Квазихимические уравнения

Для образования дефектов по Френкелю квазихимическое уравнение их образования с применением современной символики выглядит следующим образом [c.275]

В настоящее время большое внимание уделяют ассоциации точечных дефектов. Ее простейший пример — образование парных вакансий, описываемое квазихимическим уравнением 2 [изолированная вакансия] [парная вакансия] [c.275]

Составьте квазихимические уравнения, выражающие образование дефектов в кристалле АВ, поглощающем избыток компонента А из газовой фазы. [c.300]

М хи В выражениях (XIV.88) и (XIV.89) величина ХЬ определяется формулой (XIV.78), а Х12 является корнем квазихимического уравнения (XIV.82). Решая это уравнение, находим [c.421]

Предполагается, что соотношение между наиболее вероятными числами пар разного рода в системе определяется квазихимическими уравнениями типа [c.432]

Если бинарный кристалл АВ, теряя часть компонента В, сохраняет однофазную структуру, то возникают дефекты в соответствии с квазихимическими уравнениями [c.304]

Квазихимические уравнения, описывающие разупорядочение кристаллов [c.327]

Для дефектов по Шоттки квазихимическое уравнение имеет вид [c.114]

Напротив, в нестехиометрическом кристалле обычно доминирует только один сорт атомных дефектов, образование которых также можно выразить квазихимическими уравнениями. Например, в бинарном кристалле АВ, поглощающем избыток компонента В из газовой фазы, возникают дефекты типа. . . атомов или. .. в Л-подрешетке [c.330]

Составьте квазихимическое уравнение, выражающее образование дефектов нестехиометрии в кристалле закиси никеля имея в виду, что поглощение избытка кислорода из газовой фазы сопровождается образованием вакансий в металлической подрешетке. Укажите тип проводимости. [c.330]

Это уравнение называется квазихимическим уравнением, так как формально сходно с уравнением химического равновесия. [c.45]

Диффузия по междоузлиям часто приводит к образованию твердых растворов внедрения. Этот механизм сводится к прямому перемещению атома в периодическом потенциальном поле кристалла. Схематически этот процесс можно представить квазихимическим уравнением [c.155]

Разрешив квазихимические уравнения (IX.7) для случая малых плотностей (ао -> 1, ад - 0, 5 = 1, 2,. ..), найдем Хд == 1 Хг 1/т] о- [c.305]

Третий тип разупорядочения, называемый антиструктурным, заключается в том, что разноименные атомы бинарного или более сложного кристалла обмениваются кристаллографическими позициями (рис. 6.8) в соответствии с уравнением Аа + Вв Ав + Ва. Составьте квазихимическое уравнение, выражающее образование антиструктурных дефектов в кристалле Си2п. [c.322]

При малых 0ш константа равновесия для схемы (УП.7) имеет вид уравнения (УП.5), так как мольные доли для частиц на поверхности кристалла, как и для вакантных узлов на поверхности, одинаковы, а для частиц, расположенных в нормальных узлах решетки, 0=1. Для образования парных вакансий квазихимическое уравнение запишется так [c.114]

Метод Бете. В 3 этой главы квазихимическое уравнение (9.32) было выведено с помощью приемов комбинаторики на основе предположения о постоянстве пар молекул. Существует другой способ вывода квазихимического уравнения, эквивалентный первому. Этот способ основывается на приближенном методе вычисления функции состояний, предложенном в 1935 г. Бете [6]. Метод Бете часто применяется в работах по теории растворов и сплавов. Поэтому мы дадим краткое описание метода Бете и, следуя Гуггенгейму, приведем вывод квазихимического уравнения с помощью этого метода. Затем рассмотрим точный способ вычисления функции состояний раствора, предложенный Кирквудом [3]. Во всех случаях предполагается, что раствор обладает квазикристаллической структурой со всеми теми ограничениями, которые были перечислены в 3. [c.332]

Квазихимическое уравнение можно рассматривать как приложение е-теоремы Больцмана к равновесию [c.338]

Поэтому квазихимическое уравнение применимо для вычисления термодинамических функций реальных растворов со всеми теми ограничениями, которые обусловливают применимость е-теоремы Больцмана. [c.338]

Согласно определению дефект Шоттки образован перемещением атома из нормального узла в некоторое среднее положение на поверхности кристалла. Следовательно, объем кристалла растет при повышении концентрации вакансий, так как при этом увеличивается число узлов в рассматриваемом кристалле. Поэтому процесс образования дефектов Шоттки можно рассматривать как процесс растворения вакуума в кристалле и описывать его следующим квазихимическим уравнением [c.169]

Это уравнение представляет собой аналог квазихимического уравнения (9.32). [c.370]

Примем, что (9.224) совпадает с квазихимическим уравнением (9.216). Тогда [c.371]

При малой концентрации дефектов константу равновесия образования дефектов по Френкелю в соответствии с написанным квазихимическим уравнением можно записать так [c.237]

Для образования парных вакансий квазихимическое уравнение запишется так [c.237]

