Локализованные

Число локализованных электронных пар центрального атома и пространственная конфигурация молекул АВ [c.76]

Теория валентных связей (локализованных электронных пар) исходит из положения, что каждая пара атомов в молекуле удерживается вместе при помощи одной или нескольких общих электронных [c.65]

Металлические и металлоподобные соединения. Порошки титана, циркония и гафния поглощают водород, кислород и азот. При этом растворенные неметаллы переходят в атомарное состояние и принимают участие в образовании химической связи. Наряду с сильно делокализованной (металлической) возникает локализованная (ковалентная) связь. Благодаря этому система приобретает повышенную твердость и хрупкость. Способность Т1, Zг и Н1 поглощать газы используется для получения глубокого вакуума, удаления газов из сплав эв и т. д. [c.531]

Равноценность всех связей свидетельствует о делокализации тс-связи (тг-электронного облака) и отрицательного заряда на все атомы кислорода. Тогда можно обойтись одной схемой с изображением де-локализованного т -электронного облака в виде пунктира [c.78]

Образование локализованного мономолекулярного слоя при адсорбции реагирующих молекул А на активных центрах поверхности 3 можно представить в виде химической реакции, как это было сделано в предыдущей главе [c.537]

Из первого характерного свойства металлов следует, что по крайней мере часть электронов может передвигаться по всему объему куска металла. С другой стороны, из кристаллической структуры металлов следует, что их атомы не связаны друг с другом локализованными двухэлектронными связями, ибо числа валентных электронов атома недостаточно для образования подобных связей со всеми его соседями. [c.89]

Так, при взаимодействии с фтором нелокализованная л-связь графита разрывается и возникают двухэлектронные а-связи С—Р. В пределе образуется фторид графита состава СР (рис. 169). При этом углерод переходит из в 5р -гибридное состояние. Поскольку во фториде графита все связи локализованные, он диэлектрик. Фторид графита — бесцветное, прозрачное, хими- [c.394]

Структура кристаллов соединений Э (II) весьма сложна. Так, SnO и красный РЬО имеют слоистую решетку (рис. 178), образованную тетрагональными пирамидами (зонтиками) ЭО4 с локализованной электронной парой при атоме Э [c.430]

Активные участки могут быть примесями ионов металлов, локализованных вблизи поверхности которые могут обратимо связываться с О2, + О2 (газ) [МОз] " [c.392]

Диффузия молекул к поверхности и от поверхности твердого катализатора обычно происходит быстро в газах и медленно в жидкостях. Поэтому для последних суммарная скорость реакции сильно зависит от размеров пор и доступности катализатора. При этом может оказаться, что реакция лимитируется диффузией (т. е. стадиями 1 и 5). Для газов этот случай является редким. На время ограничимся рассмотрением таких каталитических процессов, скорости которых определяются стадиями 2, 3 и 4. Предложены две модели строения сорбированного слоя реагентов па поверхности. Одна из них исходит из того, что сорбированный слой слабо связан с поверхностью и относительно свободно может мигрировать с одного места поверхности к другому. В предельном случае подвижный слои может быть представлен как двухмерный газ, сорбированный на поверхности. Наряду с этой моделью существует и модель сильной связи поверхностного слоя согласно такой модели, можно считать, что каждая сорбированная молекула образует химическую связь с некоторым атомом на поверхности катализатора. В таком локализованном слое миграция реагирующих веществ может медленно проходить либо за счет диффузии на иоверхности, либо за счет испарения и повторной адсорбции. Эти относительно медленные процессы могут лимитировать скорость реакции. [c.536]

Показано [116], что ванадий может находиться в трех формах. При малом его содержании (до 1%) он представлен изолированными парамагнитными частицами УО локализованными, видимо, на дефектах 7-оксида алюминия. В случае его большего накопления появляются диамагнитные частицы ванадия, образующего, видимо, фазу сульфида ванадия и покрывающего монослоем поверхность катализатора при содержании 6-10%. При дальнейшем накоплении ванадия (более 10%) образуется сульфид ванадия, близкий к Уз 83. Предполагается, что [c.147]

