Электрод тонкопленочный

Для ртутного тонкопленочного электрода в условиях вольтамперометрии с линейной разверткой потенциала зависимость /р от концентрации определяемого компонента в растворе описывается выражением [c.423]

Рис. 18.1. Схематическое изображение проточных электрохимических ячеек а - тонкопленочная б - стенка-сопло в - поток сквозь пористый электрод

Получение алмазных тонкопленочных электродов [c.9]

Глава 2. Получение алмазных тонкопленочных электродов [c.10]

Рис. 12. Эквивалентные схемы электрода, (а) общая схема тонкопленочного электрода (б) схема Рэндлса—Эршлера (в) схема с элементом постоянной фазы

В общем виде импеданс тонкопленочного электрода, имеющего конечное сопротивление, можно представить эквивалентной схемой, изображенной на рис. 12 д. Она включает две ЛС-цепочки, одна из которых [c.27]

Рис. 13. Графики Мотта—Шоттки для (а) легированного бором поликристаллического тонкопленочного электрода р-тта (пример не зависящей от частоты дифференциальной емкости) [99] (б) легированного серой (с небольшой примесью бора) монокристаллического тонкопленочного электрода л-типа (усреднение по интервалу частот от 1 Гц до 100 кГц, см. раздел 5.5) [24]. Раствор 0,5 М 112804 потенциал — против нормального водородного электрода

Типичные значения параметров <т и а, а также сопротивления пленок (вместе с вычисленным отсюда удельным сопротивлением алмаза р) и фарадеевского сопротивления приведены в табл. 3 для ряда поликристаллических и монокристаллических алмазных электродов, а также электрода из аморфного алмазоподобного углерода [102, ПО, 111, 112]. Хотя данные таблицы носят скорее иллюстративный характер, поскольку свойства электродов обычно варьируют в значительных пределах, все же сопоставление данных таблицы для монокристаллических и поликристаллических тонкопленочных алмазных электродов позволяет заключить, что [c.31]

Типичные полученные значения а и 3 приведены в табл. 4 для моно- и поликристаллических тонкопленочных электродов, а также для монокристалла, выращенного при высоких давлении и температуре в качестве тестовой окислительно-восстановительной системы выбрана пара g3+/4+ видим, что коэффициенты переноса невелики, особенно [c.53]

Для сравнения этих методов на рис. 49 дяя одного и того же электрода приведены а) зависимость потенциала разомкнутой цепи тонкопленочно- [c.85]

Воды 8е ВА Тонкопленочный ртутный электрод, развертка в катодную область 0,0-0,9 В) 8е определяется при 0,54 В ГГ 0,5-30 МК1- л 0,5 43 [c.257]

Эта стадия может протекать по мере достижения более высокой степени окисления поверхности [87]. Подобный подход применим к поверхностной зоне массивных материалов из окисла никеля, используемых в качестве электродов Для источников тока [89, 90]. Свойства окисных никелевых пленок в щелочных растворах требуют дальнейших эллипсометрических исследований в связи с окислительно-восстановительными процессами в источниках тока, особенно при пиковой нагрузке, где тонкопленочные материалы могут иметь существенное преимущество [91] благодаря большей проводимости и меньшей изоляции активного материала при быстром разряде. [c.438]

Специальное применение нашли тонкопленочные методы с оптически прозрачными электродами (ср. [ 134-137]), например, для исследования электрохимической адсорбции и флуоресценции [376]. [c.533]

РИС. 9.7. Градуировочные графики свинца, полученные методом стандартных добавок на тонкопленочном импрегнированном воском графитовом электроде-инверсионными методами с линейной разверткой постоянного напряжения и [c.527]

РИС. 9.8. Инверсионные кривые с линейной разверткой напряжения (1—I) и дифференциальные импульсные кривые (5, 6) при определении свинца и кадмия, в пробах мочи на тонкопленочном импрегнированном воском графитовом электроде [c.527]

Как новое развивающееся направление электрохимическа энергетика имеет много нерешенных проблем, таких, как пр( блемы электрокатализа, переноса вещества и заряда в сложны электрохимических системах, разработка новых обратимы электрохимических систем, создание технологии получени электродов, тонкопленочных электролитов и других компоне -тов установок, подбор коррозионно-стойких материалов, автс матизированное проектирование и оптимизация систем, ра работка методики технико-экономического анализа и другие. 1 книге будут рассмотрены некоторые их этих проблем. [c.4]

