Диффузия по дефектам I рода

При рассмотрении неупругости кристаллов обычно учитывают следующие механизмы внутреннее трение, обусловленное точечными дефектами (в том числе структурными примесями) релаксация по границам зерен и неоднородностей внутреннее трение, связанное с дислокациями релаксационные потери, связанные с диффузией междуузельных атомов и вакансий. Все эти механизмы приводят к различного рода релаксационным явлениям в кристаллических материалах, которые могут быть охарактеризованы их релаксационным спектром, т. е. совокупностью времени релаксаций Ет,. Таким образом, если релаксация явления [c.139]

Дефекты могут влиять на магнитные и термодинамические свойства кристаллов. Микротрещины, дислокации, вакансии делают кристаллы менее прочными. По микротрещинам и дислокациям быстро идет диффузия примесей внутрь кристалла. С дефектами этого рода связано изменение прочности, адсорбционных свойств, скопление примесей в некоторых местах, например по дислокациям, где может начаться образование новой фазы как результат кристаллизации примесей. [c.146]

Если предположить, что состав стали однороден и кристаллическая решетка ее идеальна, т. е. отсутствуют дефекты решетки любого рода, то диффузия водорода через такую решетку будет зависеть от плотности упаковки атомов в решетке, определяющей энергетическое взаимодействие между атомами металла. Диффузия водорода через феррит, имеющий объемно-центрированную решетку, протекает значительно легче, чем через аустенит, имеющий гранецентрированную решетку [104, 249, 250]. Цементит, имеющий орторомбическую решетку, обладает еще худшей проницаемостью. Энергия активации диффузии водорода через феррит составляет 7,1—7,5 кДж/.мол ь (1,7— [c.79]

Мутации, обусловливающие конститутивное расщепление антиметаболитов. При этом клетка разрушает антиметаболит и тем самым обезвреживает его. С точки зрения отбора мутантов с нарушенной регуляцией интерес представляют только первые два типа мутаций. Дерепрессия синтеза анаболических ферментов и утрата способности подчиняться аллостерическому ингибированию часто приводит к перепроизводству й выделению в среду конечного продукта данного биосинтетического пути (метаболита). Для мутантной клетки это существенно потому, что метаболит вытесняет антиметаболит из реакции, обеспечи-вая таким образом рост клеток и образование колоний. Образующийся в избытке метаболит выделяется, диффундирует в агар и в зоне диффузии устраняет влияние антиметаболита на клетки дикого типа. Такие клетки начинают расти и образуют мелкие колонии их называют вторичными или сателлитными колониями. Центральную же колонию образуют клетки мутанта, выделяющего метаболит (рис, 16.15). Рост сателлитов указывает на то, что произошла мутация, нарушившая нормальную работу регуляторных механизмов. Но для того, чтобы установить, какого рода дефектом обусловлено накопление и выделение метаболита, в каждом случае требуется специальный анализ. [c.499]

Другие предъявляемые к пигментам требования тесно связаны с отсутствием растворимости в органических средах. Пигменты, используемые для красок, как правило, должны быть прочны к повторному нанесению. Под последним подразумевается отсутствие диффузии пигмента из нижнего слоя в верхний слой пигмента другого цвета. Миграционная устойчивость пигментов важна также при крашении пластмасс и эластомеров. Под миграцией понимают диффузию диспергированного пигмента внутри окрашенного материала или из него в другой находящийся с ним в контакте материал. В случае некоторых пигментов для типографских красок на напечатанной поверхности появляются мелкие частицы красителя, которые пачкают руки. Такого рода дефекты краски (порошкование) весьма нежелательны. С этим явлением в некотором отношении связано бронзирование пигментов, которое объясняется изменением степени отражения света различными по оттенку участками печати в зависимости от угла зрения. Этот эффект иногда находит применение в практике, но чаще всего он нежелателен. Указанные недостатки красок можно откорректировать специальными поверхностными обработками или модифицированием используемого пигмента. [c.287]

Таким образом, можно констатировать, что перенос электролитов в гидрофобных полимерах происходит в подавляющем большинстве случаев по механизму активированной диффузии. Такие представления характеризуют перенос в гидрофобных полимерах без учета различного рода дефектов, которые могут находиться в [c.144]

В процессах этой группы диффузия по поверхности (наружной или внутренней) может сопровождаться последующей диффузией по дефектам I рода. [c.351]