Необходимо повысить надежность средств регулирования процесса и управления им, чтобы исключить подачу избыточного количества инициатора повышенной концентрации в автоклавный реактор, а также накопление в системах инициатора и образование локализованных зон повышенной конверсии этилена в полиэтилен. [c.111]

Предположим, что экстремум локализован в интервале [х">, (рис, 1Х-17). Поставим теперь задачу, как выбрать точку. < > внутри интервала л ) I, чтобы точки х - > и делили интервал и< , [c.506]

Для характеристики твердой поверхности используют еще один термин — поверхностное состояние. Ему отвечают локализованные вблизи поверхности электронные энергетические уровни, особенно уровни, способные обмениваться илн делиться [c.181]

Сгорание реактивных топлив происходит в турбулентном диффузионном пламени при большом избытке воздуха. Для того чтобы можно-было достичь безупречного смешения, необходимо, чтобы топливо сгорало-без остатка. Если при сгорании образуется углерод, то можно предположить, что возникают локализованные богатые воздушно-топливные смеси, и когда они сгорают, то отношение между образованием углерода и подачей воздуха принимает критическое значение. [c.448]

Вводя это выражение, например, в уравнение Лэнгмюра для локализованной адсорбции на однородной поверхности (формула XVI, 7а), получим уравнение, [c.456]

Зональное распределение кокса в зерне катализатора выглядит следующим образом. Кокс первой, низкотемпературной зоны (375 °С) окисления локализован в области каталитического действия металла, а второй -высокотемпературной (440-460 °С) - преимущественно на носителе. Перераспределение кокса по зонам окисления можно объяснить деструктивными превращениями (гидрированием кокса) в среде водорода при прогреве, с образованием некоторого количества отложений с небольшим молекулярным весом, которые могут мигрировать в газовую фазу. На рис. 4.3 представлено распределение кокса по зонам во времени, а на рис. 4.4 - изменение активности и доступной поверхности платины при накоплении кокса на катализаторе. [c.52]

На втором этапе при температуре 350-480°С из катализатора выгорает основная масса кокса. При этом кокс, локализованный в области каталитического действия металла выгорает при температуре 375°С, а кокс носителя - при температуре 440-460°С. Платина катализирует окисление, реакция идёт с выделением тепла, поэтому на этой стадии важно не допустить перегрева слоя катализатора и спекания платины. С этой целью концентрация кислорода в циркулирующем инертном газе не должна превышать 1% об. [c.54]

Теория локализованных электронных пар. Согласно этой теории расположение связей и лигандов вокруг центрального атома определяется числом его электронных пар, в том числе несвязывающих. При этом их предпочтительное расположение относительно друг друга — максимальная удаленность, т. е. минимум межорбитального взаимодействия. [c.75]

На I стадии локализованные определённым образом атомы кристаллов [c.60]

Для вывода уравнения изотермы локализованной адсорбции рассмотрим химическую или квазихимическую (для локализованной физической адсорбции) реакцию [c.443]

Пространственная конфигурация молекулы С1Рз находится в полном согласии с моделью локализованных электронных пар (см. табл. 7). В молекуле С1Рз три электронные пары участвуют в связи (одна пара за счет двухцентрового взаимодействия, две пары—за счет трехцентрового взаимодействия) и две пары остаются неподелен-ными при атоме хлора. Взаимное отталкивание пяти электронных пар отвечает расположению их в вершинах тригональной бипирамиды (см. рис. 51). [c.270]

Иныпи словами, связи в молекуле СО2 осуществляются на счет четырех >лектронных пар на четырех трехцентровых орбиталях. В представлениях теории локализованных связей это отвечает расположению четырех электронных пар на четырех двухцентровых орбиталях [c.401]

Наиболее простое уравнение изотермы локализованной адсорбции на однородной поверхности, учитывающее притяжения адсорбат—адсорбат, было выведено А. В. Киселевым оно имеет вид [c.456]