Если из металла электрода можно изготовить тонкую (не более 20 мкм) и достаточно прочную фольгу или же равномерно напылить металл тонким слоем на подложку, слабо поглощающую радиоактивное излучение (слюда, тефлон, терилен), то оказывается применимым следующий вариант метода радиоактивных индикаторов, предложенный Дж, Бокрисом. Тонкопленочным электродом затянута верхняя часть электрохимической ячейки и свер у к нему примыкает окно счетчика Гейгера, Раствор, содержащий радиоактивное вещество, вначале не касается исследуемого электрода, но его радиоактивность регистрируется счетчиком, так как излучение свободно проходит через газовую фазу над раствором и через тонкопленоч11ый электрод. Чем меньше расстояние I между поверхностью раствора и исследуемым электродом, тем большую радиоактивность фиксирует счетчик. Регистрируя величину радиоактивности в зависимости от I и экстраполируя ее к 1 = 0, находят некоторую величину /о, которая характеризует фоновую радиоактивность, идущую от растворенного вещества, В действительности при контакте раствора с электродом регистрируется радиоактивность /, которая больше, чем /о, из-за адсорбции органического вещества. Следовательно, разность I—Уо характеризует количество адсорбированного вещества. [c.29]

Другой способ оценки радиоактивности фона раствора /о в варианте тонкопленочных электродов состоит в том, что подбирают такое химическое соединение с тем же самым меченым атомом, что и в исследуемом веществе, которое не адсорбируется на электроде при заданном потенциале. Если концентрация меченых атомов в растворе этого вещества подобрана такой же, как и в исследуемом растворе, то при его контакте с электродом непосредственно регистрируется величина /о- В ряде случаев с указанной целью можно использовать раствор НазСОз с радиоактивным углеродом 1 С. [c.29]

В заключение этого раздела отметим, что недавно были впервые использованы в качестве электродов монокристаллы алмаза, выращенные при высоких температуре и давлении (НТНР), см. главу 2 [66, 111]. Характеристики их спектров импеданса, как уже упоминалось, качественно близки к характеристикам тонкопленочных электродов (см. табл. 3). [c.39]

Выводы 1) и 2) иллюстрируются рис. 27, на котором представлена разность потенциалов анодного и катодного максимумов тока АЕ на циклических вольтамперофаммах для четырех окислительно-восстановительных систем, как функция их равновесного потенциала и удельного сопротивления алмазных тонкопленочных электродов. На рисунке слева представлены сильно легированные ( металлоподобные ) электроды, справа — слабо легированные (полупроводниковые). Эти качественные соображения были подтверждены в ряде работ на примере различных окислительно-восстановительных систем [153-161]. Количественную сторону вопроса мы обсудим ниже. [c.49]

В главе 2 отмечалось, что свойства аморфного углерода варьируют в очень широких пределах. Графитоподобные тонкопленочные электроды по своим электродным свойствам напоминакуг другие углеродистые материалы (стеклоуглерод и др.) окислительно-восстановительные реакции на них протекают в режиме смешанной кинетики (см. раздел 6.1). На алмазоподобных электродах, напротив, пики токов окисления [c.59]

В ряде экспериментов Балашова использовала также метод прямого счета с поверхности электрода. Метод прямой записи через тонкопленочное окошко для изучения электрохимической адсорбции разработан Бломгреном и Бокрисом [290] на основе методики Аниансе на [291] и Жолио [292]. Аналогичные приемы счета через тонкие [c.501]

Несколько работ посвящено адсорбции низкомолекулярных топлив на тонкопленочных электродах с использованием реагентов, меченных С. Маринчич и Конвей [300] изучили адсорбцию муравьиной кислоты, ионов формиата и ацетата- С и С, Смит, Урбах, Харрисон и Хатфилд [307, 308] - метанола- С, а Фланнери и Уолкер [309] - углеводородов. [c.507]

Используя модифицированный [310] тонкопленочный метод Кука [294], Фланнери й Уолкер [309] изучили хемосорбцию С-и-бу-тана на "оконном" электроде из платинированной слюды. Сцепление слоя платины со слюдой удалось достичь предварительным напылением слоя тантала или Та О на слюде и последующим напылением [c.507]