Рассмотренные выше отдельные процессы образования дефектов и описываюш,ие их уравнения оказались достаточно простыми, однако полный анализ условий равновесия кристалла— это весьма сложная проблема. Дело в том, что разупорядочение решетки часто связано с образованием нескольких типов дефектов и электронным возбуждением, приводящим к заряжению дефектов. В этом случае приходится решать совместно систему квазихимических уравнений образования и заряжения дефектов, что, как и при всяком рассмотрении системы взаимно зависимых химических процессов, оказывается достаточно громоздкой задачей. [c.238]

Рассмотрим образование вакансий в неметаллических кристаллах простых веществ, которые обычно играют роль ловушек для электронов. В таком случае электронное возбуждение кристалла описывается двумя квазихимическими уравнениями [c.238]

Здесь нет необходимости подробно исследовать систему квазихимических уравнений, описывающих дефектную структуру оксида, легированного серой. Достаточно заметить, что наличие примесных центров с положительным эффективным зарядом вследствие условия электронейтральности неизбежно должно приводить к увеличению концентраций всех точечных дефектов, обладающих отрицательными эффективными зарядами, в том числе катионных вакансий и кГ, а следовательно, [c.280]

Рассмотрим полупроводник состава М, находящийся в равновесии с внешней фазой, содержащей примесь В. Примем, что активность примеси во внешней фазе постоянна. Для выравнивания химических потенциалов примесь О должна растворяться в кристалле М, что можно записать в виде квазихимического уравнения [c.165]

Если дефекты распределены статистически (т. е. отсутствует упорядочение), то некоторое их количество может оказаться ближайшими соседями в этом случае возможны ассоциации дефектов, например, пары вакансий. Пара вакансий ведет себя как некий новый дефект, обладающий характерными для него свойствами. Если между дефектами действуют силы взаимодействия, то концентрация комплексов дефектов может быть больше (при наличии сил притяжения между дефектами) или меньше (действие сил отталкивания), чем чисто статистическая их концентрация. Силы взаимодействия между дефектами могут быть вызваны силами электростатического взаимодействия зарядов, иногда сопровождающегося поляризационными эффектами, силами, соответствующими образованию ковалентных связей между дефектами, силами, обусловленными упругими взаимодействиями. При наличии сил взаимодействия образование ассоциированных дефектов может быть описано квазихимическим уравнением [c.172]

При выводе квазихимических уравнений обычно принимают, что вероятность образования точечного дефекта на любом узле или междоузлии решетки не зависит от состояния узлов, окружающих рассматриваемую точку. Однако, учитывая, что каждый вид точечных дефектов вызывает в области решетки, где он находится, более или менее существенные изменения, например создает вокруг себя поле механических напряжений, или, если он несет заряд, еще и электростатическое поле, можно ожидать, что энер- [c.181]

Если в кристалле образуются вакансии электроположительного элемента М, способные к т-кратной ионизации (при температуре синтеза кристалла), то этот процесс можно описать квазихимическим уравнением [c.481]

Рассмотрим еще один случай ионного соединения МХ, находящегося в равновесии при высокой температуре с одноатомным компонентом (паром) X, для которого удается получить точное решение квазихимических уравнений. Выпишем, сл дуя данным [c.61]

ВЫВОД КВАЗИХИМИЧЕСКИХ УРАВНЕНИЙ [c.70]

Изложим [16] более подробно общую схему получения квазихимических уравнений для ионных кристаллов с дефектами. Пусть имеется т независимых компонентов системы, которые можно задавать произвольно. Обозначим их число через Ni (г = 1,. .., т) и назовем [17] внешними переменными. Концентрации остальных и зависимых переменных (внутренние переменные) получатся из минимума термодинамического потенциала при фиксированных внешних переменных. [c.72]

Уравнение NRTL получено из рассмотрения межмолекуляр ного взаимодействия в зависимости от типа окружающих моле кул и использования локальных молярных концентраций соглас но квазихимическому уравнению теории регулярных растворо и третьей бинарной константе для выражения сротношений ло кальных концентраций и состава. Это привело авторов к уравне нию (3), в котором, однако, используются иные константы G,y а именно [c.6]

Зависимость (XIV.83) имеет вид выражения для константы равновесия квазихимической реакции (XIV.62). Правда, в выражение для константы должно бы входить изменение свободной энергии при реакции, а в уравнении (XIV.83) стоит величииа w, представляющая согласно модели изменение потенциальной энергии и не зависящая от температуры. Рассматриваемая упрощенная модель не учитывает изменения энтропии при квазихимической реакции. Уранение (XIV.83) в теории строго регулярных растворов называют квазихимическим уравнением. [c.420]

Переход атома А из регулярного узла в вакантное междоузлие можно выразить следующим квазихимическим уравнением AA+Vi Ai+VA, где знак 5 указывает обрати- мость процесса разупорядочепия. Составьте квазихимическое уравнение, описывающее переход атома В из регулярного узла в вакантное междоузлие. [c.312]

Обратимая реакция ассоциации— диссоциации комплекса (ОмУм) описывается квазихимическим уравнением [c.142]

В главе дан критический анализ приближений, используемых в квазихимическом методе, которые позволяют получать явные зависимости концентрации дефектов от парциального давления более летучего компонента. Значительное внимание уделено рассмотрению легированных окислов с катионными вакансиями. Обсуждается вывод квазихимических уравнений из условия минимума термо-динамическогоо потенциала. [c.52]

Справочник химика 21

Химия и химическая технология