Что же касается орбиталей йху-, d, г и г-типа, то, поскольку их лепестки вытянуты по биссектрисам углов, с орбиталями лигандов они не комбинируются (рис. 213). В октаэдрических комплексах без я-связывания они играют роль одноцентровых несвязывающих орбиталей, локализованных при центральном атоме. Их обозначают [c.511]

Это уравнение хорошо описывает изотермы локализованной адсорбции на однородной поверхности в области преимущественного заполнения первого слоя. Частным случаем уравнений (XVI, 35а) и (XVI, 36) прн й=0 является уравнение Лэнгмюра (XVI, Юа). [c.456]

Прежде чем перейти к рассмотрению и сопоставлению величин теплот и энергий гидратации отдельных,ионов, следует подчеркнуть одно обстоятельство, на которое вперкые обратили внимание Ланге и Мищенко (1930). При проведении цикла, лежащего в основе уравнения (2.1), свободные ионы переносятся из газовой фазы в жидкую межфазную границу с локализованным на ней поверхностным скач ком потенциала Каждый моль ионов совершает при этом электрическую работу, равную (где 2,Р — заряд 1 моля г-го [c.51]

Ионизация атомов металла до ионов М"+ с расходом энергии Дб/ио,, в точке в вакууме вблизи пове )хности металла, там где локализован внешний потенциал Электроны возвращаются в металл, что дает выигрыш энергии, отвечающий работе выхода электронов из металла [c.63]

Такое расхождение связано с тем, что теория Гуи — Чап-мапа не учитывает собственного объема ионов, которые отождествляются с материальными точками, обладающими только зарядами. В результате этого ничто не препятствует ионам в принятой модели подходить сколь угодно близко к поверхности металла. Расположенная в растворе часть двойного слоя может оказаться локализованной, несмотря на свою диффузность, в очень тонком слое, значительно меньшем радиуса иона. В этом легко убедиться, если, подобно тому как это делалось в теории Дебая — Гюккеля, ввести характеристическую длину /д, определяющую толщину плоского конденсатора, эквивалентного по емкости диффузионному двойному слою. Характеристическую длину можно найти, приравняв правые части уравнений (12.4) и (12.7) [c.266]

Эта модель основана на допущениях, что температура обоих агентов выравнивается по объему каждой среды, а температурный градиент локализован у раэделяпщей стенки. [c.53]

Число локализованных электронных пар центрального атома и пространственная конфигурация для молекул типа АВ приведены в табл. 7 и на рис. 51. С помощью этой теории нетрудно показать, что молекулы СИ, НдМ и НгО относятся к молекулам типа АВ4, АВ3Е и АВ2Е2 соответственно, что отвечает тетраэдрической, тригонально-пирамидальной и угловой пространственной конфигурации (рис. 51 и табл. 7). [c.75]

Причиной окраски комплексов могут быть также так называемые электронные переходы с переносом заряда. Так, окраска ионов типа МпО (фиолетовый) и СГО4 (желтый) объясняется переходом несвязывающих я-электронов (локализованных при атомах кислорода) на орбитали (преимущественно локализованные при центральном атоме Мп или Сг соответственно). [c.518]

Однако уравнение (111.145) можно использовать и для определения эффективности какого-нибудь участка тарелки это освобождает от необходимости пренебрегать градиентом состава флегмы но тарелке и в массе паров. В этом случае к. п. д. тарелки г ,- л называется локальным, он всегда меньше единицы при этом составы фаз будут относиться не ко всей тарелке, а к определенному локализованному участку, размер которого теоретически лшжет быть как угодно мал. [c.210]

При всем многообразии внешних проявлений ГА-воздействия число элементарных первичных явлений, их определяющих, ограничено. Назовем первичным такой эффект или явление, которые находятся в начале всех последующих событий данного процесса. Первичные процессы сосредоточены в строго локализованном месте вещественной структуры. Так, например, процесс дегазации в акустическом поле начинается как совокупность выпрямленной диффузии и слияния кавитационных пузырьков под действием сил Бьеркенеса. Эта совокупность составляет первичные процессы акустической дегазации. Пространственная локализация этого процесса, как очевидно, включает область, содержащую как минимум два пузырька. Этот пример дает возможность наглядно определить понятие сайта . Сайт — совокупность первичных акустических эффектов и мест их локализации (от англ. "site — место, участок, местоположение, местонахождение). Данный термин встречается в биохимии [430]. [c.50]