Вторичная электронная эмиссия (ВЭЭ) — эмиссия электронов, вызываемая бомбардировкой тел электронами [7]. Электроны, бомбардирующие поверхность тела, называются первичными электроны, эмиттирован-ные телом, — вторичными. Вторичные электроны могут эмиттироваться как со стороны облучаемой первичным пучком поверхности тела (ВЭЭ на отражение ), так и — в тонкопленочных эмиттерах — со стороны поверхности, противоположной облучаемой (ВЭЭ на прострел ), Отношение числа электронов N2, испускаемых телом, к числу падающих на него за то же время первичных электронов N1 называется коэффициентом ВЭЭ о данного тела 0 = N 2 N1 = ИгОи /а — первичный и вторичный токи соответственно). Значение а зависит от свойств и структуры эмиттера, состояния его поверхности, энергии первичных электронов Ер и угла падения первичного пучка на поверхность эмиттера. В потоке вторичных электронов имеются две группы электронов истинно вторичные — электроны вещества, получившие от первичного пучка достаточно энергии для выхода в вакуум, и отраженные (упруго и неупруго) — часть первичного пучка, отразившаяся от поверхности эмиттера. При малых Ер (Ер < < 0,1 кэв) основную долю вторичных электронов составляют упруго отраженные электроны. С ростом Ер доля упруго отраженных электронов быстро уменьшается и при Ер > 0,1 кав составляет лишь несколько процентов всей ВЭЭ. Истинно первичные электроны имеют энергии от О до 50 эе. Наиболее вероятная энергия истинно вторичных электронов составляет 1,5—3,5 эв и при Ер > > 20 эв практически не зависит от Ер. Неупруго отраженными условно принято считать электроны вторичного пучка, энергия которых превышает 50 эв. Отношение числа неупруго отраженных электронов к числу первичных электронов Т] = N2 (Е2 > 50 эв)Иг называется коэффициентом неупругого отражения (в /2 входят и упруго отраженные электроны, но число их мало и на величинеТ1 не сказывается). В металлах и полупроводниках максимальное значение ст лежит в пределах 0,5—1,8. В некоторых диэлектриках (MgO, щелочногалоидные кристаллы) о значительно больше (10—20). Это обусловлено тем, что в таких материалах запрещенная зона велика Eg 6-Н12 эв), сродство к электрону мало (х < 1 эв), вследствие чего медленные электроны с энергией, лежащей между % и Eg, могут из большой глубины без потерь энергии подходить к поверхности тела и выходить в вакуум. При наложении на диэлектрик сильного электрического поля, направленного от эмиттирующей поверхности вглубь слоя (т. е. ускоряющего вторичные электроны к поверхности), о значительно возрастает. Обычно сильное поле создается бомбардировкой тонкого слоя диэлектрика на металлической подложке электронами с Ер, при котором о > 1. В результате поверхность диэлектрика заряжается положительно относительно металлической подложки до потенциала, близкого к потенциалу коллектора, на который отсасывается ток ВЭЭ. Ток ВЭЭ, возникающий в присутствии сильного электрического поля в эмиттере, состоит из двух компонент малоинерционной, быстро следующей за изменениями первичного тока (эта часть ВЭЭ называется вторичной электронной эмиссией, усиленной полем, ее инерционность <10 сек), и само-поддерживающейся, существующей и при отсутствии первичного пучка, после того как осуществлена первоначальная зарядка слоя. В некоторых случаях ВЭЭ с электродов вакуумных приборов, подвергающихся бомбардировке электронами, является нежелательным паразитным эффектом. Для его устранения электроды покрывают веществами с малым а углерод (сажа, ак-вадаг), титан, цирконий, дисилициды переходных ме- [c.457]

Наименьшими значениями предела обнаружения Смин характеризуются инверсионные варианты полярографических методов с использованием СРЭ и особенно тонкопленочных ртутных электродов, включая ртутнр-графитовые (РГЭ). В ряде работ сопоставлены возможности инверсионной импульсной полярографии и других вариантов полярографии. [c.20]

Для ртутного тонкопленочного электрода теория, развитая Де Вризом и Ван Даленом [45] для линейной постояннотоковой развертки напряжения, приводит к следующим выражениям [c.531]

Ро И Тони [46] также вывели уравнения для потенциала и тока пика для постояннотокового процесса растворения с использованием РТПЭ. Величина в(нg) прямо пропорциональна массе металла, растворенного в ультратонкой пленке [29], так что ток пика для тонкой пленки определяется количеством осажденного вещества, а не его концентрацией в тонкой пленке. В практическом анализе пленочные электроды с очень тонкими пленками ртути не использовали, так как они чрезвычайно трудно воспроизводимы. Вместо этого использовали более толстые пленки, но которые вели себя еще как тонкие. При толщине пленок от 0,2 до 1000 нм никаких отклонений от тонкопленочного поведения не обнаружено, и чувствительность таких электродов такая же, как и электродов с очень тонкими пленками [29, 45]. [c.531]

Справочник химика 21

Химия и химическая технология