазму будем считать изотермической >, иначе говоря, примем температуру того нли другого рода носителей заряда одинаковой. Подвижности ионов н,.электронов равны коэффициентам диффузии, деленным на кТ. Пусть Пр — объемные концентрации электронов и ионов, и Dp — их коэффициенты диффузии, Е — электрическое поле. Тогда уравнения диффузии в одном измерении имеют вид [c.14]


Смотреть страницы где упоминается термин Диффузионно-рекомбинационные: [c.207]    [c.207]    [c.209]   
Руководство к практическим занятиям по радиохимии (1968) -- [ c.0 ]




ПОИСК







© 2025 chem21.info Реклама на сайте