Большое место занимает и борьба с коррозией. При этом нельзя огра1[ичиваться только условиями, существующими в основной массе потоков, — каждую локализованную среду необходимо рассматривать как возможгпяй очаг коррозии. [c.234]

Очевидно, что носкол1,ку па границах нового интервала значение функции R (л ) больше, чем в его середине, минимум расположен в интервале и- -, Тем самым, искомый минимум локализован [c.505]

По найденным значениям R (л " ). н определяется подынтервал, в котором локализован экстремум, состоящт 1 из двух подь[итервалов /, и I., не равной длины. [c.507]

Применение синтетических латексов связано, как правило, с их астабилизацией и, в конечном счете, с разрушением коллоидной системы. Астабилизация латекса может достигаться различными техническими приемами введением электролитов, испарением воды, термическими, электрическими воздействями. Иногда латекс при переработке подвергают комбинированным астабили-зующим воздействиям. Принципиальная особенность процессов астабилизации при переработке товарных латексов заключается в создании контролируемых условий, при которых разрушение коллоидной системы происходит в течение более или менее длительного промежутка времени, обеспечивающего образование равномерной структуры по всему объему (пленки, формованные изделия) или в локализованных участках (например, в некоторых, высоконаполненных латексных композициях). В основе большинства процессов переработки латексов лежит пленкообразование как простым испарением влаги, так и через предварительную [c.607]

Число мест на поверхности, на которых могут разместиться молекулы адсорбата, ограничено. Иными словами, концентрация Са В мономолекулярном слое может быть повышена лишь до некоторого предельного значения при котором все места, пригодные для адсорбции данного вещества, уже заняты. Влияние этого фактора на вид изотермы адсорбции проще всего рассмотреть, предполагая, что молекулы адсорбируются только на свободных местах поверхности адсорбента, с которыми они образуют адсорбционный комплекс. Связь с адсорбентом может быть при этом химической или физической, но достаточно сильной для того, чтобы молекула не перемещалась вдоль поверхности. В этой случае наблюдается локализованная адсорбция в отличие от нело-кализованной, когда молекулы адсорбата могут свободно перемещаться вдоль поверхности адсорбента. Так как поверхность адсорбента состоит из атомов, ионов или молекул, то для перемещения молекулы вдоль поверхности необходимо преодолевать потенциальные барьеры (см. схему на рис. XVI, 3). Поэтому при низ-ких температурах физически адсорбирующиеся молекулы преимущественно локализованы, а при высоких—не локализованы. Химически адсорбирующиеся молекулы локализованы. [c.443]

Эти формулы выражают уравнение изотермы адсорбции Лэнгмюра. В соответствии с допущениями, сделанными при его выводе, это—уравнение локализованной адсорбции на однородной поверхности в отсутствие сил притяжения между молекулами адсорбата. Силы отталкмвання учитываются тем, что одно место на поверхности адсорбента может быть занято только одной молекулой адсорбата, т. е. они принимаются не зависящими от значения О и действующими лишь при непосредственном соприкосновении адсорбированных молекул друг с другом. [c.445]

Можно поступить наоборот и подставить в уравнение <ХУП, 43) значение поверхностного давления из уравнения (XVII, 40), являющегося уравнением двухмерного состояния не-локализованного адсорбционного слоя, аналогичным уравнению Ван-дер-Ваальса для трехмерного состояния, т. е. [c.477]

Это уравнение. ионо.чолекулярной не локализованной адсорбции на однородной поверхности, приближенно учитывающее взаимодействия адсорбат—адсорбат, [c.478]

Справочник химика 21

Химия и химическая технология