Что касается диффузии по дефектам второго рода, то все ее виды требуют, естественно, меньших энергий активации. При этом, как правило, наблюдаются следующие закономерности при высоких температурах, когда тепловое движение помогает преодолению потенциальных барьеров диффузии, течение последней мало зависит от дефектов второго рода, от формы границ зерен (кристаллитов) и т. п., но с понижением температуры диффузия через дефекты первого рода замерзает . Начинает играть исключительную роль диффузия по дефектам второго рода, по границам зерен. [c.448]

Наконец, возможно, что реакция, по крайней мере частично, протекает за счет диффузии реагентов в нейтральной форме. Этот процесс может осуществляться путем диффузии одного или двух компонентов по границам зерен или путем объемной диффузии с участием нейтральных дефектов. Такого рода объемная диффузия наблюдается для галогенидов щелочных металлов при высоких давлениях галогена (см. разд. XV.3). [c.611]

Таким образом, движущийся активированный комплекс действует как своего рода поршневой насос с односторонне пропускающим клапаном на поршне и обеспечивает перенос вещества в ходе реакционной диффузии, осуществляемой перемещением активированных комплексов. Поскольку активированный комплекс пересыщен точечными дефектами, при его перемещении неизбежно постепенное затухание упругого импульса путем рассеяния комплекса на отдельные, разрозненные точечные дефекты, в дальнейшем принимающие участие в общем процессе диффузии вполне автономно, но уже без участия фактора упругого взаимодействия, стимулировавшего их перемещение в состав комплекса. Кроме того, в ходе своего перемещения активированный комплекс испытывает тормозящее влияние встречающихся на его пути дефектов структуры, мешающих правильной эстафетной передаче искажений. Однако в целом скорость процесса реакционной диффузии с участием активированных комплексов существенно больше, чем в случае участия только автономных точечных дефектов, поскольку участие активированных комплексов означает высокую степень коллективности элементарных актов. [c.9]

Кейт и Падден в недавно опубликованной серии статей эта, эть развивают свои ранние попытки получить феноменологическое описание процесса роста сферолитов. Они довольно убедительно показывают, что текстура сферолитов связана с присутствием в образце дефектов (атактических последовательностей в цепи, некристаллизующихся участков, низкомолекулярных фракций и т. д.) В этих работах также рассмотрен вопрос о том, каким образом те или иные дефекты влияют на характер роста сферолитов. Для их теории существенно предположение, что дефекты . вытесняются растущим кристаллом в еще незакристаллизовав-шиеся области. Следовательно, вокруг каждого сферолита располагаются зоны, обогащенные дефектами . Возможность и скорость роста кристаллов определяется скоростями двух диффузионных процессов диффузии молекул, способных кристаллизоваться, к поверхности растущих кристаллов и диффузии молекул различного рода примесей от поверхности растущего кристалла. Кейт и Падден пришли к выводу, что сферолит фибриллярного типа может образоваться в том случае, когда рост кристалла происходит в каком-либо преимущественном направлении, а по бокам растущего кристалла находится материал, загрязненный примесями , снижающими скорость роста в поперечных направлениях. [c.199]

Учитывая неизбежность усталостных явлений в металлах, рекомендуется создавать такие конструкции вакуумных приборов, в которых наиболее слабые места (сварные и паяные швы, спаи металла со стеклом) выполнялись бы с минимальными растягивающими усилиями в металлах. Это достигается путем тщательного подбора материалов соединяемых деталей по коэффициенту термического расширения или соответствующих конструкций сочленения, позволяющих уменьшить или полностью устранить напряжения в материале наиболее напряженной детали. Для защиты вакуумных приборов от натекания при длительном хранении широко применяют также различного рода покрытия деталей — оболочек приборов. Если предположить, что материал, ограничивающий вакуумный объем прибора, не имеет дефектов в виде пор, раковин, волосовин и других случайных дефектов, то ухудшение вакуума в приборах возможно за счет диффузии газов из окружающего прибор пространства непосредственно через оболочки приборов. Диффузия растворенного в металле газа зависит от характера его химических связей и от того, насколько прочны эти связи. [c.6]

Над слаботеплопроводным дефектом, тепловой поток попадает в своего рода "ловушку" и начинает преимущественно распространяться в поперечных направления в сторону более низких "бездефектных" температур. Тогда диффузию тепла в дефектных зонах можно считать двумерной согласно уравнению [c.157]

При изучении диффузии точечных дефектов существует два взаимодополняющих подхода. В первом случае учитывается влияние нарушений кристаллической решетки, а во втором — влияние кристаллической решетки на состояние дефектов. При этом симметрия играет центральную роль (при классификации как собственных, так и несобственных дефектных состояний). Совокупность элементов симметрии, присущих любой точке кристаллической решетки, образует группу симметрии, которая позволяет упрострггь решение задачи, если использовать теорию групп. Эксперимен-тальнью методы определения симметрии дефекта основаны на определении его анизотропных характеристик путем поляризованного возбуждения, либо с помощью различного рода воздействий, например, механических (одноосное сжатие), а также магнитными, электрическими, световыми полями. Во всех случаях возбуждения информацию о симметрии дефекта дает расщепление вырожденных уровней. [c.81]

Как правило, в кристаллах всегда наблюдаются структурные дефекты, несовершенная ориентация, повороты одних элементарных областей относительно других, так называемая мозаичная структура (стр. 90 и рис. 233), не говоря уже о том, что даже при тщательном выращивании кристаллов очень трудно избежать появления включений и других негомогенностей. Такого рода нарушения заметно влияют на многие физические свойства кристаллов, как теплопроводность и электропроводность, на все виды диффузии, способность к обмену местами, многие явления изменения окраски, фотоэлектрические свойства, отчасти и на ферромагнетизм, а также на механическую прочность все перечисленные свойства чзтстви-тельны к нарушениям. Указанные выше механические напряжения, [c.289]

Что касается диффузии по дефектам второго рода, то все ее виды требуют, естественно, меньших энергий активации. При этом, как правило, наблюдаются следующие закономерности при высоких температурах, когда тепловое движение помогает преодолению потенциальных барьеров диффузии, течение последней мало зависит от дефектов второго рода, от формы границ зерен (кристаллитов) и т. п., но с понижением температуры диффузии через дефекты первого рода замерзает . Начинает играть исключительную роль диффузия по дефектам второго рода, по границам зерен. Например, известный из механики наклеп кристалла, увеличивающий концентрацию подобных дефектов, увеличивает и скорость диффузии при низких температурах. Но вслед за диффузией ио границам зерен происходит попадание диффундирующих атомов в прилегающие к поверхности границ объемы, как было показано Гофманом и Тернбалом для самодиффузии серебра, т. е. имеет место смешанная диффузия ио поверхностям и в объемах фаз. [c.352]

Поскольку ионная проводимость сопровождается транспортом атомов, то числа переноса могут быть определены из изменения массы анодной и катодной секций кристалла (или поликристаллического образца). Большинство исследований такого рода было выполнено по методу, предложенному Тубандтом и др. [7, 8]. Метод основан на пропускании постоянного тока через образец, состоящий из нескольких спрессованных таблеток, расположенных между инертными электродами. После окончания опыта отдельные таблетки взвешиваются, и разность в весе до и после опыта дает массу перенесенного вещества. Средняя секция, вес которой не должен изменяться, используется для учета возможных потерь в результате испарения. Зная массу перенесенного вещества, можно рассчитать, какая доля в электропроводности обусловлена движением положительных и отрицательных атомных дефектов. Если измеряется общее количество электричества, прошедшее через систему (кулонометром), то нетрудно определить долю электронной проводимости. При успешном преодолении экспериментальных трудностей, связанных с образованием дендритов и срастанием таблеток между собой, этот метод может быть использован во всех случаях, где относительное участие ионной проводимости колеблется в широких пределах — от очень малой величины примерно до 99%. Когда таблетки проявляют тенденцию к сращиванию, ионный перенос можно изучать с помощью инерт-иых меток таким способом изучали также взаимную диффузию металлов и окисление металлов [9, 10]. [c.169]

У белков-каналов форма фиксирована (рис. 5.16, Б). Бьшо показано, что болезнь, известная как цистозный фиброз, есть результат дефекта в белке, который служит каналом для хло-рид-ионов. у белков-переносчиков форма, наоборот, претерпевает быстрые изменения, до 100 циклов в секунду. Они существуют в двух состояниях, и механизм их действия напоминает игру в пинг-понг . На рис. 5.17 показано, как функционирует этот механизм. Связывающие участки белка-переносчика в одном состоянии ( пинг ) обращены наружу, а в другом ( понг ) внутрь клетки. Чем выше концентрация растворенных молекул или ионов, тем больше шансов на то, что они окажутся связанными. Если концентрация растворенного вещества снаружи выше, чем в клетке, как в примере с глюкозой на рис. 5.17, то реальный поток этого вещества будет направлен внутрь, и оно будет поступать в клетку. Именно так глюкоза проникает в эритроциты. Перемещение такого рода имеет все характерные признаки диффузии, хотя оно и об- [c.187]

Справочник химика 21

Химия и химическая технология